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[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202211630610.0在审
发明人：斋藤雄太;森伸二;山下博幸;永嶋贤史;松尾和展;高桥恒太;樫山翔太;泽敬一;金山纯一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式提供一种能提高特性的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，包含硅(Si)；第1绝缘层，设置在半导体层的第1方向；第2绝缘层，在与第1方向垂直的第1剖面中，由半导体层包围，包含硅(Si)及氧(O)；第3绝缘层，在第1剖面中由第2绝缘层包围，包含金属元素及氧(O)；及导电层，在与第1方向垂直的第2剖面中，由第1绝缘层包围，设置在第3绝缘层的第1方向，与半导体层分开。
半导体装置存储

[发明专利]半导体存储装置-CN201910085556.8有效
发明人：山下博幸;森伸二;泽敬一;松尾和展;松田和久;斋藤雄太;高桥笃史;田中正幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：实施方式提供一种可靠性提高了的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极之间；第2绝缘层，设置于第1绝缘层与栅极电极之间；区域，设置于第1绝缘层与第2绝缘层之间，且包含金属或半导体；以及覆盖层，包围区域，且包含硅以及氮。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202211006451.7在审
发明人：侧濑聪文;黄河;坂田敦子;神谷优太;松尾和展;泽敬一;高桥恒太;虎谷健一郎;刘益民 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：实施方式提供能降低导通电阻的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其将氧化物半导体层包围；栅极绝缘层，其设置在栅电极与氧化物半导体层之间；第1绝缘层，其设置在第1电极与栅电极之间；以及第2绝缘层，其设置在第2电极与栅电极之间，在与从第1电极朝向第2电极的第1方向平行的截面中，将连结第1电极与第1绝缘层的界面的第1端部和第2电极与第2绝缘层的界面的第2端部的方向定义为第2方向，在截面中，氧化物半导体层的第1部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第1电极之间，在截面中，氧化物半导体层的第2部分在第2方向上设置在栅极绝缘层与第2电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210077247.8在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110256127.X在审
发明人：守田峻海;大口寿史;泽敬一;山下博幸;柳瀬俊晃;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施方式提供一种能够提高通道半导体层的性能的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底及多个电极层，所述多个电极层在与所述衬底的表面垂直的第1方向上相互隔开设置。进而，所述装置具备依次设置在所述电极层的侧面上的第1绝缘膜、电荷累积层、第2绝缘膜、包含硅的第1半导体区域、及包含硅与碳的第2半导体区域，所述第1半导体区域与所述第2绝缘膜的界面包含氟。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202010894858.2在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;侧濑聡文 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1金属区域，设置于第1电极与第2电极之间，且包含选自由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、及锡(Sn)所组成的群中的至少一种金属元素；第2金属区域，设置于第1金属区域与第2电极之间，且包含至少一种金属元素；半导体区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且包含至少一种金属元素及氧(O)；绝缘区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且被半导体区域包围；栅极电极，包围半导体区域；及栅极绝缘层，设置于半导体区域与栅极电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010152295.X在审
发明人：斋藤雄太;森伸二;高桥笃史;柳瀬俊晃;泽敬一;松尾和展;山下博幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜。所述半导体层包围将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，所述半导体层内的至少1个晶粒具有包围所述第3绝缘膜的形状。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法和制造装置-CN201410018468.3有效
发明人：村越笃;泽敬一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。
非易失性半导体存储器件及其制造方法装置

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