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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910893163.X有效
发明人：王志豪;黄瑞乾;林群雄;江国诚;周智超;王培勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。
半导体装置形成方法

[实用新型]用于清水模板上防止混凝土漏浆的构件-CN202222632375.2有效
发明人： 王培勋;于涛;朱晓利;昶文志 -专利权人：北京万兴建筑集团有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： E04G17/00 文献下载
摘要：本实用新型属于建筑构件技术领域，尤其为用于清水模板上防止混凝土漏浆的构件，包括直角连接件，所述直角连接件前端和右端均开有一号卡槽，前端所述一号卡槽内部卡接有纵向模板，右端所述一号卡槽内部卡接有横向模板，所述横向模板设置有两个，两个所述横向模板之间共同卡接有拼接机构，所述直角连接件前端和右端的切面开有两个方型滑槽，两个所述方型滑槽内前壁上部均开有穿通的插入口，两个所述方型滑槽内部均穿插滑动连接有支撑机构。本实用新型提高了模板拼接的更加紧密，有效的防治漏浆并能保证混凝土构件的表面平整度，有效的改善漏浆问题，并且能大幅度提高清水模板的周转使用率，从工程质量上及经济上都有所改善。
用于清水模板防止混凝土构件

[实用新型]一种防疫防控安全通道-CN202120817814.X有效
发明人：吕保奎;吕海瑞;臧洪全;张洪海;于壮;童子升;王培勋;冯超;付扬雪;张立新;张东方;吕胜希;李志申 -专利权人：北京万兴建筑集团有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： E04H1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防疫防控安全通道，包括，通道主体，通道主体内部设置有物品消毒装置、人体测温装置，物品消毒装置包括消毒管道、行李传送带，消毒管道位于行李传送带上方，消毒管道与通道主体内壁通过位置调节装置连接。本实用新型在通道主体内行李传送带上方设置物品消毒装置，对进出的物品进行消毒，取代了以往不进行物品消杀或通过人工进行消杀的方式，保证了防疫人员的安全。
一种防疫安全通道

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202110156303.2在审
发明人： 王培勋;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法包括形成自基板凸起的鳍状物，且鳍状物具有相对的第一侧壁与第二侧壁；形成牺牲介电层于鳍状物的上表面、第一侧壁与第二侧壁上；蚀刻牺牲介电层，以自鳍状物的第二侧壁移除牺牲介电层；形成凹陷于鳍状物中；自凹陷成长外延的源极/漏极结构，外延的源极/漏极结构具有相对的第一侧壁与第二侧壁，其中牺牲介电层覆盖外延的源极/漏极结构的第一侧壁；使牺牲介电层凹陷，以露出外延的源极/漏极结构的第一侧壁；以及形成源极/漏极接点于外延的源极/漏极结构的第一侧壁上。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202110096447.3在审
发明人：王培宇;王培勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置，半导体装置包括第一半导体带，自基板凸起；第二半导体带，自基板凸起；隔离材料，围绕第一半导体带与第二半导体带；纳米片结构，位于第一半导体带上，其中纳米片结构与第一半导体带隔有含栅极材料的第一栅极结构，其中第一栅极结构部分地围绕纳米片结构；以及第一半导体通道区与第二半导体通道区，位于第二半导体带上，其中第一半导体通道区与第二半导体通道区隔有含栅极材料的第二栅极结构，其中第二栅极结构延伸于第二半导体带的上表面上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110208308.5在审
发明人： 王培勋;林群雄;锺政庭;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括第一隔离结构与第二隔离结构；鳍状结构，沿着第一方向纵向延伸并沿着第二方向夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间，且第一方向垂直于第二方向；第一通道组件，位于第一隔离结构上；第二通道组件，位于第二隔离结构上；以及栅极结构，位于第一通道组件与第二通道组件上并包覆第一通道组件与第二通道组件。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202010189923.1在审
发明人：蔡庆威;黄禹轩;程冠伦;王志豪;曹敏;张荣宏;张罗衡;王培勋;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：此处提供半导体装置结构的形成方法。方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于基板上。基板具有基底以及基底上的第一鳍状结构与第二鳍状结构，且第二鳍状结构比第一鳍状结构宽。方法包括部分地移除第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构。方法包括形成内侧间隔物层于第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构上。方法包括分别形成第一应力源与第二应力源于内侧间隔物层上与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构上。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010475836.2在审
发明人： 王培勋;江国诚;张罗衡;张荣宏;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例的半导体装置，包括位于第一装置区中的多个第一全绕式栅极装置，以及位于第二装置区中的多个第二全绕式栅极装置。第一全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第一垂直堆叠、第一栅极结构以及多个内侧间隔物结构；第一栅极结构围绕通道部件的第一垂直堆叠并位于其上。第二全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第二垂直堆叠以及第二栅极结构，第二栅极结构围绕通道部件的第二垂直堆叠并位于其上。通道部件的第一垂直堆叠的两个相邻的通道部件之间，隔有第一栅极结构的一部分与内侧间隔物结构的至少一者。通道部件的第二垂直堆叠的两个相邻的通道部件之间，只隔有第二栅极结构的一部分。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010380640.5在审
发明人： 王培勋;陈仕承;林群雄;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括：在半导体衬底上方形成外延半导体层，以及蚀刻外延半导体层和半导体衬底以形成半导体条，该半导体条包括用作心轴的上部和位于心轴下方的下部。上部是外延半导体层的剩余部分，并且下部是半导体衬底的剩余部分。该方法还包括从心轴的第一侧壁开始生长第一半导体鳍，从心轴的第二侧壁开始生长第二半导体鳍。第一侧壁和第二侧壁是心轴的相对侧壁。基于第一半导体鳍形成第一晶体管。基于第二半导体鳍形成第二晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种灰尘收集工具-CN202020557636.7有效
发明人：臧洪全;赵文娟;郭平;刘振海;任新民;谭海涛;谭晓闯;张洪海;刘振涛;王培勋 -专利权人：北京万兴建筑集团有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B25D17/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种灰尘收集工具，包括：固定环，所述固定环套接于手持电钻锤钻头位置；压环，所述压环通过若干伸缩部件连接于所述固定环上端位置；粉尘收集袋，所述粉尘收集袋连接于所述固定环和压环之间。本实用新型制作方便，结构简单，能达到减少大气污染，粉尘收集及时有效，防止操作工人遭受粉尘导致的肺部、呼吸道等相关疾病，营造干净舒适的工作环境。
一种灰尘收集工具

