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[发明专利]舟搬入方法和热处理装置-CN202111176584.4在审
发明人：菱屋晋吾;池川宽晃;V·赫默尔;B·佐贝尔;孙成德 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。
舟搬入方法热处理装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910231945.7在审
发明人：羽根秀臣;大下健太郎;大槻志门;小川淳;吹上纪明;池川宽晃;小林保男;小山峻史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
氮化硅氮化膜基板成膜装置原料气体成膜吸附等离子体形成区域成膜处理氮化气体时间调整期望

[发明专利]成膜方法-CN201310712445.8有效
发明人：立花光博;池川宽晃;和村有;尾谷宗之;小川淳;高桥宏辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
方法

[发明专利]成膜方法-CN201310711879.6有效
发明人： 池川宽晃;上西雅彦;高桥宏辅;小堆正人;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
方法

[发明专利]处理被处理基板的半导体处理方法和装置-CN200480000802.7有效
发明人：古屋治彦;两角友一朗;池川宽晃;平山诚;伊藤勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
处理半导体方法装置