“王乔楠”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种线性限幅器-CN201910285268.7有效
发明人：邓世雄;陈书宾;周全;吴波;高长征;王乔楠;赵瑞华;王磊;潘海波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03G11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性限幅器，包括至少两个限幅模块和至少一个分隔模块，所述分隔模块的个数小于所述限幅模块的个数；第一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输入端，最后一个限幅模块的第一端为所述线性限幅器的输出端；所有的限幅模块的第二端接地；每个分隔模块均设置在两个相邻的限幅模块之间，其中，所述分隔模块的第一端与相邻的一个限幅模块的第一端连接，所述分隔模块的第二端与相邻的另一个限幅模块的第一端连接。通过在两个限幅模块之间设置分隔模块，使两个限幅模块之间的电长度增长，使线性限幅器在电压增加时，输出的电压更接近目标电压，提高了线性限幅器的线性度。
一种线性限幅器

[发明专利]抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器-CN202010123495.2有效
发明人：邓世雄;陈书宾;罗建;要志宏;刘晓红;杨鹏;王乔楠;吴波;苏彦文;武康;史磊;贾晓亮;李省;王平 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
饱和限幅器芯片驱动放大器

[发明专利]一种滤波限幅器及雷达接收系统-CN202310146525.5在审
发明人：王生明;邓世雄;高长征;罗建;陈书宾;刘飞飞;孙计永;孙一航;马维龙;王磊;宋雪峰;王乔楠;陈帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本申请适用于无线电系统电路技术领域，提供了一种滤波限幅器及雷达接收系统。该滤波限幅器包括：输入谐振单元、中间谐振单元和输出谐振单元；输入谐振单元包括第一电感；输出谐振单元包括第二电感；中间谐振单元包括第三电感和第四电感；第一电感、第二电感、第三电感和第四电感中至少一个为铁氧体电感；输入谐振单元的第一端与信号输入端相连接，第二端与中间谐振单元的第一端相连接；中间谐振单元的第二端与输出谐振单元的第一端相连接；输出谐振单元的第二端与信号输出端相连接。本申请能够能够兼顾小信号滤波器特性及大信号限幅特性，系统结构简单、尺寸小、成本低，能够提高系统抗干扰能力，同时具有大功率信号的防护能力。
一种滤波限幅器雷达接收系统

[发明专利]基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器-CN202211248092.6在审
发明人：邓世雄;高长征;罗建;陈书宾;李亮;吴波;王生明;孙计永;孙一航;王磊;宋学峰;周彪;王乔楠;孔伟东;王二超 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层的上表面制备第一钝化层；在第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个接地焊盘；在第一钝化层的上表面制备绝缘介质层；在绝缘介质层的上表面进行开窗，形成多个开孔；在绝缘介质层的上表面制备预设外围电路，在多个开孔内进行镀金处理，以使多个上电极和多个接地焊盘电连接预设外围电路。本申请采用单片化制备方法，使制备得到的基于硅基PIN二极管的PIN限幅器尺寸小且集成度高。
基于 pin 二极管限幅器制备方法

[发明专利]硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管-CN202211248587.9在审
发明人：邓世雄;高长征;罗建;陈书宾;李亮;吴波;王生明;孙计永;孙一航;王磊;宋学峰;周彪;王乔楠;孔伟东;王二超 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管，该方法包括：在硅晶圆衬底的上表面进行P+掺杂，形成第一预设直径的P+层；在硅晶圆衬底的下表面进行N+掺杂，形成N+层；对I层进行刻蚀，I层位于P+层与N+层之间，保留I层在P+层下的第二预设直径的I层区域；第一预设直径大于第二预设直径；将N+层的下表面减薄至预设厚度；在N+层上表面除I层区域与P+层的区域制备钝化层；在P+层上表面制备阳极焊盘；在钝化层上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个阴极焊盘。本申请平面化的硅基PIN二极管可以应用于高密度集成领域，缩小电子器件的尺寸，提高集成度。
硅基 pin 二极管平面化制备方法

[发明专利]射频管壳的制备方法、功放模块封装方法及功放模块-CN202210278131.0在审
发明人：李仕俊;唐晓赫;徐达;要志宏;常青松;袁彪;王乔楠;杨晓楠;郭嘉;许景通;赵正桥;刘文涛;黄天熹;顾浩波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频管壳的制备方法、功放模块封装方法及功放模块，射频管壳的制备方法包括：通过在介质基板上制备贯穿介质基板上下表面的过孔；对过孔以及介质基板的上下表面溅射金属种子层后，在介质基板上下表面分别制备正面金属图形和背面金属图形；分别对正面金属图形和背面金属图形进行局部加厚，制备得到正面金属围框和底面热沉；从金属围框内选取一区域作为芯片贴装区域，去除介质基板在芯片贴装区域的部分，制备得到射频管壳。本发明的方法制备的射频管壳采用电镀纯铜作为管壳的底板，一面贴装芯片，另一面直接作为管壳的外部贴装面，在保证散热、接地效果的同时，能够就近引出，以保证良好的高频特性。
射频管壳制备方法功放模块封装

