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[发明专利]一种双面半导体器件的QFN封装结构及方法-CN201410315879.9有效
发明人：倪侠 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面半导体器件的QFN封装结构，包括芯片及与其对接的框架，所述芯片在其与框架的接触面的侧边缘设有宽槽，在宽槽表面覆盖有玻璃钝化层；所述框架在其与芯片宽槽的内边对应的位置开有一定宽度的溢流槽；芯片和框架通过导电胶粘合，过量的导电胶置于溢流槽中。本发明还公开了一种双面半导体器件的QFN封装方法。本发明在芯片上设置宽槽结构，在框架上设置溢流槽结构，导电胶在溢料时会流入溢流槽，有效的防止了导电胶溢料时的短路问题；本发明的导电胶选择型号为京瓷2815A，在双面半导体器件为功率器件时，也能满足瞬时大电流的特殊工作状态需要。
一种双面半导体器件 qfn 封装结构方法

[实用新型]超低电容固体放电管-CN201320854955.4有效
发明人：倪侠 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种超低电容固体放电管，它包括上下两个硼基区P，在上下两个硼基区P内分别布置四个磷扩散区N+，形成元胞式阴极。本实用新型的上下两个硼基区P的外侧均设有金属层；在上下两个硼基区P内的磷扩散区N+等距分布；磷扩散区N+的结深为25~30μm；在上下两个硼基区P的结深均为10~15μm。本实用新型在原低电容结构设计基础上，将阴极调整为元胞式分布，提高每个元胞阴极的热沉周长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，降低结电容。
电容固体放电

[实用新型]大功率方片可控硅封装结构-CN201320861456.8有效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。本实用新型使用时，装配操作简易，相比于传统封装形式不良率降低一个数量级。
大功率可控硅封装结构

[发明专利]大功率方片可控硅封装结构-CN201310724868.1有效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。本发明使用时，装配操作简易，相比于传统封装形式不良率降低一个数量级。
大功率可控硅封装结构

[发明专利]超低电容固体放电管-CN201310718043.9在审
发明人：倪侠 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：种超低电容固体放电管，它包括上下两个硼基区P，在上下两个硼基区P内分别布置四个磷扩散区N+，形成元胞式阴极。本发明的上下两个硼基区P的外侧均设有金属层；在上下两个硼基区P内的磷扩散区N+等距分布；磷扩散区N+的结深为25~30μm；在上下两个硼基区P的结深均为10~15μm。本发明在原低电容结构设计基础上，将阴极调整为元胞式分布，提高每个元胞阴极的热沉周长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，降低结电容。
电容固体放电

[发明专利]带有复合钝化膜的大功率器件-CN201210046231.7无效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司;宜兴市东晨电子科技有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种带有复合钝化膜的大功率器件，在大功率器件的PN结表面，从内至外依次为多晶硅薄膜（1）、掺氧多晶硅薄膜SIPOS（2）、玻璃（3）和氧化硅薄膜（4）。本发明的带有复合钝化膜的大功率器件，相比于传统的PN结表面单一玻璃钝化防护层的结构，采用PN结表面多层防护结构，由于其对于界面所有电荷具有自动调节、补偿、屏蔽、消除作用，彻底消除了击穿电压突变现象，使器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下也能长时间工作；并且相比传统的PN结表面玻璃钝化层可提高PN结的击穿电压。
带有复合钝化大功率器件

[发明专利]大功率可控硅-CN201210046232.1无效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司;宜兴市东晨电子科技有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种大功率可控硅，它包括芯片（1）和三个引脚（2），所述的引脚（2）呈扁平状，各引脚（2）上均设有焊孔（3）；焊孔（3）为圆形或者椭圆形；芯片（1）和三个引脚（2）间由铜片连接。本发明的大功率可控硅,其芯片与引脚之间连接采用铜片通过烧结方式连接,引脚呈偏平状并且中间有焊接孔洞,焊接牢度强，这种电连接方式能承受长时间大电流冲击,可靠安全,连接简易方便。
大功率可控硅

[实用新型]ESD保护的功率MOSFET和IGBT-CN201020648105.5有效
发明人：钱梦亮;陈俊标 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型是对具有ESD保护功率MOSFET和IGBT改进，ESD保护单元由多晶硅二极管组及下方N-外延层中体硅二极管组成的双重保护结构，所说多晶硅二极管组中各P型区及N型区浓度，分别与功率MOSFET和IGBT的P阱浓度及N+源相同，构成P-/N+多晶硅二极管组，所说体硅二极管由N+/P-区/P+结构组成。使得ESD保护具有双重结构，相同面积下增加了ESD泄放通道，ESD泄放能力更强，芯片利用率提高，以及可使二极管个数增加泄漏电流降低，较好协调了ESD保护效果与栅源间泄漏电流关系。此结构还可以使其成为与功率MOSFET和IGBT的P阱与N+源为同一制造层，可以通过同一道离子注入工序完成，不需要额外工序，使得制造工艺简化，成本降低。
esd 保护功率 mosfet igbt

