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[发明专利]一种IGBT模块焊接用模具及其使用方法-CN202310983874.2在审
发明人：张杰夫;吴飞 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块焊接用模具及其使用方法，模具包括操作台，操作台的上方固定有加热板，模具还包括用于固定铜底板的第一固定件，操作台的一侧固定有上料件，模具还包括用于固定DBC板的第二固定件。本发明模具上的第一固定件能够固定任意型号的铜底板，上料件能够同时固定多个任意型号的DBC板，完成对任意型号IGBT模块的焊接，因此该模具具有较高的适用范围，能够在IGBT模块焊接焊接时节约成本；通过上料件和第一固定件配合能够将铜底板放置在加热板的中心，便于在焊接DBC板时对焊接位置进行定位；能够根据需要调整凸台的位置使得DBC板上的每个卡口均对应一个凸台，使得该上料件不仅能够实现对任意DBC板的固定，还能够根据需要调整DBC板之间的间距。
一种 igbt 模块焊接模具及其使用方法

[实用新型]功率模块-CN202321333770.9有效
发明人：张杰夫;范鑫 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率模块，包括PCB板、组装于所述PCB板上的功率芯片、用于检测所述功率芯片工作时的实际工作温度并将所述实际工作温度传输给对应外接的外部温度分析装置的温度检测元件以及由导热不导电材料制成且包裹于所述温度检测元件外部的电绝缘结构，由所述电绝缘结构包裹住的所述温度检测元件贴合固定于所述功率芯片的顶面。本实施例通过在温度检测元件外部包裹电绝缘结构，并将包裹有电绝缘结构的所述温度检测元件贴合固定于所述功率芯片的顶面，利用电绝缘结构实现功率芯片和温度检测元件之间的绝缘隔离，且温度检测元件固定在功率芯片的顶面，两者距离非常近，温度检测元件也能更加精确的检测出功率芯片工作时的实际发热温度。
功率模块

[实用新型]用于功率模块的电路外接结构-CN202321185168.5有效
发明人：张杰夫;范鑫 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种用于功率模块的电路外接结构，包括相互对接固定的第一电极片和第二电极片，所述第一电极片和第二电极片两者中的一个用于与外部电路相连而另一个用于与功率模块的内部电路相连，所述第一电极片的对接端设有在对接端一个侧面形成插口的插槽，所述第二电极片的对接端形成有厚度与所述插槽的宽度相适配的插接片，所述插接片对应从所述插口插入所述插槽内并由所述插槽的相对两侧槽侧壁夹紧固定。本实施例中能有效减小接触电阻，降低电路损耗。
用于功率模块电路外接结构

[实用新型]用于大电流驱动的三相全桥功率模块及其电源驱动电路-CN202222930501.2有效
发明人：张杰夫;黄少荣 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种用于大电流驱动的三相全桥功率模块及其电源驱动电路，所述电路包括：包括变压器，变压器包括一个初级绕组和一个第一次级绕组，第一次级绕组连接有三条第一驱动支路，第一驱动支路包括两端分别连接第一次级绕组的同名端和下桥臂中对应一个IGBT单元的第一正向电源端口的第一正向电源线路、两端分别连接第一次级绕组的异名端和下桥臂中对应一个IGBT单元的第一负向电源端口的第一负向电源线路以及分别与第一正向电源线路和第一负向电源线路相连的第一接地端；第一正向电源线路中设置有第一隔离元件，第一负向电源线路中设置有第二隔离元件。本实施例能有效实现下桥臂共用变压器同一次级绕组的各个IGBT器件的驱动隔离。
用于电流驱动三相功率模块及其电源电路

[实用新型]继电器触点状态检测电路-CN202220278914.4有效
发明人：张杰夫;夏文锦 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种继电器触点状态检测电路，包括：电压变换模块，包括具有初级绕组、次级绕组和辅助绕组的变压器以及电源管理单元；检测模块，包括光电耦合器、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，其中，光电耦合器内的二极管的正极通过第一电阻R1连接至待测继电器K触点的供电端，第一供电端口通过第二电阻R2连接至待测继电器K触点的供电端，光电耦合器内的二极管的负极和光电耦合器内的三极管的发射极均连接至接地端，光电耦合器内的三极管的集电极通过第三电阻R3连接至第二供电端口；以及微控制器，微控制器的电平输入端与光电耦合器内的三极管的集电极相连。本实施例检测安全性高，能准确判断继电器触点状态。
继电器触点状态检测电路

[实用新型]预成型连接孔及功率模块-CN202021400995.8有效
发明人：张杰夫;夏文锦;宋贵波;许建平 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种预成型连接孔及功率模块，预成型于两个待连接的基体中的至少一个上，用于与自攻螺丝配合连接所述两个基体，所述预成型连接孔包括自一端孔口向内延伸预定深度且孔径与所述自攻螺丝的杆身外径相适配从而定向引导所述自攻螺丝的引导段。通过引导段对自攻螺丝的杆身加以引导和限位，防止自攻螺丝在攻孔时产生歪斜。
成型连接功率模块

[实用新型]功率模块-CN202021229816.9有效
发明人：张杰夫;夏文锦;宋贵波 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接；所述电极压块用于与另一块双面覆铜板的覆铜层抵接的一面凸起形成有多个锥刺部，所述锥刺部的表面硬度大于所述覆铜层的表面硬度，两块双面覆铜板压接时，所述电极压块与所述覆铜层抵接，所述锥刺部刺入覆铜层内部。通过电极压块与双面覆铜板抵接时以锥刺部刺入覆铜层，使电极压块与双面覆铜板之间的连接更加紧密。
功率模块