[发明专利]3dB电桥及其制备方法-CN201911005395.3有效
发明人：邓世雄;周全;史磊;要志宏;王乔楠;董雪;白银超;韩鹏飞;任亮;刘晓莉;李增路 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。
db 电桥及其制备方法

[发明专利]绝缘子针的制备方法及绝缘子针-CN202011551776.4有效
发明人：李仕俊;张延青;徐达;常青松;王乔楠;李增路;魏少伟;许景通;李秀琴;胡占奎;梁红春;李壮壮;于瑞红;康彦红;杨亚帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属；刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层；在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层；将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合，形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计，可以提高金属管壳高密度互联的需求，且在绝缘子针表面形成安装面，使射频端就近接地隔离，损耗小且高频特性好。
绝缘子制备方法

[发明专利]高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统-CN202210086525.6在审
发明人：郭旭光;徐达;常青松;祁广峰;要志宏;袁彪;常巍;王乔楠;张延青;冯涛;胡占奎;张晓荷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。
导热扇出型封装结构制备方法散热系统屏蔽

[发明专利]单向微波限幅器及通信系统-CN202111584252.X在审
发明人：邓世雄;陈书宾;袁彪;王乔楠;蒙燕强;王晓龙;祁兴群;曹欢欢;石超;王二超;韩轩;史强;高子萌;马腾;时久然 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明适用于射频通信技术领域，提供了一种单向微波限幅器及通信系统，上述限幅器包括：双向耦合器、正向检波模块、反向检波模块、积分模块、扼流电感、PIN二极管；双向耦合器的第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与反向检波模块的输入端连接；正向检波模块的输出端分别与反向检波模块的输出端、积分模块的第一端及扼流电感的第二端连接；本发明根据双向耦合器的特性，当天线端有大功率信号注入时，正向检波模块的输出和反向检波模块的输出通过积分模块共同作用到PIN二极管的正极使其导通，实现对大功率信号的单向防护。
单向微波限幅器通信系统

[实用新型]可调集成立体电感及LC滤波器-CN202020086737.0有效
发明人：杨亮;张韶华;厉建国;林立涵;王磊;梁毅;王乔楠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H03H7/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可调集成立体电感及LC滤波器，该可调集成立体电感应用于电子元件技术领域，包括：所述可调集成立体电感集成于电路板，包括：集成设置在所述电路板上的基础电感、微调电感和可调线段；所述微调电感通过所述可调线段与所述基础电感以预设连接结构连接。本实用新型提供的可调集成立体电感能够实现立体电感的微调，从而消除立体电感的电感值误差对实际电路应用的影响。
可调集成立体电感 lc 滤波器

[实用新型]一种无连接器射频馈点输出型微波射频组件的测试装置-CN201922114321.5有效
发明人：郭立涛;李秀芳;王振亚;王立发;赵瑞华;王乔楠;袁彪;刘金;庞龙;连智富;戎子龙;刘爱平 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种无连接器射频馈点输出型微波射频组件的测试装置，属于射频组件测试技术领域，包括测试台、测试组件以及弹性定位组件，其中，测试台用于固定安装微波射频组件，测试台上横向滑动连接有第一托板，第一托板上纵向滑动连接有第二托板，第二托板上固定连接有滑座；测试组件与滑座沿上下方向滑动连接；测试组件用于与测试电缆电连接，且用于测试微波射频组件上的射频馈点；弹性定位组件设于测试组件与滑座之间，用于向下定位测试组件的测试位置及带动测试组件向上弹起.本实用新型提供的一种无连接器射频馈点输出型微波射频组件的测试装置，测试效率高，测试过程安全可靠，而且能够通用多种无连接器射频馈点输出型微波射频组件。
一种连接器射频输出微波组件测试装置

[实用新型]三维立体混合集成电路封装结构-CN202020168007.5有效
发明人：白锐;要志宏;常青松;韩玉朝;丁珂;徐达;齐国虎;王乔楠;张延青;赵晞文;苏彦文;庄建军;李玲;赵华 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三维立体混合集成电路封装结构，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本实用新型提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。
三维立体混合集成电路封装结构

[实用新型]单片可重构砷化镓低噪声放大器-CN201922355120.4有效
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器

[实用新型]一种气密封装器件-CN201922044324.6有效
发明人：李仕俊;王乔楠;王磊;魏少伟;徐达;常青松;王朋;王占利;许景通;陈茂林;周泽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气密封装器件，气密封装器件包括：下封装结构包括第一陶瓷基板，第一陶瓷基板设有第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；第一芯片，设置在第一陶瓷基板上，第一芯片的焊盘与第一金属柱相连；中间封装结构，设置在下封装结构上，包括第二陶瓷基板，第二陶瓷基板设有第二通孔，第二通孔内的金属记为第二金属柱；第二芯片，设置在第二陶瓷基板上，第二芯片的焊盘与第二金属柱相连，连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连；上封装结构，设置在中间封装结构上。本实用新型形成垂直的两个封装腔，民管元件单独存放，避免了二次封装，提高了集成度。
一种气密封装器件

1
2
下一页»
尾页
共 21 条