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[发明专利]发光装置-CN201811532072.5有效
发明人：中林拓也;池上武志;池田忠昭;林忠雄;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种小型且薄型的发光装置，无连接不良、高寿命、高性能且光取出效率良好。本发明的发光装置具备：基体，其具备至少在第一主面上具有一对连接端子的母材；发光元件，其与上述连接端子连接；密封部件，其将上述发光元件密封，其中，上述母材的线膨胀系数为上述发光元件的线膨胀系数的±10ppm/℃以内的范围。
发光装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201610700656.3有效
发明人：西岛慎二;三木伦英;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种薄型且光取出效率高的发光装置。该发光装置具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；突起部，其设于凹部内；发光元件，其载置于凹部内，并与导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖发光元件的方式设于凹部内。基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成。凹部在侧壁的内表面具有曲面。突起部被设置为与曲面接近。由此，可成为光取出效率及可靠性优异的薄型和小型的发光装置。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201510632755.8有效
发明人： 玉置宽人;中林拓也 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件及其制造方法。制造发光器件的方法包括：制备光透射性部件，所述光透射性部件包括具有通孔的光反射性片、和由包含颜色转换材料的光透射性树脂构成且设置在通孔中的颜色转换材料层；制备发光元件；将颜色转换材料层固定到发光元件；用光反射性部件覆盖发光元件的侧表面；以及切割光反射性部件和光反射性片。
发光器件及其制造方法

[发明专利]发光装置和线路板的制造方法-CN201180053154.1有效
发明人：山下良平;三木伦英;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光装置及线路板的制造方法。在本发明的发光装置（100）中具备发光元件和封装，该封装由成形体、埋设于成形体中的至少第一及第二引线构成，具有底面、与底面相对的上面以及与底面及上面相连的光出射面，第一引线具有在底面露出的第一端子部、在上面露出的露出部，露出部设置在比第一端子部更靠封装的中央侧的位置。
发光装置线路板制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201410201241.2有效
发明人：末永良马;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种发光装置及其制造方法，操作容易，通过使量产性提高从而能够低成本地制成。本发明的发光装置包含：依次层积有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且在一面侧具有与所述第一半导体层连接的第一电极及与所述第二半导体层连接的第二电极的半导体层积体；与所述第一电极及第二电极分别连接的一对端子；包含固定该端子的绝缘体层，在俯视观察下，其外缘配置在所述半导体层积体的外缘的内侧的端子基板。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光装置-CN201410767626.5有效
发明人：中林拓也;池上武志;池田忠昭;林忠雄;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种小型且薄型的发光装置，无连接不良、高寿命、高性能且光取出效率良好。本发明的发光装置具备：基体，其具备至少在第一主面上具有一对连接端子的母材；发光元件，其与上述连接端子连接；密封部件，其将上述发光元件密封，其中，上述母材的线膨胀系数为上述发光元件的线膨胀系数的±10ppm/℃以内的范围。
发光装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201310381386.0有效
发明人：丸谷幸利;玉置宽人;宫田忠明 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用了发光二极管的比现有装置廉价的发光装置及其制造方法。所述发光装置具备基体、固定在基体上的电线、安装在电线上的多个发光二极管。
发光装置及其制造方法

[发明专利]波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置-CN201310100170.2有效
发明人： 玉置宽人;若木贵功;林忠雄;里芳树;小谷松大祐;杉山卓史;小杉卓生 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供厚度、形状以及使用的无机荧光体的限制少的波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置。无机成型体（波长变换用无机成型体）（1）具有基板（2）和设置在基板（2）上的含有粒状的无机荧光体（31）的荧光体层（3）。另外，粒状的无机荧光体（31）被覆盖无机荧光体（31）的粒子且使该粒子彼此相互固定的由陶瓷构成的覆盖层（32）所覆盖。另外，在荧光体层（3）的内部形成有空隙（33），在荧光体层（3）的表面形成有由无机荧光体（31）的粒子的粒径引起的凹凸形状。
波长变换无机成型及其制造方法以及发光装置

