|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 160个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种废旧三元正极材料的高压碱浸回收工艺及其设备-CN202310530154.0在审
-
明磊;叶隆;欧星
-
中南大学
-
2023-05-12
-
2023-07-04
-
C22B26/12
- 本发明属于锂离子电池回收领域，具体涉及一种废旧三元正极材料的高压碱浸回收工艺及其设备。一种废旧三元正极材料的高压碱浸回收工艺及其设备，具体包括以下步骤：将一定浓度的氨水、铵盐以及待回收的废旧三元正极粉末物料和辅料还原剂加入至高压碱浸槽内；在第一反应槽内，通过结合升温和惰性气体的加入，实现对腔体内部压力的控制，反应一定时间；待反应结束后，打开浸出液排出口使其进入第二反应槽腔体，浸出渣则沉至底部并周期性放出清理；往第二反应槽内补充适量的金属硫酸盐，并采用合适的碱液调节pH值，完成共沉淀过程，制备三元正极前驱体材料。本发明利用高压反应环境，极大地减少碱性原料的使用，并增加反应速率和单批处理量，有效提高碱法工艺的处理效率；利用浸出液组分与前驱体制备液的相似性，结合改进后的高压碱浸槽，实现碱浸回收和共沉淀的一体化过程。
- 一种废旧三元正极材料高压回收工艺及其设备
- [发明专利]一种废旧钴酸锂正极材料的回收再生工艺-CN202310330460.X在审
-
欧星;龚海强;明磊
-
中南大学
-
2023-03-31
-
2023-06-30
-
C01G51/00
- 本发明提出一种废旧钴酸锂正极材料的回收再生工艺，属于锂离子电池回收领域。一种废旧钴酸锂正极材料的回收再生工艺，具体过程为：将废旧钴酸锂正极材料粉末，配以少量盐酸和氯化铵进行湿磨反应；湿磨产物经过还原氨浸后得到富锂钴浸出液；加入适量碳酸盐，过滤得到碳酸锂和碳酸钴的混合物；补充相应的锂盐或钴盐至Li:Co的摩尔比为1.05:1，并通过高温固相法再生钴酸锂正极材料。本发明借助少量酸性溶液在球磨时对废旧钴酸锂的单晶结构进行破坏，极大强化后续氨浸步骤的浸出速率，并结合氨浸工艺具备金属选择性浸出的特性，避免杂质元素进入浸出液，实现对锂钴的高效选择性提取，大大地缩短了材料再生流程。
- 一种废旧钴酸锂正极材料回收再生工艺
- [发明专利]一种高压钴酸锂的制备方法-CN202310286198.3在审
-
欧星;徐伟;张宝;明磊
-
中南大学
-
2023-03-23
-
2023-06-23
-
C01G51/00
- 本发明属于钠离子电池材料技术领域，公开了一种高压钴酸锂的制备方法，主要包括以下步骤：首先将钴源、铵盐、镍盐同时加入反应釜中，进行共沉淀反应。反应至一定程度后，再改加铝源，继续反应至一定尺寸后，继续同时加入铝源、镍源、钴源，反应后即可得内部碳酸钴镍，中部碳酸钴铝，最外层碳酸钴铝镍的核壳型前驱体材料。将前驱体和锂源按一定比例混合，在空气或氧气中煅烧，得到掺杂型钴酸锂。本发明制备的掺杂型钴酸锂材料颗粒尺寸一致，元素分布均匀，充分证明了合成工艺的可行性。本工艺方法流程简单、原料易得，改性效果较好，具有一定的参考和实用价值。
- 一种高压钴酸锂制备方法
- [发明专利]一种氧缺陷型镍钴酸锂复合改性三元正极材料的制备方法-CN202211094819.X在审
-
欧星;肖志明;明磊
-
中南大学
-
2022-09-05
-
2023-05-16
-
H01M4/62
- 本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种氧缺陷型镍钴酸锂复合改性三元正极材料的制备方法。所述氧缺陷型镍钴酸锂复合改性三元前驱体的分子式为Ni0.5Co0.5(OH)2@NixCoyMnzN1‑x‑y‑z(OH)2，其中掺杂元素N为W、Mg、Al、Zr中的一种或几种，0.6≤x≤0.9；0.9≤x+y+z≤1。所述氧缺陷型镍钴酸锂复合改性后的三元材料的分子式为Li0.9Ni0.5Co0.5O2‑m@LiNixCoyMnzN1‑x‑y‑zO2，其中0.01≤m≤0.06。所述包覆层为氧缺陷型Li0.9Ni0.5Co0.5O2‑m层状材料，丰富的氧空位可以提高材料的电化学活性，而镍钴酸锂的层状结构与主体结构相似，大大降低了离子传输的能量壁垒，最终能够确保三元主体材料不被电解液的侵蚀，提升材料的循环稳定性。
- 一种缺陷型镍钴酸锂复合改性三元正极材料制备方法
- [发明专利]一种调控三元材料(010)晶面优先生长的制备方法-CN202211473630.1在审
-
明磊;陈聪;欧星
-
中南大学
-
2022-11-22
-
2023-03-28
-
C01G53/00
- 本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种调控三元材料(010)晶面优先生长的制备方法。所述三元材料的分子式为LiMmW1‑mO2@LiNixCoyMnzW1‑x‑y‑zO2，其中M为Ni、Co、Mn、Al中的一种或几种，0.5≤m≤1，0.6≤x≤0.9；0.9≤x+y+z≤1。所述三元材料为一次纳米片聚集的二次微米球状结构，二次微米球体平均直径为4‑7μm，一次纳米片长度为400‑700nm，宽度为50‑150nm，曝露晶面为(010)晶面。所述调控三元材料(010)晶面优先生长的具体制备方法为：在三元前驱体合成过程中，通过喷洒或旋转喷洒的方式加入钨源，进一步在锂化过程中分段烧结，使其在低温预烧下能够稳定形成(010)晶面基底，然后在高温烧结下(010)晶面继续成型与稳定。本发明所制备的掺杂材料元素分布均匀，结晶性能好，稳定性高。
- 一种调控三元材料010优先生长制备方法
|
