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[发明专利]负型光阻组合物及图案形成方法-CN201010568163.1有效
发明人：田中启顺;增永惠一;土门大将;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，
负型光阻组合图案形成方法

[发明专利]负型光阻组合物及图案形成方法-CN201010559623.4有效
发明人：田中启顺;增永惠一;土门大将;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
负型光阻组合图案形成方法

[发明专利]受保护的聚合物的去保护方法-CN201010505496.X有效
发明人：增永惠一;渡边武;土门大将;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C08F212/14 文献下载
摘要：提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
保护聚合物方法

[发明专利]化学放大型抗蚀剂组合物和图案形成方法-CN201010552383.5有效
发明人：增永惠一;渡边聪;田中启顺;土门大将 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：一种包含聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，所述聚合物包含具有足够极性以赋予聚合物粘附力的单元和在酸作用下变为碱溶性的酸不稳定单元。所述聚合物包含具有通式(1)的重复单元，其中R¹为H、F、CH₃或CF₃，Rf为H、F、CF₃或CF₂CF₃，A是二价的烃基，R²、R³、R⁴为烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳烷基或芳氧代烷基。包含芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol％，而具有通式(1)的重复单元的存在量＜5mol％。
化学大型抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]导电性浆料的制备方法和导电性浆料-CN201010235385.1有效
发明人：相泽豪;高野敦俊;渡边聪 -专利权人：藤仓化成株式会社
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供导电性浆料的制备方法，使含有镀银的铜粉的导电性粉末分散在粘结树脂中，上述镀银的铜粉经过将银镀在原料铜粉上的第一镀敷工序，将进行了镀银的原料铜粉粉碎的粉碎工序和将银镀在被粉碎的粉碎粉末上的第二镀敷工序来制备。通过该方法得到的导电性浆料的导电性和保存稳定性优异。根据本发明，可以提供尽管使用镀银的铜粉作为导电性粉末，但导电性和保存稳定性优异的导电性浆料的制备方法，另外，可以提供通过上述方法制备的导电性浆料。
导电性浆料制备方法

[发明专利]化学放大型正性光致抗蚀剂组合物及图案的形成方法-CN201010289418.0有效
发明人：增永惠一;田中启顺;土门大将;渡边聪;大泽洋一;大桥正树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-06-12 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：一种聚合物，包含高比例的含芳环结构单元，且侧链上含芳香磺酸锍盐，该聚合物用于形成化学放大正性光致抗蚀剂组合物，该组合物对于形成具有高抗蚀性的抗蚀图案是有效的。所述聚合物克服了在用于聚合和纯化的溶剂中以及抗蚀剂溶剂中的溶解问题。
化学大型正性光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法-CN201010148960.4有效
发明人： 渡边聪;金子英雄;小板桥龙二;五十岚慎一;河合义夫;白井省三 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
光掩模坯料加工方法蚀刻

[发明专利]爆震确定装置-CN200880101840.X无效
发明人：枡田哲;金子理人;渡边聪;田中博人;千田健次;花井纪仁;山迫靖广 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G01L23/22 文献下载
摘要：爆震传感器的输出信号由多个带通滤波器过滤，以提取多个频带(f1-f4)的振动波形分量。乘到各个频带的振动波形分量上的加权系数(G1-G4)以这样的方式被建立以使其随着各个频带的噪声强度变得更大而成为小的值。因此，根据各个频带的噪声强度的影响，多个频带的振动波形分量通过加权被合成。即使当噪声被叠加到任意频带的振动波形分量上时，也可以减小噪声的影响和合成各个频带的振动波形分量，并且准确的爆震确定也可以基于复合振动波形而作出。
确定装置

[发明专利]电子部件供给装置-CN200910260707.5无效
发明人：屉本宪一;渡边聪 -专利权人： JUKI株式会社
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电子部件供给装置，其利用比较简单的构造，使本来应该在外罩带剥离后留在底带中，但却被附着在剥离的外罩带上的电子部件可靠地分离，由此，事先防止之后对剥离的外罩带进行处理的机构部的动作不良或损坏。在剥离部和外罩带回收部之间，形成有凹凸形状的张紧辊与在空中处于拉伸状态的外罩带的表面抵接，其中，剥离部用于在与吸附嘴拾取电子部件的拾取位置相比靠前的位置将电子部件供给带的外罩带剥离，外罩带回收部拉入由该剥离部剥离后的外罩带，从而回收该外罩带。根据外罩带的因回收的移动，张紧辊进行从动旋转，使在空中处于拉伸状态的外罩带适当地振动。而且，可以使凹凸形状的周面与附着的电子部件物理接触。
电子部件供给装置

[发明专利]化学增幅正型光阻组合物及光阻图案形成方法-CN200910262157.0有效
发明人：田中启顺;武田隆信;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
化学增幅正型光阻组合图案形成方法

[发明专利]供电轨道、供电系统以及陈列架-CN200880019936.1无效
发明人： 渡边聪 -专利权人：国誉株式会社
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： A47F5/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于在与供电轨道的设置方向正交的方向的两方向上提高配置自由度。一种供电导轨(21)，在载置商品(S)的架板(6)的前方侧端部沿着架板(6)的纵长方向设置，包括：2个设置槽(34、35)，在其上方部分与下方部分两方沿着架板(6)的纵长方向连续地形成，能够安装附属装置(100、200)；和供给电极部(37P、37M)，在这2个设置槽(34、35)的各自的内部沿着架板(6)的纵长方向连续地设置，能够供给电力。
供电轨道供电系统以及陈列

[发明专利]化学增幅型正型光阻组合物及图案形成方法-CN200910140185.5有效
发明人：武田隆信;渡边聪;大泽洋一;大桥正树;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物，其是化学增幅型光阻组合物，含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂，作为主要成分；该基质聚合物是，含有1种或2种以上以所述通式(1)等表示的单体单元，且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物，且在通过酸催化剂而被脱去保护后，会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术，需要有非常高的经时稳定性。又，必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明，能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法。
化学增幅型正型光阻组合图案形成方法

[发明专利]薄片处理系统、薄片处理装置和薄片处理方法-CN200910158614.1有效
发明人： 渡边聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G07D13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种薄片处理系统、薄片处理装置和薄片处理方法，薄片处理系统(1)具有薄片处理装置(20)和服务器(30)。服务器将薄片的标识数据和对该薄片执行的处理的结果相关联地存储。服务器向薄片处理装置发送该薄片数据。薄片处理装置从服务器接收薄片数据并存储该薄片数据。薄片处理装置获取向其供给的薄片的图像，并根据所获取的图像获取薄片的标识数据。薄片处理装置参照薄片数据，根据所获取的标识数据来辨别薄片，并根据辨别的结果，分类并收集薄片。
薄片处理系统装置方法

[发明专利]光阻组合物及图案形成方法-CN200910140187.4有效
发明人： 渡边聪;田中启顺;渡边武;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F₂激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
组合图案形成方法

[发明专利]光阻图案的形成方法及光掩模的制造方法-CN200910140186.X有效
发明人：武田隆信;渡边聪;渡边保;田中启顺;增永惠一;小板桥龙二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
图案形成方法光掩模制造