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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板和显示装置-CN202211347454.7在审
发明人：丁灿墉;高永贤;玉敬喆 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及显示装置。薄膜晶体管包括第一有源层、第一辅助栅电极和第一栅电极，其中第一有源层包括第一沟道部分、与第一沟道部分的一侧接触的第一连接部分以及与第一沟道部分的另一侧接触的第二连接部分。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]显示设备-CN202211159121.1在审
发明人：崔弘洛;李道炯;丁燦墉;玉敬喆 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种显示设备。被定位在基板上的主有源层包括沟道区域、被定位在沟道区域的第一侧的第一导体化区域以及被定位在沟道区域的与第一侧相反的第二侧的第二导体化区域。至少一个牺牲有源层被定位在主有源层上。栅极绝缘膜被定位在主有源层的沟道区域上。第一电极被定位在至少一个牺牲有源层上。第一电极的一部分与主有源层的第一导体化区域重叠。第二电极被定位在至少一个牺牲有源层上。第二电极的一部分与主有源层的第二导体化区域重叠。被定位在栅极绝缘膜上的第三电极与主有源层的沟道区域重叠。
显示设备

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和包括薄膜晶体管的显示装置-CN202211210309.4在审
发明人：丁灿墉;玉敬喆;李道炯;崔弘洛 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括位于基板上的还原图案、与所述还原图案接触的有源层以及与所述有源层至少部分地重叠的栅电极，其中所述有源层包括沟道部分、连接到所述沟道部分的一侧的第一导电化部分、以及连接到所述沟道部分的另一侧的第二导电化部分，并且所述沟道部分与所述栅电极重叠并且不与所述还原图案重叠。
薄膜晶体管制造方法包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和显示装置-CN202210837498.1在审
发明人：丁燦墉;玉敬喆;卢智龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板和显示装置。半导体层包括沟道部分、位于沟道部分的一侧上并包括第一主导电化部分和第一子导电化部分的第一导电化部分、以及位于沟道部分的另一侧上并包括第二主导电化部分和第二子导电化部分的第二导电化部分。栅极绝缘膜位于沟道部分上。第一辅助电极位于第一主导电化部分上。第一电极位于第一辅助电极上。第二辅助电极位于第二主导电化部分上。第二电极位于第二辅助电极上。第三电极位于栅极绝缘膜上并与沟道部分交叠。第一辅助电极和第二辅助电极各自包含导电氧化物。
薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备-CN202011528756.5在审
发明人： 玉敬喆;徐廷锡;尹弼相;卢智龙;张宰满;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备，其中，该薄膜晶体管包括：基板上的第一绝缘层；第一绝缘层上的有源层；以及栅极，该栅极与有源层间隔开并且被配置为具有与有源层交叠的至少一部分，其中，有源层具有氧化物半导体材料的单晶结构，并且第一绝缘层的接触有源层的上表面是由氧(O)制成的氧(O)层。
薄膜晶体管制造方法以及包括显示设备

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置-CN201711401682.7有效
发明人：朴镇成;玉敬喆;韩基林;裵鐘旭;李胜敏;白朱爀 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管基板可包括：基础基板；设置在所述基础基板上的第一保护膜；设置在所述第一保护膜上的氧化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；与所述氧化物半导体层连接的源极电极；和漏极电极，所述漏极电极设置在距所述源极电极预定间隔处并且与所述氧化物半导体层连接，其中所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。
薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201580049981.1在审
发明人：朴镇成;玉敬喆;郑贤浚 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供薄膜晶体管。上述薄膜晶体管包括基板；活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；栅电极，与上述活性电极重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极及上述活性图案之间。
薄膜晶体管及其制作方法

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