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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人： 牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[实用新型]可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置-CN200420009923.5无效
发明人：佟存柱;牛智川;韩勤;杜云;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括：一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理，可用于氧化限制型垂直腔面发射激光器的大规模生产。
提高砷化铝氧化均匀外延承载装置

[发明专利]高击穿电压的高电子迁移率晶体管-CN200410046387.0无效
发明人：徐晓华;倪海桥;牛智川;贺正宏;王建林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-06-08 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，制作在面掺杂层上，用于调节阈值电压；一重掺杂盖层，制作在势垒层上，用于欧姆接触；源、栅、漏和侧向电极制作在重掺杂盖层上；侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接，用于将空穴抽取出晶体管。
击穿电压电子迁移率晶体管

[发明专利]高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法-CN200310119746.6无效
发明人： 牛智川;徐晓华;倪海桥;徐应强;韩勤;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-04 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒层上面；一第二势垒层，形成与上势垒层对称的能量势垒，该第二势垒层制作在量子阱层上面；一表面覆盖保护层，用于保护量子阱结构，和制备接触电极，该表面覆盖保护层制作在第二势垒层上面。
组分铟镓砷量子结构及其制备方法

[发明专利]气态束源炉瞬态开关控制真空装置-CN03136238.9无效
发明人： 牛智川;倪海桥;徐晓华;徐应强;张纬;韩勤;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-05-19 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接；一手动阀，与不锈钢超高真空腔体的另一端连接；一质量流量计，与手动阀连接；一手动阀门，与质量流量计连接；一气体管路，其两端分别与质量流量计和手动阀门连接；一气体容器，与手动阀门连接；一超高真空腔体，与气动阀连接，该超高真空腔体接有一高真空泵；一计算机分别控制质量流量计、气动阀和气动阀门，实现气流方向通入超高真空腔体或切换到旁路真空泵。
气态束源炉瞬态开关控制真空装置

[发明专利]自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法-CN03137828.5无效
发明人：刘金龙;李树深;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。
组织砷化铟砷化镓盘状量子材料制作方法

[发明专利]1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法-CN01104430.6无效
发明人： 牛智川;封松林;杨富华;王晓东;汪辉;李树英;苗振华;李树深 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2001-02-26 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微米发光，并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV，将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中，将极大地改善该类器件的性能如：降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。
1.3 微米 ingaas gaas 组织量子激光器材料及生长材料方法

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