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[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381270.1有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381254.2有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法-CN201510717810.3在审
发明人：松木英夫;榊原纯;青井佐智子;渡辺行彦;小野木淳士 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及周边高击穿电压结构。源区域具有第一凹部。沟槽从第一凹部的底部延伸。栅绝缘膜具有延伸部，延伸部的形状顺着第一凹部的形状。栅极的表面定位成齐平于或者低于延伸部的上表面。
碳化硅半导体装置用于制造方法

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201110211992.9有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]具有超级结的半导体器件-CN200810185653.6有效
发明人：利田祐麻;榊原纯;山口仁 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一半导体层(1)；具有第一和第二柱层(11a-18a，11b-18b)的PN柱层(11-18)；以及第二半导体层(3)。第一和第二柱层中的每一个都包括沿水平方向交替设置的第一和第二柱(21n，21p)。第一和第二柱层分别具有通过在预定深度从第一柱中的杂质量减去第二柱中的杂质量定义的第一和第二杂质量差异。第一杂质量差异为恒定的正值。第二杂质量差异为恒定的负值。
具有超级半导体器件