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[发明专利]一种HEMT器件及其制作方法、电子设备-CN202180088326.2在审
发明人：胡彬;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种HEMT器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以解决制作HEMT器件时，在SiC衬底或Si衬底上生长GaN外延层，导致的晶格失配较大，同时可以解决在GaN衬底上生长GaN外延层，导致的生产成本较高的问题。HEMT器件的制作方法包括在临时载体上形成外延结构；外延结构包括层叠设置的第一外延层和第二外延层，第一外延层相对于所第二外延层靠近临时载体；第一外延层的材料和第二外延层的材料不相同；将外延结构从临时载体上剥离；将外延结构键合在衬底上；第一外延层相对于第二外延层靠近衬底；衬底的材料和第一外延层的材料不相同，第一外延层和临时载体的晶格失配度小于第一外延层和衬底的晶格失配度。
一种 hemt 器件及其制作方法电子设备

[发明专利]一种集成电路、功率放大器及电子设备-CN202080108231.8在审
发明人：丁瑶;胡彬;赫然;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种集成电路、功率放大器及电子设备，涉及半导体技术领域，实现了一种基于新型复合衬底的集成电路，有效控制了成本。该衬底用于晶体管，包括衬底，其中衬底上覆盖有晶体管，衬底包括：第一材料层以及覆盖于第一材料层上的第二材料层，其中，晶体管覆盖在第二材料层上；第二材料层包含碳化硅SiC，第二材料层与第一材料层的材料的电阻率不同。
一种集成电路功率放大器电子设备

[发明专利]一种衬底及功率放大器件-CN202080103586.8在审
发明人：胡彬;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种衬底及功率放大器件，涉及半导体技术领域，实现了一种新型的复合衬底，降低了晶体管对碳化硅半导体衬底的依赖，有效控制了成本。该衬底用于晶体管，其中晶体管的外延结构生成于衬底上，衬底包括：基底以及形成于基底上的第一外延层，第一外延层为半导体；其中，基底以及第一外延层包括SiC材料；第一外延层采用过渡金属掺杂。
一种衬底功率放大器

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202080102849.3在审
发明人：胡彬;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底，以及位于衬底上的外延层和电极，其中衬底中具有纵向贯穿衬底的金刚石结构，金刚石结构在纵向上可以分为第一金刚石部分和第一金刚石部分下方的第二金刚石部分，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，由于金刚石结构的导热性能好，贯穿衬底的金刚石结构可以构成纵向的导热通道，提高半导体器件的散热性能，利于半导体器件的高功率性能的有效发挥。此外，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，则利于控制第一金刚石部分和第二金刚石部分的结构，同时可以兼顾散热性能和外延层之间的晶格匹配，利于得到更高质量的外延层，利于得到高性能的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法