本公开提供一种三维AND快闪存储器(3D AND Flash)元件,包括:栅极堆叠结构,设置于介电基底上,且包括多层栅极层与多层绝缘层彼此交互堆叠;通道柱贯穿所述栅极堆叠结构;第一导体柱以及第二导体柱设置于所述通道柱内并贯穿所述栅极堆叠结构,其中所述第一导体柱与所述第二导体柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接;电荷存储结构设置于所述多个栅极层与所述通道柱的侧壁之间;以及保护盖至少覆盖在所述通道柱的顶面上,隔离所述第一导体柱与所述多个栅极层的顶栅极层,且隔离所述第二导体柱与所述多个栅极层的所述顶栅极层。