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[发明专利]一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法-CN201710329921.6有效
发明人：崔磊;金锐;潘艳;温家良;赵岩;徐哲;朱涛;和峰;高明超;赵哿;王耀华;刘江 -专利权人：全球能源互联网研究院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法，芯片结构自下而上依次包括金属电极117、衬底111、长条形元胞掺杂区112、长条梯形多晶栅113和绝缘层116；金属汇流条114 T型设于所述绝缘层116中部，其下表面与所述长条梯形多晶栅113电连接；正面金属电极115对称设嵌于所述绝缘层116上部，与n+/p+掺杂区欧姆接触，与长条梯形多晶栅113和金属汇流条114电隔离。本发明提供的技术方案，可以在不增加工艺步骤的前提下，更改版图结构设计，采用高信号传输速率的金属作为栅汇流条替代原有的多晶栅汇流条，一方面提高功率半导体器件单芯片动态一致性，另一方面增加栅控mos沟道区，提高有源区通流能力。
一种金属汇流芯片结构设计及其制作方法

[发明专利]一种提高β钛合金超弹性的方法-CN201910945033.6有效
发明人：潘艳;丁向东;孙巧艳;肖林 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高β钛合金超弹性的方法，包括：选择具有形状记忆效应的块体β钛合金作为样品，根据样品的马氏体相变应变量，确定利于马氏体相变的位向；对样品进行电解抛光；对处理后的样品表面进行标记；对处理后的样品进行测试分析，获得样品的晶粒位向分布图；根据利于马氏体相变的位向，结合压痕标记及样品的晶粒位向分布图，确定利于马氏体相变的晶粒位置；对利于马氏体相变的晶粒内部进行加工，得到微米尺寸圆柱样品。样品尺寸减小，马氏体尺寸减小，马氏体难于生成易于逆相变，产生超弹性。同时样品尺寸减小材料强度提高，推迟位错开启时间，减小位错对马氏体逆相变的钉扎作用，进而提高β钛合金超弹性。
一种提高钛合金弹性方法

[发明专利]一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法-CN201610893731.2有效
发明人：王鹏;李金元;潘艳;温家良;周细文;谈浩楠;崔梅婷 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;江苏同芯电气科技有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，所述测试电路包括充电单元、RC谐振单元、整流单元和被测二极管；RC谐振单元包括串联的电容组和电感组，充电单元包括串联的电源和充电开关；RC谐振单元、整流单元和被测二极管分别并联；充电单元与电容组并联；所述方法包括：闭合充电开关，电源向电容组充电：当电容组的电压达到其预置值后断开充电开关；控制RC谐振单元向被测二极管输出浪涌电流；控制整流单元对浪涌电流整流进行浪涌测试；当浪涌测试完成后闭合反压测试开关进行耐压测试。与现有技术相比，本发明提供的一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，能够向被测二极管持续输出正向浪涌电流，以测试被测二极管的重复浪涌性能。
一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法

[发明专利]一种城市交通系统和方法-CN201610071046.1有效
发明人：潘艳;潘之凯 -专利权人：潘艳
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B61L1/00 文献下载
摘要：一种城市交通系统和方法，先在城市建设起至少包括城市交通管理控制中心、信息神经系统、轨道站点设备系统、辅助站点设备系统、轨道车辆集群、乘用管理系统、运行保障系统的城市交通系统.这个系统通过让乘客预先的乘车申请，实现对同一出发地、同一目的地又允许在同一时间点上车的乘客，由系统自动编组出能从出发地直达目的地的轨道列车。不同时间、不同出发地和目的地的这些列车在本发明所述城市交通管理控制中心的统一实时控制下，有计划地、协调地、精准且高效率地运行在由计算机规划的最佳运行路线上，不仅实现了每位乘客从出发地直达目的地的目标，还实现了最高的承载效率，达到了本发明的目的，可以作为城市交通的主要承载工具广泛用于各城市建设中。
一种城市交通系统方法

[实用新型]一种蜂窝活性炭废气处理装置-CN202021730532.8有效
发明人：裴刚;潘艳 -专利权人：杭州曦辉环保科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂窝活性炭废气处理装置，包括依次连接的进气管、喷洒式废气预处理装置、蜂窝活性炭废气实时处理装置和排气管以及活性炭脱附装置，所述蜂窝活性炭废气实时处理装置包括吸附集气腔、吸附室一、吸附室二和排气腔。本实用新型属于废气处理技术领域，具体是一种通过蜂窝活性炭废气实时处理装置的多个吸附室的设置，可保证吸附过程实时进行，避免因活性炭饱和而使废气处理过程搁置，并通过活性炭脱附装置可保证活性炭重复循环使用，并且蜂窝型活性炭的设置可提高吸附性能并避免油性颗粒粘连成块状，提高了装置的使用寿命和循环利用性的蜂窝活性炭废气处理装置。
一种蜂窝活性炭废气处理装置

[发明专利]一种使用两线同时传输信息和电源的电路-CN201610134844.4有效
发明人：潘之凯;潘艳;张洪涛 -专利权人：北京纳衡仪器仪表有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：一种用两条通信线同时传输信息和电源的电路，通过等效开关K1在传输信号“1”时切换接通外部稳压后的输入电压、传输信号“0”时切换接通本发明内部稳压电路U1的输出电压，实现了“1”和“0”构成的高低电平均由稳压源输出的目标，实现了输出信号的稳定，还通过电感L1和电阻R3并联作为接收采样电路，克服了采样电路的电压损失和信号解调偏置电压的偏离，使整个电路在二线传输电源和信号的前提下，线路电压衰大大减小、带载能力大大增强，可以广泛用于需二线通信又要同时供电的场合。
一种使用同时传输信息电源电路