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202010241453.9在审
发明人：江国诚;林志昌;陈仕承;王志豪;王培勋;张罗衡;张荣宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供半导体装置及其形成方法。依据本发明实施例的半导体装置包含第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件、位于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间的第一半导体通道元件和第二半导体通道元件，以及第一介电部件和第二介电部件的每一者包含第一介电层和不同于第一介电层的第二介电层。第一介电部件和第二介电部件夹设于第一半导体通道元件与第二半导体通道元件之间。
半导体装置及其形成方法

[外观设计]头盔-CN202030280278.5有效
发明人： 王培勋 -专利权人： 王培勋
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： 02-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：头盔。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于护具类，保护人体脑袋。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
头盔

[外观设计]外壳（卧式暖气炉）-CN201930525836.7有效
发明人： 王培勋 -专利权人： 王培勋
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：外壳（卧式暖气炉）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于取暖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
外壳卧式暖气

[实用新型]一种卧式暖气炉-CN201921599797.6有效
发明人： 王培勋 -专利权人： 王培勋
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： F24B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卧式暖气炉，包括炉体，炉体为空心夹层长方体，炉体上端面设有锅灶火口和暖气炉火口，炉体下端面设有烧火口甲和烧火口乙，炉体的左、右及后端面均为封闭面。锅灶火口位于烧火口甲正上方，暖气炉火口位于烧火口乙正上方。炉体上端面和前端面分别焊接设有一个水暖管件，炉体上端面的水暖管件靠近暖气炉火口设置，炉体前端面的水暖管件位于炉体前端面的下部。本实用新型的优点在于：该卧式暖气炉安装于农村锅灶内，不会额外占用空间，大容量炉膛灵活多变，柴、草、煤、气皆可以作为燃料，柴草可以大块进入炉膛，节省资源和费用，且操作起来不易受烟熏火烤，不会对健康造成威胁。
一种卧式暖气

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201911180876.8在审
发明人： 王培勋;林群雄;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开了半导体装置及其制造方法。例示性，该半导体装置的形成方法包括于基板之上形成鳍片，其中鳍片包括具有不同半导体材料的第一半导体层及第二半导体层，并且鳍片包括通道区及源极/漏极区；于鳍片的通道区之上及基板之上形成虚设栅极结构；蚀刻位于源极/漏极区中的一部分鳍片以在其中形成沟槽，其中沟槽的底表面于第二半导体层的底表面下方；于通道区选择性去除第二半导体层的边缘部分，使得第二半导体层凹入；于凹入的第二半导体层周围及沟槽的底表面之上形成牺牲结构；以及于鳍片的源极/漏极区中外延生长源极/漏极部件。
半导体装置形成方法

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