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[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381270.1有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]力检测装置-CN201680019726.7在审
发明人： 田口理惠;水野健太朗;胜间田卓 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-04-04 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：力检测装置具备基板(2)和力传递块(4)。上述基板具有设置在基板的主面并构成了桥接电路的台面型测量仪器(12、14、16、18)；设置在上述主面的连接区域(42、44、46、48)；以及围绕上述台面型测量仪器的周围并与上述力传递块接合的密封部(20)。上述台面型测量仪器具有沿着第1方向延伸的第1台面型测量仪器(14、18)、和沿着第2方向延伸并远离上述第1台面型测量仪器的第2台面型测量仪器(12、16)。上述连接区域将上述第1台面型测量仪器的一端与上述第2台面型测量仪器的一端电连接。
检测装置

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381254.2有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]力检测装置-CN201580016226.3在审
发明人：水野健太朗;田口理惠;桥本昭二;大平喜惠;胜间田卓;山口浩平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：力检测装置具备基板(2)和力传递块(4)；基板包括高灵敏度台面型测量构件(14、18)、低灵敏度台面型测量构件(12、16)和台面型引线(22a、24a、26a、28a)。力传递块与高灵敏度台面型测量构件的顶面及低灵敏度台面型测量构件的顶面接触，在台面型引线的顶面的至少一部分为非接触。或者，力传递块仅与高灵敏度台面型测量构件的顶面接触，与低灵敏度台面型测量构件为非接触。力检测装置具备基板(204)和力传递块(204)；基板具有台面型测量构件(212、214、216、218)、与力传递块接触的封闭部(230)、和与力传递块接触的支柱(220)。
检测装置

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201110211992.9有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法