[发明专利]功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构-CN201910467610.5有效
发明人：武伟;石浩;赛朝阳;唐新灵;吴军民;潘艳;张朋;李现兵 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网江西省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。
功率芯片封装方法及其结构晶圆预

[发明专利]一种充磁头及充磁装置-CN201910350497.2有效
发明人：陆锡佳;彭湃;陆国浇;湛广永;潘华;王成合;潘艳;沈朝晖;陆亚华 -专利权人：佛山市南海南洋电机电器有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种充磁头及充磁装置，其中一种充磁头，包括充磁头壳体，该充磁头壳体沿竖直方向设置，该充磁头壳体的侧面设置有凹槽，该凹槽内横向设置有铁芯片，该铁芯片沿竖直方向设置有间隔设置有若干个，若干个相邻的该铁芯片上均开设有第一通孔，若干个该通孔之间形成一个安装空间，该安装空间内设置有第一冷却管道，该第一冷却管道外侧环绕有铜线，该充磁头壳体上开设有分别与该第一冷却管道两端连通的进水口、出水口。本发明解决传统的充磁头温度过高的问题，以提供一种降温速度较快的充磁头。
一种充磁装置

[发明专利]基于云端图像识别的双工艺复合防伪方法-CN202110568823.4在审
发明人：易桂丰;潘艳 -专利权人：湖南易码智能科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06Q30/00 文献下载
摘要：本发明涉及防伪技术领域，尤其为基于云端图像识别的双工艺复合防伪方法，其方法包括如下步骤：防伪标签制作时，第一道工艺为在激光雕刻机驱动软件中设置特殊图案，然后将激光雕刻机控制到特定的功率，在普通不干胶转印纸表面雕刻出特殊图案；本发明提出基于云端图像识别的双工艺复合防伪方法，在双工艺复合防伪标签的制作技术上，伪造者无法通过简单地拍照技术复制或仿制类似的标签，由于激光雕刻的是随机图案，伪造者不能针对每一个商品制作一个完全一样的激光雕刻图案，从而使仿造者无法达到伪造的目的，通过云端图像对比技术的配合，可以从根本上杜绝伪造标签的可能性，真正的实现防伪。
基于云端图像识别双工复合防伪方法

[发明专利]一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法-CN201610943892.8有效
发明人：徐哲;温家良;金锐;王耀华;刘江;赵哿;高明超;崔磊;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。
一种低通态压降 igbt 及其控制方法制造

[实用新型]一种砂浆试块浸水拉伸粘结强度试验浸水支架-CN202022802051.X有效
发明人：周杨;潘艳;慈晓;张飞;雷鸣;陶冶 -专利权人：马鞍山十七冶工程科技有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型设计一种砂浆试块浸水拉伸粘结强度试验浸水支架，包括若干隔板、固定支架；所述隔板包括：框架和设置在框架内部的若干凹槽；所述框架为长方体结构，所述长方体四个侧面部分别设置有螺丝孔；所述隔板水平截面小于所述固定支架水平截面；所述若干隔板配合安装在所述固定支架上。本实用新型设计一种砂浆试块浸水拉伸粘结强度试验浸水支架，构造简单，使用方便，而且有效地解决了试块多无法一次性浸水养护的问题，实用性强、提高了试验效率。
一种砂浆浸水拉伸粘结强度试验支架

[发明专利]一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法-CN201911333532.6在审
发明人：王耀华;金锐;高明超;李立;刘江;潘艳;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
一种 igbt 芯片终端结构制作方法

[发明专利]功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构-CN201910467609.2有效
发明人：武伟;林仲康;王亮;赛朝阳;董建军;吴军民;潘艳;张朋;李现兵 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司晋城供电公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。
功率芯片封装方法及其结构晶圆预

[发明专利]一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法-CN201911076548.3有效
发明人：田亮;李玲;葛欢;朱辰;姜春艳;吴昊;吴军民;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
一种透明半导体材料双面对准标记制备方法

[实用新型]一种实验室器皿酸洗装置-CN202021959505.8有效
发明人：覃华芳;张少梅;黄增;许业梅;潘艳;刘婕;阮姗姗;黄圆 -专利权人：广西壮族自治区生态环境监测中心
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B08B9/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种实验室器皿酸洗装置，其包括酸缸和循环装置，酸缸内通过分隔板分成两个酸洗区域，每个酸洗区域均能够放置器皿放置架，器皿放置架的上端通过连接杆连接到对应的盖板，盖板的内部开有整流腔，盖板的下端开有多个酸洗喷淋孔，盖板的上端连接进酸管，进酸管及酸洗喷淋孔与整流腔相连通。本实用新型的有益效果有：可对器皿进行喷淋清洗后再进行浸泡，保证了清洗效果；器皿放置架与盖板连接，打开盖板即将器皿取出，器皿取出十分便捷；设有两个酸洗室，两个可同时使用，一个用于喷淋酸洗，一个用于浸泡，效率提高；将喷淋装置与盖板结合在一起，减小了装置体积。
一种实验室器皿酸洗装置