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[发明专利]闪烁器、测量装置、质量分析装置以及电子显微镜-CN202080085111.0在审
发明人：今村伸;楠敏明;高桥惠理;关口好文;神田隆之 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：提供使发光强度提升的闪烁器等。闪烁器(S)具备：蓝宝石基板(6)；GaN层(4)，其相对于蓝宝石基板(6)设于入射侧，包含GaN；量子阱构造(3)，其相对于GaN层(4)设于入射侧；导电层(2)，其相对于量子阱构造(3)设于入射侧，在量子阱构造(3)中，将包含InGaN的多个发光层(21)和包含GaN的多个阻挡层(22)交替层叠，在量子阱构造(3)与导电层(2)之间设有包含氧的含氧层(23)。
闪烁测量装置质量分析以及电子显微镜

[发明专利]电子源和使用它的电子束装置-CN201780085216.4有效
发明人： 楠敏明;糟谷圭吾;大嶋卓;桥诘富博;荒井纪明;小瀬洋一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01J1/15 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在使用六硼化物的情况下，也能够长时间稳定地使用的电子源和使用它的电子束装置。电子源包括：金属制的灯丝(103)；金属管(112)，其被固定在灯丝(103)上，在外周具有以包围中心轴的方式配置在至少2轴方向上的多个凹部(117)；和柱状的六硼化物的针头(104)，其发射电子，从金属管(112)的内部向灯丝(103)的相反一侧突出地配置，且与金属管(112)的多个凹部(117)各自的底部接触。
电子使用电子束装置

[发明专利]电子束装置-CN201680089774.3有效
发明人：糟谷圭吾;荒井纪明;楠敏明;大岛卓;桥诘富博;酒井佑辅 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/073 文献下载
摘要：即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
电子束装置

[发明专利]场致发射电子源、其制造方法和电子束装置-CN201680082576.4有效
发明人： 楠敏明;桥诘富博;糟谷圭吾;大嶋卓;酒井佑辅;小瀬洋一;荒井纪明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
发射电子制造方法电子束装置

[发明专利]蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源-CN201410018357.2无效
发明人： 楠敏明;山本健一;玉腰武司;三宅龙也;松浦宏育;矢崎秋夫;尾方智彦;松崎永二 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明提供蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源，该蒸镀装置能够长时间进行稳定的蒸镀，该蒸发源能够稳定且大量地收入作为蒸镀材料的Al。本发明的蒸镀装置具备蒸镀基板的蒸发源（30）和收纳蒸发源（30）且基板被搬送的工艺腔室。蒸发源（30）具备坩埚（10），坩埚（10）具有固体的Al材料（2）被供给的材料收入部（11）、与材料收入部（11）相邻，加热从材料收入部（11）供给的Al材料（2）使其熔融并形成为熔液（1）的熔融部（12）、和与熔融部（12）相邻，加热从熔融部（12）供给的熔液（1）而产生蒸气的蒸发部（13）。
装置所用蒸发

[发明专利]蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法-CN201310339461.7无效
发明人：三宅龙也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彦;山本健一;楠敏明;玉腰武司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明是提供一种蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法，使用能够降低热辐射、能够节电化的蒸发源，能够与大型基板对应，高速形成以铝材料为主的金属薄膜，连续成膜。作为解决本发明课题的方法涉及在使用陶瓷制的坩锅的蒸发源中，通过使夹着凸缘部那样设置热反射构件，有效地阻断沿凸缘部流出的热。其结果是能够用少的电力有效地加热坩锅，另外能够防止凸缘部的温度上升，防止攀缘。
蒸发真空装置以及有机 el 显示装置制造方法

[发明专利]照明装置-CN201310225248.3有效
发明人：关口好文;津村诚;楠敏明;别井圭一;村田诚治 -专利权人：日立空调·家用电器株式会社
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： F21S8/04 文献下载
摘要：本发明提供一种照明装置，增大照明器具的间接光。本发明的照明装置具备基板；在基板上的电极上安装的第一LED光源和第二LED光源；与第一LED光源对应的第一光学部件；与第二LED光源对应的第二光学部件；和连接第一光学部件与第二光学部件的光学部件连接部，来自第一光学部件的出射光的光度分布与来自第二光学部件的出射光的光度分布不同，用第一光学部件、光学部件连接部和第二光学部件构成复合光学部件，复合光学部件覆盖电极的至少一部分。
照明装置

[发明专利]真空蒸镀装置-CN201310124641.3无效
发明人：玉腰武司;三宅龙也;松浦宏育;峰川英明;楠敏明;山本健一;矢崎秋夫;尾方智彦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀装置。将多个线状蒸发源相对于成膜方向配置成多级，能够在去路和回路中不改变成膜顺序地进行共蒸镀。在基板上成膜蒸镀材料的真空蒸镀装置中，具有以相对于成膜方向为对称的方式配置有多个线状蒸发源的蒸发源组，上述蒸发源组相对于上述基板向第一方向移动并对上述基板成膜后，相对于上述基板向与上述第一方向相反的方向即第二方向移动并对上述基板成膜。
真空装置