[实用新型]大功率可控硅-CN201220066057.8有效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司;宜兴市东晨电子科技有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种大功率可控硅，它包括芯片（1）和三个引脚（2），所述的引脚（2）呈扁平状，各引脚（2）上均设有焊孔（3）；焊孔（3）为圆形或者椭圆形；芯片（1）和三个引脚（2）间由铜片连接。本实用新型的大功率可控硅,其芯片与引脚之间连接采用铜片通过烧结方式连接,引脚呈偏平状并且中间有焊接孔洞,焊接牢度强，这种电连接方式能承受长时间大电流冲击,可靠安全,连接简易方便。
大功率可控硅

[实用新型]带有复合钝化膜的大功率器件-CN201220066058.2有效
发明人：许志峰 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司;宜兴市东晨电子科技有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种带有复合钝化膜的大功率器件，在大功率器件的PN结表面，从内至外依次为多晶硅薄膜（1）、掺氧多晶硅薄膜SIPOS（2）、玻璃（3）和氧化硅薄膜（4）。本实用新型的带有复合钝化膜的大功率器件，相比于传统的PN结表面单一玻璃钝化防护层的结构，采用PN结表面多层防护结构，由于其对于界面所有电荷具有自动调节、补偿、屏蔽、消除作用，彻底消除了击穿电压突变现象，使器件在高温、高湿、强电场等恶劣条件下也能长时间工作；并且相比传统的PN结表面玻璃钝化层可提高PN结的击穿电压。
带有复合钝化大功率器件

[发明专利]ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法-CN201010579028.7无效
发明人：钱梦亮;陈俊标 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是对具有ESD保护功率MOSFET或IGBT改进，其特征是ESD保护单元由多晶硅二极管组及下方N-外延层中体硅二极管组成的双重保护结构，所说多晶硅二极管组中各P型区及N型区浓度，分别与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度及N+源相同，构成P-/N+多晶硅二极管组，所说体硅二极管由N+/P-区/P+结构组成。使得ESD保护具有双重结构，相同面积下增加了ESD泄放通道，ESD泄放能力更强，芯片利用率提高，以及可使二极管个数增加泄漏电流降低，较好协调了ESD保护效果与栅源间泄漏电流关系。此结构还可以使其成为与功率MOSFET或IGBT的P阱与N+源为同一制造层，可以通过同一道离子注入工序完成，不需要额外工序，使得制造工艺简化，成本降低。
esd 保护功率 mosfet igbt 制备方法

[实用新型]带悬浮发射区的功率晶体管-CN201120257627.7有效
发明人：严研;刘绪强 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区（3），基区（3）内设有发射区（2），在基区（3）内，基区（3）和发射区（2）之间设有悬浮发射区（1）；发射区（2）的结深为10±2μm；悬浮发射区（1）的宽度为15-20μm。当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均匀性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。
悬浮发射功率晶体管

[实用新型]带有离子注入区的固体放电管-CN201120258026.8有效
发明人：贺子龙 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种带有离子注入区的固体放电管，该固体放电管从下至上依次为衬底（3）、基区（2）和发射区（1），在衬底（3）和基区（2）之间设有离子注入区（4），离子注入区（4）在基区（2）范围内，其深度超过基区（2）。本实用新型的离子注入区对于硅片的电阻率进行了重新调节，由于本身离子注入工艺掺入扩散杂质的片内和片间一致性较好，可以解决一致性问题，电压的离散性大大降低；另外，设定不同的注入剂量又可以解决不同击穿电压规格的问题，不需要对硅片进行电阻率分档。
带有离子注入固体放电

[实用新型]硅片抛光盘-CN201020554467.8有效
发明人：严研;储小飞 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2010-09-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B24D13/14 文献下载
摘要：本实用新型是对电子材料例如硅片抛光盘的改进，其特征是抛光盘至少粘贴硅片部位厚度方向有多个孔径不大于2mm的排蜡孔。使得在蜡熔融粘片时，多余的蜡得以通过通孔排出，抛光盘底层蜡不会太厚，自流导致粘结蜡层均匀平整，从而保证了固定粘片的高度平整，极大提高了研磨抛光硅片的平整度，不平整度可以做到不大于4-8μm，满足了现代对抛光硅片高平整度要求，由此提高了所做芯片的电压一致性，简便解决了因蜡层厚度不易均匀导致的硅片不平整的问题。
硅片抛光

[发明专利]低电容过电压保护模块-CN200910034049.8无效
发明人：王全 -专利权人： 江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明是对通讯用抗浪涌保护器件——低电容过电压保护模块的改进，其特征是固体放电芯片一端串接3个负极相并的二极管，另一端串接3个正极相并的二极管，并且固体放电芯片一端的一个二极管与另一端的一个二极管相联形成至少三个输出端。从而使得保护模块由二端保护结构变为三端保护结构，能够用于三端保护线路，并且保持了原二端结构的低电容特性，不会因降低极间电容，而导致电性能的下降，保护功能减弱。分别较二端结构和三个固体放电芯片组合结构，可以降低成本60％以上，和40％以上，并且可以实现小体积化。是一种含盖低频通讯和高频、宽带通讯新型低电容过电压保护模块，扩大了半导体抗浪涌器件使用范围。
电容过电压保护模块

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