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[发明专利]一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法-CN202211704967.9有效
发明人：刘海生;刘兴强;段鑫沛;廖蕾;邹旭明 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
一种含有硅氧烷聚氨酯树脂微胶囊及其制备方法

[发明专利]一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法-CN202210088228.5有效
发明人：刘海生;刘兴强;段鑫沛;林均;于致铭;罗鹏飞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
一种突变 nn 型结型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]范德华间隙场效应晶体管及其制备方法-CN202210358434.3在审
发明人：罗鹏飞;段鑫沛;刘兴强;廖蕾;林均;洪若豪 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。
范德华间隙场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管及其制备方法-CN202110883169.6在审
发明人：刘兴强;廖蕾;段鑫沛;林均;张明亮 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。
基于二维尺寸裁剪肖特基栅场效应晶体管及其制备方法