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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片的加工方法-CN201910634032.X有效
发明人：田中圭;陈之文;深谷幸太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，即使在从设置有偏振膜的晶片的正面侧对晶片照射激光束的情况下，也能防止碎屑附着于聚光透镜，并且形成用于对晶片进行分割的改质层。该晶片的加工方法对正面上形成有偏振膜的晶片沿着分割预定线进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从偏振膜的外表面侧沿着分割预定线照射对于偏振膜具有吸收性的波长的激光束，形成将偏振膜断开的激光加工槽；改质层形成步骤，通过按照将聚光点定位于晶片的内部的方式从偏振膜的外表面侧沿着激光加工槽对晶片照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，从而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，对晶片赋予外力，沿着分割预定线对晶片进行分割。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201811432831.0有效
发明人： 深谷幸太;蔡龙;陈之文 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B23K26/062 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。一种晶片的加工方法，沿着多条分割预定线对晶片(W)进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线形成分割起点用改质层(65a～65c)；以及对晶片赋予外力而以分割起点用改质层为起点将晶片沿着分割预定线分割。构成为当在晶片的背面(61)侧形成分割起点用改质层(65c)时，在分割起点用改质层的形成之前，按照第一输出以下的输出照射激光束而在背面附近形成作为改质层的对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层(66)之后，在与裂纹引导层同等的位置形成分割起点用改质层。
晶片加工方法

[发明专利]光器件晶片的加工方法-CN201510092333.6有效
发明人： 深谷幸太;桐原直俊 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其能够提高光的导出效率。本发明的光器件(1)具备基板(21)和在基板的正面形成的发光层(22)。基板具有：四边形的正面(21a)；与正面平行且形状相同的四边形的背面(21b)；以及连结正面和背面的4个侧面(21c)。在各侧面上沿着基板的正面的边的延伸方向并排地形成有向外侧突起的多个凸部(26)。在各凸部处沿基板的厚度方向交替地形成有凹凸。
器件

[发明专利]光器件及光器件的加工方法-CN201510016816.8在审
发明人： 深谷幸太 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光器件及光器件的加工方法，其能够提高光的导出效率。本发明的光器件(1)具备：基板(21)；和形成于基板的正面的发光层(22)。基板具有：四边形的正面(21a)；与正面平行且形状相同的四边形的背面(21b)；以及连结正面和背面的4个侧面(21c)。4个侧面中的2个侧面的截面形状形成为从正面至背面呈弓形鼓起的形状。除此以外的2个侧面的截面形状形成为从正面至背面呈弓形凹陷的形状。
器件加工方法

[发明专利]发光二极管-CN201410074375.2在审
发明人：铃木稔;深谷幸太;冈村卓;荒川太郎 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管，其为可提高光的取出效率的新结构。该发光二极管构成为具有：芯片（12），其在正面具有发光层；和透光性部件（13），其使用具有透光性的树脂粘接在芯片的背面（12b）与支撑芯片的引线框（11）之间，且使从发光层出射的光透过。根据该结构，由于在具有发光层的芯片的背面侧具有使从发光层出射的光透过的透光性部件，因而可将在与引线框的界面反射并回到发光层的光的比例抑制得低，可提高光的取出效率。
发光二极管

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