[实用新型]功率模块-CN202021210881.7有效
发明人：张杰夫;夏文锦;宋贵波 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过具有预定塑性变形能力的电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接，两块双面覆铜板压接时，所述电极压块受到所述双面覆铜板挤压发生塑性变形与覆铜层紧密结合。通过两块双面覆铜板压接时电极压块发生塑性变形，填充电极压块与覆铜层之间的间隙，使电极压块与双面覆铜板之间的连接更加紧密。
功率模块

[实用新型]功率模块-CN202021211474.8有效
发明人：张杰夫;夏文锦;宋贵波 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率模块，包括两块层叠压接的双面覆铜板，每一块所述双面覆铜板的朝向另一块双面覆铜板的一侧表面上均设置有至少一个功率元件，所述功率元件的外表面通过电极压块与另一块所述双面覆铜板的覆铜层抵接，所述电极压块朝向所述功率元件一侧表面设置具有预定塑性变形能力的结合层，两块双面覆铜板压接时，所述结合层受到所述电极压块和所述功率元件挤压发生塑性变形与所述功率元件紧密贴合。通过两块双面覆铜板压接时，结合层受到电极压块与功率元件挤压发生塑性变形，填充了电极压块与功率元件之间的间隙，使电极压块与功率元件之间的连接更加紧密。
功率模块

[实用新型]功率半导体模块-CN202020122278.7有效
发明人：张杰夫;宋贵波;邓海明;夏文锦 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体模块，包括外壳、组装于所述外壳内部的功率器件以及由金属材料制成并安置于所述外壳底部的散热底板，所述外壳的一侧设置有若干个安装槽，所述功率器件与所述散热底板相贴合，所述安装槽内还组装有内端与所述功率器件电连接而外端用于与外部导电片对接的接线端子，所述散热底板以相应侧的板侧面对接于所述外壳设置有安装槽的一侧侧壁的内壁中部，所述侧壁的底面与散热底板底面之间的侧壁部分构成绝缘隔离部，所述绝缘隔离部具有使外部导电片与散热底板充分电绝缘的预定高度。本实用新型实施例通过设置绝缘隔离，能够有效避免绝缘故障的发生。
功率半导体模块

[实用新型]功率半导体器件液冷装置-CN202020135043.1有效
发明人：张杰夫;宋贵波 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体器件液冷装置，包括供冷却液定向流动的流道以及一侧与功率半导体器件的发热元件贴合且另一侧插入流道内以与流道内的冷却液进行热交换的散热器，所述流道包括与散热器对应扣合形成密封腔的主槽以及形成于主槽的槽端壁上供冷却液流通的通孔，主槽的相对两槽侧壁上还形成有若干条向主槽内部凸出呈长条状且自槽底壁向侧壁顶缘延伸的扰流体，主槽的槽底壁上设置有多个向主槽内部凸出的阻流体。本实用新型实施例通过在流道的主槽的相对两槽侧壁上设置扰流体并在槽底壁设置阻流体，能够对流经主槽的冷却液体产生更强的扰流效果，使冷却液体与散热器之间得到充分的热交换，有效提高冷却的效率。
功率半导体器件装置

[实用新型]功率半导体器件及其外壳-CN202020116592.4有效
发明人：张杰夫;宋贵波;邓海明;夏文锦 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体器件及其外壳，所述外壳包括壳主体以及自壳主体一侧凹陷形成且用于对应容纳与外部电极对接的接线端子和螺母的安装槽，所述安装槽相对两侧壁对应于螺母安置位置处分别成型有向安装槽内部凸出的卡条，两卡条之间的相对距离小于所述螺母的相对两侧壁之间的距离而能从相对两侧弹性抵压定位于所述安装槽内的螺母的相对两侧壁。本实用新型实施例通过在功率半导体器件外壳连接部的安装槽内壁上设置卡条，能够将安装与安装槽内的螺母进行良好的固定，并且结构简单，能适用于多种规格的功率半导体器件外壳。
功率半导体器件及其外壳

[实用新型]功率半导体器件-CN202020077445.0有效
发明人：张杰夫;宋贵波 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体器件，包括一侧开口的外壳、组装于所述外壳内部的基板、组装于所述基板一侧表面的半导体芯片以及遮盖所述外壳的开口的散热底板，所述基板背离所述半导体芯片的一侧表面贴合于所述散热底板上，所述散热底板由铜材料制成的焊接层与铝材料制成的散热层层叠组成，所述外壳倒扣于所述焊接层上且所述基板焊接固定于所述焊接层表面。本实用新型实施例通过在外壳开口处设置散热底板，通过散热底板与基板相连来将半导体芯片工作时的热量散发出去，散热底板采用铜材料与铝材料层叠的两层结构，在保证散热性能的同时节约成本。
功率半导体器件

[发明专利]散热装置-CN201210119521.X无效
发明人：张巍巍 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种散热装置，包括散热板、进水外接端口、出水外接端口、一主流进水管道及一主流出水管道，所述进水外接端口及出水外接端口分别与主流进水管道及主流出水管道的一端相连通，其特征在于：所述主流进水管道及主流出水管道的另一端均密封，所述散热装置还包括若干分流管道，每一分流管道的两端分别与主流进水管道及主流出水管道相连通。上述散热装置具有较高的散热效率。
散热装置

[发明专利]快恢复二极管及制作该二极管的方法-CN201210077697.3有效
发明人：贾会霞 -专利权人： 深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度，所述第一N型掺杂半导体层的宽度为5μm至50μm、掺杂浓度为5e12/cm3-5e14/cm3。上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。本发明还提供了一种快恢复二极管的制作方法。
恢复二极管制作方法

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