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[发明专利]一种Si基InGaAs光电探测器的制备方法及光电探测器-CN202010507124.4有效
发明人：欧欣;池超旦;林家杰;游天桂 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si基InGaAs光电探测器的制备方法，包括以下步骤：获取III‑V族化合物半导体衬底；在所述III‑V族化合物半导体衬底上生长厚度为200纳米‑400纳米的相应的牺牲层；在所述牺牲层上生长厚度为30纳米‑2000纳米的应变InxGa(1‑x)As层；注入H或He离子到所述牺牲层中；采用离子束剥离方法将所述InxGa(1‑x)As层与N+掺杂的Si片键合并进行退火剥离处理，形成Si/InxGa(1‑x)As/损伤层结构；去除所述损伤层，所述InxGa(1‑x)As层弹性弛豫，得到InxGa(1‑x)AsOI。本发明在硅上键合一层晶格常数异于常规III‑V化合物半导体衬底的InxGa(1‑x)As，且该层InxGa(1‑x)As是没有非弹性弛豫的。通过离子束剥离方法或者选择性腐蚀方法制备出非常规晶格常数的III‑V衬底。
一种 si ingaas 光电探测器制备方法

[发明专利]一种基于侧边耦合光子晶体的IQ调制器-CN202310674920.0在审
发明人：熊祎缇;池超旦;万萦菲;刘奕利;师艳辉;尹坤;吉晨 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于侧边耦合光子晶体的IQ调制器，包括：1×2多模干涉耦合器、2个侧边耦合光子晶体调相模块、2个热光移相器、2段纳米线波导、2×1多模干涉耦合器，所述纳米线波导穿过侧边耦合光子晶体调相模块和侧边耦合光子晶体调相模块，一端连接1×2多模干涉耦合器，另一端连接2×1多模干涉耦合器；所述侧边耦合光子晶体调相模块包括光子晶体微腔；所述光子晶体微腔的传输谱在特定工作波段处呈现一个低谷状态，形成调相所需的“0”状态，在其他大部分波段处呈现水平的通光状态，形成调相所需的“1”状态，大大提高了光子晶体通光效率。本发明提供的IQ调制器具有通光效率高、尺寸小、调制带宽高的特性，易于光电子器件高度集成。
一种基于侧边耦合光子晶体 iq 调制器

[发明专利]用于液相生物检测的太赫兹微流控片上系统-CN202210642634.1有效
发明人：彭张皖;熊婉姝;李玉苗;郭乾文;姚偌云;吉晨;池超旦 -专利权人：浙江大学;之江实验室
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液相生物检测的太赫兹微流控片上系统，该系统包括：集成设置的太赫兹光子芯片和微流体装置。太赫兹光子芯片包括集成设置在光子集成芯片基底上的两个连续可调的半导体激光器、耦合器和光混频器，其中，激光器的输出端与耦合器的输入端连接，用于产生两路波长不同的激光；耦合器的输出端与光混频器的输入端连接，用于将两路波长不同的激光合波；光混频器内部集成了太赫兹天线，用于将合波后的两路激光拍频并产生太赫兹波辐射至微流体装置中的样品探测区。微流体装置用于注入、传输及排出待测液相生物样品。该系统结构简单、体积较小、生产成本较低且降低了太赫兹波传播损耗，可以直接获取更加全面的太赫兹波频域光谱。
用于相生检测赫兹微流控片上系统

[发明专利]一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片-CN202310040416.5在审
发明人：万萦菲;吉晨;郭清水;王启超;熊祎缇;池超旦;刘奕利 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04B10/524 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片，包括半导体材料基底及集成在基底上的分布式反馈激光器、第一马赫曾德尔调制器、第二马赫曾德尔调制器、半导体光放大器、1×m多模干涉耦合器、光延迟线阵列、马赫曾德尔调制器阵列和m×1多模干涉耦合器。第一马赫曾德尔调制器和第二马赫曾德尔调制器级联，用于将连续激光调制成周期可调的Nyquist光脉冲；1×m多模干涉耦合器将增益后的光脉冲等功率分为m路光脉冲信号，光延迟线阵列用于改变光脉冲信号的相对延时，m路光脉冲信号经马赫曾德尔调制器调制，并由m×1多模干涉耦合器合束。该芯片通过DFB激光器与两个马赫曾德尔调制器级联代替传统的锁模激光器作为片上OTDM光源，可实现高速OTDM信号传输。
一种基于 nyquist 脉冲单片集成 otdm 信号发生芯片