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[发明专利]燃料电池单元及其制造方法-CN202180090123.7在审
发明人：笹子佳孝;佐久间宪之;横山夏树;藤崎耕司;三濑信行;杉本有俊 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于，抑制在形成薄膜固体电解质层时在基底存在的异物所导致的输出电力的降低，提高使燃料电池单元的面积增加的情况下的成品率，降低燃料电池的成本。本发明的燃料电池单元在支撑基板上形成有由下部电极层、第一固体电解质层、第二固体电解质层以及上部电极层构成的膜电极接合体，第一固体电解质层与第二固体电解质层之间的界面比下部电极层与固体电解质层之间的界面平坦，第二固体电解质层具有即使在产生了上述燃料电池单元的输出电压时上述第一固体电解质层与上述第二固体电解质层之间的漏电流也小于允许值的程度的膜厚(参照图5)。
燃料电池单元及其制造方法

[发明专利]燃料电池单体以及其制造方法-CN202080099981.3在审
发明人：笹子佳孝;佐久间宪之;横山夏树;宇根本笃;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻;三濑信行 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01M8/1097 文献下载
摘要：燃料电池单体(1)具备硅基板(2)、多孔质的支撑材料层(5)、多个孔(60)或柱(40)和层叠体。层叠体具备上部电极层(10)、固体电解质层(100)和下部电极层(20)。上部电极层(10)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)形成的上部电极层(10)连续，或者下部电极层(20)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)的下部电极层(20)连续。在多个孔(60)或柱(40)的至少上端部以及下端部，通过多孔质的支撑材料层(5)来支承层叠体。
燃料电池单体及其制造方法

[发明专利]燃料电池单元、燃料电池单元制造方法-CN201980102022.X在审
发明人：佐久间宪之;笹子佳孝;安斋由美子;右高园子;横山夏树;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01M8/1097 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
燃料电池单元制造方法

[发明专利]燃料电池单元、燃料电池单元制造方法-CN201980101696.8在审
发明人：佐久间宪之;笹子佳孝;安斋由美子;右高园子;横山夏树;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
燃料电池单元制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201410102742.5有效
发明人：笼利康明;新井耕一;横山夏树;清水悠佳 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法及半导体装置，以较高的成品率制造高性能的结FET。该方法包括如下工序：（a）在形成于n+型SiC基板的上部的n‑型漂移层的表面形成n+型源极层；（b）在（a）工序之后，将在n‑型漂移层的上部形成的氧化硅膜（21）作为掩模，对n‑型漂移层的表面进行蚀刻，由此形成按照预定的间隔配置的多个浅槽；（c）在（b）工序之后，使用垂直离子注入法在多个浅槽各自的下部的n‑型漂移层中掺杂氮，由此形成n型反掺杂层；（d）在（c）工序之后，在氧化硅膜及浅槽各自的侧壁形成侧阱间隔物；（e）在（d）工序之后，使用垂直离子注入法在多个浅槽各自的下部的n‑型漂移层中掺杂铝，由此形成p型栅极层。
半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅半导体衬底及其制造方法-CN200910203104.1无效
发明人：大野俊之;横山夏树;后藤肇 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少碳化硅外延层中的基底面位错的碳化硅半导体衬底和其制造方法。在形成漂移层的第1半导体层和由碳化硅单晶晶片形成的基底衬底之间，通过外延生长设置由与漂移层为相同传导型的2层以上的半导体层构成的缓冲层，所述漂移层为用于制作成半导体装置的构成要件的层。在漂移层和此缓冲层的界面，构成缓冲层的半导体层之间的界面，上述缓冲层和基底衬底的界面，设置施主浓度的阶差，使漂移层侧的施主浓度低于基底衬底侧的施主浓度，由此与漂移层为单层相比，或者与设置由1层构成的缓冲层相比，能够将更多基底面位错转换为穿透刃型位错。
碳化硅半导体衬底及其制造方法

[发明专利]信息存储元件及其制造方法以及存储阵列-CN200380104520.7无效
发明人：山口伸也;安藤正彦;岛田寿一;横山夏树;小田俊理;越田信义 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供一种能够通过浮置栅极层的机械动作进行信息读写的信息存储元件，其中，栅绝缘膜具有空腔(6)；在空腔内(6)具有浮置栅极层(5)，该浮置栅极层(5)具有向晶体管的沟道侧挠曲的稳定状态和向栅极(7)侧挠曲的稳定状态的两种稳定挠曲状态；通过在浮置栅极层(5)中预先存储的电子(或空穴8)与外部电场的库仑力，改变浮置栅极层(5)的稳定挠曲状态，利用沟道电流来读取已改变的浮置栅极层(5)的状态，由此进行信息的写入、读取。
信息存储元件及其制造方法以及阵列

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410030958.1无效
发明人：安井感;峰利之;后藤康;横山夏树 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法，并使元件微细化的同时，降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法，在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后，使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退，并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次，在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后，在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18)，使其表面平坦化。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法-CN96121356.6无效
发明人：田丸刚;饭岛晋平;横山夏树;中田昌之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-12-06 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体集成电路器件制造方法包括：(a)在半导体衬底第一主表面上的下电极上形成主要由氧化钽构成的电容器绝缘膜；(b)退火电容器绝缘膜；然后(c)在电容器绝缘膜上淀积主要由氮化钛构成的上电极，步骤(c)包括下列子步骤：(i)在子步骤(ii)之前，在已将半导体衬底引入到反应室中的条件下，使含钛源气体流过质量流量控制器；(ii)在将含钛源气体通过质量流量控制器引入反应室的同时将含氮还原气体引入到反应室中，从而淀积构成上电极的氮化钛膜；(iii)在子步骤(i)之前或同时，将惰性气体引入到含有半导体衬底的反应室中。通过在向反应室中引入还原气体前流过钛源气体和惰性气体，能够获得薄膜特性优良的氮化钛膜而不会破坏下电容器绝缘膜。
半导体集成电路器件及其制造方法

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