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[发明专利]半导体表面缺陷的处理方法和半导体器件的制备方法-CN202011541065.9在审
发明人： 江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：该发明公开了一种半导体表面缺陷的处理方法和半导体器件的制备方法，所述半导体表面缺陷的处理方法包括：将半导体器件置于等离子体处理设备内，所述半导体器件包括衬底和形成在所述衬底表面的沉积层，所述沉积层形成有气泡；对所述沉积层表面进行等离子体轰击以将所述气泡击破，使得所述沉积层表面平整。根据本发明实施例的半导体表面缺陷的处理方法，能够使得半导体表面更加平整且能够提高半导体器件的良率。
半导体表面缺陷处理方法半导体器件制备

[发明专利]膜层沉积装置及膜层沉积方法-CN201911011931.0在审
发明人： 江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本发明一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
沉积装置方法

[实用新型]膜层沉积装置-CN201921792439.7有效
发明人： 江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本实用新型一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
沉积装置

[实用新型]一种压剪试验机的静压测试装置-CN201320476899.5有效
发明人：奚勇;金春星;张翼飞;刘洪涛;王仙;江向红;王锡志;李强 -专利权人：浙江中重精工机械有限公司;安徽省公路工程检测中心
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压剪试验机的静压测试装置，其包括机架、立柱、主油缸、主活塞杆、上压板、导轨、下压板、垫板、压力传感器、升降导轨以及升降油缸；其中，所述立柱竖直设置于机架上；所述主油缸固持于立柱的顶部；所述主活塞杆和主油缸配合，并由主油缸驱动而上下升降；所述上压板固持于主活塞杆的底部；所述导轨水平设置于机架的一侧；所述下压板设置于导轨上，并能沿导轨运动而与上压板相对设置；所述压力传感器设置于机架上，所述垫板支承于压力传感器上；所述升降导轨设置于垫板的两侧；所述升降油缸连接并驱动升降导轨上下升降。本实用新型的压剪试验机的静压测试装置具有结构简单、样品输送方便且产生压力稳定等诸多优点。
一种试验静压测试装置