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[实用新型]一种高密度静态随机存储器-CN202222279317.6有效
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及存储器技术领域，尤指一种高密度静态随机存储器。包含：静态随机存储器单元、互连导线结构，以及地址译码电路、灵敏放大器电路、控制电路、驱动/缓存电路和其他电路。所述静态随机存储单元由二维半导体晶体管组成，并在垂直于衬底的方向上多层堆叠，通过互连导线结构实现层内或层间的连接。本实用新型能够在保证静态随机存储器性能的前提下，提高其存储密度，降低成本。
一种高密度静态随机存储器

[发明专利]一种射频能量的采集器、采集器模组以及供电电路-CN202211112918.6在审
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;李泽;简红 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02J50/27 文献下载
摘要：本发明涉及能量采集技术领域，尤指一种射频能量采集器，至少包含射频能量接收器、射频能量转换器。射频能量转换器包含射频能量转换单元，射频能量转换单元包括磁性自旋阀和半导体霍尔条。半导体霍尔条包括霍尔条主体以及位于霍尔条主体两侧的第一霍尔电压引脚和第二霍尔电压引脚，磁性自旋阀在半导体霍尔条处产生随时间振荡变化的垂直磁场，半导体霍尔条再结合流通于其内的射频电流产生直流电压，直流电压通过第一霍尔电压引脚和第二霍尔电压引脚导出。同时，本发明还提供一种射频能量采集器模组，以及利用射频能量的供电电路。本发明对于微弱的射频能量输入仍能够高效率地实现能量转换，极大地提高了对环境中射频能量的采集和利用能力。
一种射频能量采集模组以及供电电路

[发明专利]用于近似计算的磁性存储芯片、模组及系统级封装芯片-CN202210732756.X有效
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，公开了一种用于近似计算的磁性存储芯片、模组以及系统级封装芯片。所述磁性存储芯片包括若干存储区块，所述存储区块包括存储阵列、读电路、写电路和/或地址译码电路；所述磁性存储模组或系统级封装芯片包括若干所述磁性存储芯片、控制电路以及模组数据接口电路。所述磁性存储芯片中的每个存储区块配置的写电路和/或读电路相互独立，且各个写电路和/或读电路基于预设应用场景独立设置电流幅度和/或脉宽，使得不同存储区块具有不同的错码率，在不影响近似计算结果的情况下降低系统的计算功耗和成本，提高计算速度。
用于近似计算磁性存储芯片模组系统封装

[发明专利]一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器-CN202210257216.0有效
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤指一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器，至少包括半导体存取晶体管、垂直磁化的磁性隧道结和互连导线结构，所述磁性隧道结包括垂直磁化的磁性固定层，垂直磁化的磁性自由层，以及位于磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层；所述磁性自由层由垂直磁化的人工反铁磁结构组成，包含垂直磁化的第一磁性自由层，垂直磁化的第二磁性自由层，以及位于第一磁性自由层和第二磁性自由层之间的耦合层；所述半导体存取晶体管和磁性隧道结组成存储单元，磁性隧道结的高低电阻态代表所存储的数据；磁性隧道结的自由层包含垂直磁化的人工反铁磁结构。本发明能够增强磁性随机存储器的抗磁场干扰能力，提高产品的可靠性。
一种具有磁场干扰能力磁性随机存储器

[发明专利]一种高密度静态随机存储器-CN202111590506.9在审
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤指一种高密度的静态随机存储器。包含：由二维半导体晶体管组成的静态随机存储器单元、互连导线结构，以及地址译码电路、灵敏放大器电路、控制电路、驱动/缓存电路和其他电路。所述的存储单元在垂直于衬底的方向上可以多层堆叠，并通过互连导线结构实现层内或层间的连接。本发明能够在保证静态随机存储器性能的前提下，提高其存储密度，降低成本。
一种高密度静态随机存储器

[发明专利]非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元-CN202110636393.5在审
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元，包括以下步骤；在晶圆上沉积介质层1，并通过刻蚀方法在介质层1中形成深槽；在深槽内填充介质层2，并进行平坦化处理；通过刻蚀方法在介质层1和介质层2中形成磁性纳米线赛道模板；通过选择性原子层沉积的方法在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道；完成读器件和写器件的制备，本发明通过刻蚀和沉积工艺形成沉积纳米线赛道所需的介质模板，然后通过选择性的原子层沉积方法形成磁性纳米线赛道，从而实现高深宽比，且不对磁性纳米线赛道的材料特性造成破坏,能制备具有高深宽比的磁性纳米线赛道，且制备过程中不需要对磁性纳米线赛道的磁性材料进行刻蚀，避免了刻蚀工艺引起的性能退化。
非易失磁性存储器制作方法单元

[发明专利]新型存储器测试结构-CN202110013169.0在审
发明人：刘瑞盛;蒋信;喻涛 -专利权人： 波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型存储器测试结构，该测试结构插放于晶圆划片槽区域内，包括：测试结构存储位元阵列，所述测试结构存储位元阵列与正常芯片区域的存储位元阵列的部分或全部结构一致且具有相同的工艺流程；寻址编译器，排布于所述测试结构存储位元阵列周围，包括字线寻址编译器和节线寻址编译器，其中字线寻址编译器连接存储位元阵列中的字线，每一列的存储位元共用一条字线；节线寻址编译器连接存储位元阵列的节线，每一行的存储位元共用同一条节线。该测试结构可以有效地监控存储芯片区域中器件的工艺特征以及各项性能，从而帮助提高芯片性能，均一性以及可靠性。
新型存储器测试结构