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[发明专利]一种表征分子铁电材料畴结构拉曼方法-CN202210361084.6在审
发明人：游雨蒙;周文琴;冯子杰;熊昱安;杜国威 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种表征分子铁电材料畴结构的拉曼方法。步骤1、确定材料的晶体生长方向和晶面；步骤2、采集变温拉曼光谱；步骤3、分析变温拉曼光谱，确定与极化密切相关的拉曼振动模式；步骤4、计算特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤5、搭建偏振拉曼测试系统，采集不同偏振角度下的拉曼光谱；步骤6、对角度依赖偏振拉曼光谱进行数据处理；步骤7、绘制特征拉曼峰的“角度—峰强(峰宽或峰位)图；步骤8、拟合步骤7的数据，确定特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤9、在峰强(峰宽或峰位)取极值时的角度下进行偏振拉曼成像。本发明有效填补了分子铁电材料畴结构表征领域非接触性、非破坏性表征方法的空白。
一种表征分子材料结构方法

[发明专利]一种新型氟代高相变温度铁电材料及其合成方法、应用-CN201910484890.0在审
发明人： 熊昱安;游雨蒙;潘强 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开一种以有机‑无机杂化钙钛矿以及反钙钛矿为原料的设计高相变温度铁电材料的设计合成方法，并用该方法设计合成了四种新型高相变温度铁电材料。杂化钙钛矿其化学通式为ABX₃，其中A为有机阳离子，B为金属阳离子，C为无机阴离子；反钙钛矿结构通式为X’₃B’A’，其中X’为有机阳离子，B’为无机阴离子，C’为另一种无机阴离子。通过调节其中A的类型材料，可以获得高相变温度的铁电材料。此设计方法为用氟选择性取代杂化钙钛矿（或反钙钛矿）中A（或X’）部分的氢，可以使材料具有高相变温度以及铁电性。本发明还基于这种材料，公开了一种用于检测的器件及其器件制备方法。可用于测试材料的铁电性、光伏效应等。
钙钛矿铁电材料无机阴离子有机阳离子设计合成铁电性杂化反钙钛矿结构金属阳离子选择性取代测试材料光伏效应化学通式器件制备无机杂化氟代可用合成并用检测应用

[发明专利]一种三维分子基铁电存储器件-CN201910291134.6在审
发明人：游雨蒙;冯子杰;熊昱安 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C07C211/07 文献下载
摘要：本发明属于微电子存储器技术领域，特别涉及一种三维分子基铁电存储器件，包括所述分子基铁电存储器晶体薄膜、中心电极、周围电极和绝缘层；分子基铁电存储器晶体薄膜包裹在金属柱上，金属柱充当中心电极；周围电极是采用液相或气相沉积在分子基铁电存储器晶体薄膜上的金属；周围电极镶嵌在绝缘层里；其分子基铁电存储材料，所述分子基铁电存储材料的通式为：A_xB_yC_z；其中：A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子，B为金属阳离子，C为阴离子；该存储器件采用三维结构的设计，存储密度高，可根据要求改变堆叠层数实现不同的存储容量，同时具备低功耗、高性能、高可靠性且可低温制备的优点。
分子基铁电存储器晶体薄膜周围电极绝缘层铁电存储材料铁电存储器件中心电极金属柱三维微电子存储器金属阳离子有机阳离子存储器件存储容量低温制备高可靠性气相沉积三维结构低功耗堆叠层小分子阴离子存储镶嵌金属