[发明专利]光半导体装置-CN201410136422.1有效
发明人：藤友正人;玉置宽人;西岛慎二;反田祐一郎;三木伦英 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201610565346.5在审
发明人： 玉置宽人;里芳树;板东洋一 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供能抑制荧光物质的劣化的发光装置及其制造方法。本发明的一个实施方式的发光装置(100)的特征在于，具备发光元件(10)；配置在上述发光元件(10)之上、具有上表面和侧面、含有荧光物质(25)的波长转换部件(20)；被覆上述波长转换部件(20)的上表面、实质上不含有荧光物质的透光部件(30)；配置在上述发光元件(10)与上述波长转换部件(20)之间、被覆上述波长转换部件(20)的侧面的粘接部件(40)；以及介由上述粘接部件(40)被覆上述波长转换部件(20)的侧面的光反射部件(50)。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201080048796.8有效
发明人：西岛慎二;三木伦英;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种薄型且光取出效率高的发光装置。该发光装置具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；突起部，其设于凹部内；发光元件，其载置于凹部内，并与导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖发光元件的方式设于凹部内。基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成。凹部在侧壁的内表面具有曲面。突起部被设置为与曲面接近。由此，可成为光取出效率及可靠性优异的薄型和小型的发光装置。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光装置及发光装置用封装阵列-CN201180052219.0有效
发明人：山下良平;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光装置及发光装置用封装阵列。本发明发光装置（100）具备大致长方体形状的封装（20）、载置于封装（20）上的发光元件（10）。封装（20）由成形体（30）、分别埋设于成形体（30）中的第一引线（40）及第二引线（50）构成。第一引线（50）具有在封装（20）的第一侧面（20E1）、底面（20A）、与连接底面（20A）的光出射面（20C）相对的背面（20D）的边界，从成形体（30）露出的第一端子部（42）。第二引线（50）具有在与第一侧面（20E1）相对的第二侧面（20E2）、底面（20A）、背面（20D）的边界，从成形体（30）露出的第二端子部（52）。第一端子部（42）具有与第一侧面（20E1）、底面（20A）及背面（20D）相连并开口的第一凹部（42S）。第二端子部（52）具有与第二侧面（20E2）、底面（20A）及背面（20D）相连并开口的第二凹部（52S）。
发光装置封装阵列

[发明专利]发光装置-CN200980102696.6有效
发明人：细川昌治;玉置宽人 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够扩大颜色再现范围的宽色域的发光装置。该发光装置包含：具有选自(I)和(II)中的1种以上的氮化物荧光体的红色发光荧光体、以及以(III)和(IV)表示的两种以上的绿色发光荧光体，MwAlxSiyBzN((2/3)w+x+(4/3)y+z):Eu2+ (I)；通式(I)中，M选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，w、x、y、z分别满足0.5≤w≤3、x＝1、0.5≤y≤3、0≤z≤0.5；MpSiqN((2/3)p+(4/3)q):Eu2+ (II)；通式(II)中，M选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种，p、q分别满足1.5≤p≤2.5、4.5≤q≤5.5；MxMgSizOaXb:Eu2+ (III)；通式(III)中，M选自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn中的至少一种，X选自F、Cl、Br、I中的至少一种，x、z、a、b分别满足6.5≤x＜8.0、3.7≤z≤4.3、a＝x+1+2z-b/2、1.0≤b≤1.9；SicAldOfNg:Eu2+ (IV)；通式(IV)中，c、d、f、g分别满足c+d＝6、5.0≤c＜6、0＜d≤1.0、0.001＜f≤1、7≤g＜8。
发光装置

[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN200910170535.2有效
发明人：藤友正人;玉置宽人;西岛慎二;反田祐一郎;三木伦英 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。另外，其特征在于，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光装置-CN200680020351.2有效
发明人：高岛优;相原正人;武市顺司;内藤隆宏;玉置宽人;岸本智久 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，是具有将来自激发光源的光吸收而进行波长变换的波长变换构件的发光装置，其发光光谱将来自激发光源的光显示能量强度的最大值的波长设为第一波长，将来自波长变换构件的光显示能量强度的最大值的波长设为第二波长，将上述发光装置的发光光谱在第一波长和上述第二波长之间显示能量强度的最小值的波长设为第三波长，将650nm设为第四波长，第一波长的能量强度与上述第三波长的能量强度的比为100∶15～150，第一波长的能量强度与第四波长的能量强度的比为100∶45～200的关系。
发光装置

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