[发明专利]蒸发源装置及真空蒸镀装置、以及有机EL显示装置的制造方法-CN201310054787.5无效
发明人：三宅龙也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彦;山本健一;楠敏明;玉腰武司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供能在大型基板上快速地形成膜厚均匀且有机EL上部电极用的铝金属薄膜，并能长时间连续运转的真空蒸镀装置及成膜装置。通过使用陶瓷制的坩埚防止铝的攀爬，并使用在横向上操作沿纵向排列有在相同方向上以规定的角度倾斜的蒸发源（3-1）的蒸发源列（3-2）并进行蒸镀的机构，能够相对于大型的纵置基板（1-1）快速形成有机EL上部电极用金属薄膜，并使用材料供给机进行长时间的连续成膜。
蒸发装置真空以及有机 el 显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置-CN201210223500.2有效
发明人： 楠敏明;浅沼春彦 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置。本发明的薄膜晶体管具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其中，栅电极、源电极以及漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层和由纯铜构成的第2电极层的2层构造，第1电极层的铜合金是针对铜添加了P和其他元素的铜合金，其他元素是从Mn、Mg、Ca、Ni、Zn、Si、Al、Be、Ga、In、Fe、Ti、V、Co、Zr、以及Hf内选择的至少1种元素，第1电极层的厚度是10nm以上50nm以下，第2电极层的厚度是300nm以上600nm以下，其他元素的浓度与第1电极层的厚度之积的范围是50at.%·nm以上400at.%·nm以下。
薄膜晶体管制造方法以及使用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及具备薄膜晶体管的显示装置、溅射靶材-CN201210440979.5有效
发明人：浅沼春彦;楠敏明;外木达也;辰巳宪之 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下，在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低，另外，在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时，存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移，TFT成为正常接通动作的问题。本发明提供薄膜晶体管，其在基板上具备：栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜，其特征在于，所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素，所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子％以上且66原子％以下，并且，在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极和所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子％的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时，所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。
薄膜晶体管及其制造方法以及具备显示装置溅射

[发明专利]真空蒸镀装置及有机EL显示装置的制造方法-CN201110442780.1无效
发明人：三宅龙也;玉腰武司;山本健一;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;楠敏明;尾方智彦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀装置及成膜装置，该真空蒸镀装置及成膜装置在大型基板上高速地形成膜厚均匀的有机EL上部电极用的铝金属薄膜，能够长时间连续运行。使用陶瓷制的坩埚，防止铝的向上蠕动，使用在横向上操作蒸发源列(3-2)进行蒸镀的机构，该蒸发源列(3-2)在纵向上排列了至少2个以上在相同方向上按规定角度倾斜了的蒸发源(3-1)，据此，能够相对于大型化的纵向设置的基板(1-1)高速地形成有机EL上部电极用金属薄膜，能够进行长时间的连续成膜。
真空装置有机 el 显示装置制造方法

[发明专利]蒸镀装置-CN201210023615.7无效
发明人：山本健一;三宅龙也;玉腰武司;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;楠敏明;尾方智彦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明以低成本提供一种具有防止Al的向上蠕动或Al蒸气浸入而难以引起破损的蒸发源的蒸镀装置。该蒸镀装置在真空腔室内具有蒸镀源单元(26)，其中，上述蒸镀源单元(26)具有：收容蒸发材料(5)的坩埚(1)、安装于上述坩埚(1)的开口部的喷嘴(2)、包围上述坩埚(1)并收容加热器(3)的加热室(10)、和固定件(7)，在上述坩埚(1)的内壁和上述加热室(10)之间具有切口(12)，该切口(12)阻止在上述坩埚(1)中熔融了的上述蒸发材料(5)或上述蒸发材料(5)的蒸气侵入到上述加热室(10)。
装置

[发明专利]荧光灯及图像显示装置-CN201080043743.7有效
发明人：佐川雅一;今村伸;楠敏明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：为了避免放电的同时得到有效的亮度、发光效率，需要充分提高气体的电流亮度效率和电子源的电子利用效率。在荧光灯中，装入的稀有气体或者分子性气体的压力为10kPa以上，将正极电压设为240V以下，并且将基板间隔设为0.4mm以下，从而提高正极电场。进而，由此利用电流亮度效率与电场成比例增加的效果。并且，作为电子源应用电子利用效率超过10%的MIM电子源，从而实现发光亮度为104[cd/m2]以上、发光效率为120lm/W以上的无放电荧光灯。
荧光灯图像显示装置

[发明专利]成膜装置-CN201110177715.0无效
发明人： 楠敏明;三宅龙也;山本健一;玉腰武司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内，所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙，使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描，以进行针对下层膜的损坏较少的成膜，之后，仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此，就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。
装置

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