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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]超声波阵列振荡器及制造方法、超声波探头、超声波诊断装置-CN201680050469.3有效
发明人： 森本类 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： A61B8/10 文献下载
摘要：【目的】为了提供一种具有高阻抗匹配效果和优秀生产率的超声波阵列振荡器、制造超声波阵列振荡器的方法、超声波探头以及超声波诊断装置。【解决方法】根据本技术的超声波阵列振荡器包括超声波振荡器(130)和半导体芯片(140)。所述超声波振荡器(130)构成阵列。所述半导体芯片(140)与每个所述超声波振荡器(130)分别接合，并形成阻抗匹配电路。
超声波阵列振荡器制造方法探头诊断装置

[发明专利]阵列型超声波振动器、超声波探头、超声波导管、手持式手术仪器和医疗装置-CN201780076645.5在审
发明人： 森本类;中田哲博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：提供一种在生产率和实用性方面极好并且具有能够改进在切片方上的超声波束的聚焦特性的二维阵列结构的阵列型超声波振动器、超声波探头、超声波导管、手持式手术仪器和医疗装置。根据本技术的实施例的阵列型超声波振动器包括振动器阵列和电阻器。振动器阵列是其中超声波振动器元件构成二维阵列的振动器阵列，所述振动器阵列包括其中多个超声波振动器元件沿切片方向布置的多个元件行。在元件行中的一对任意超声波振动器元件之间电气地连接电阻器。
超声波振动器振动器阵列阵列型超声波导管超声波探头手术仪器医疗装置元件行切片二维阵列结构连接电阻器超声波束二维阵列聚焦特性电气地电阻器改进

[发明专利]用于内窥镜手术的手持器械-CN201680068548.7在审
发明人： 森本类;宫原和彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： A61B17/29 文献下载
摘要：提供了一种用于内窥镜手术的手持器械，其具有超声成像功能，该超声成像功能具有可实际使用的空间分辨率。根据本发明的用于内窥镜手术的手持器械包括轴(130)、夹爪(150)、手柄(110)、相控阵超声传感器(154)和信号配线(140)。夹爪(150)置于轴(130)的一端并具有夹持功能。手柄(110)置于轴(130)的另一端并具有操作夹爪(150)的操作机构(111)。相控阵超声传感器(154)安装在夹爪(150)上并具有成像功能。信号配线(140)被提供给轴(130)并连接超声传感器(154)和手柄(110)。
夹爪内窥镜手术手柄器械相控阵超声超声成像信号配线传感器超声传感器空间分辨率操作机构成像功能夹持

[发明专利]光电转换元件、成像装置及光学传感器-CN201380041105.5有效
发明人：宇高融;村田昌树;森本类;榎修 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：提供了有机光电转换元件、成像装置及光学传感器，有机光电转换元件能够通过使用单个元件结构检测多个波长区域。包括光谱敏感度不同的至少两种有机半导体材料的有机光电转换部被设置在第一电极和第二电极之间并被用作光电转换元件。光电转换元件的波长敏感度特性根据施加在第一电极和第二电极之间的电压(偏置电压)而改变。光电转换元件被安装在成像装置或光学传感器上。
光电转换元件光学传感器成像装置有机光电转换元件第二电极第一电极有机半导体材料波长敏感度光电转换部光谱敏感度波长区域单个元件结构检测偏置电压施加

[发明专利]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-CN201310528746.5有效
发明人：宇高融;榎修;村田昌树;森本类;新井龙志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含用于调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
光电转换元件固体摄像装置以及电子设备

[发明专利]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-CN201310536129.X有效
发明人：宇高融;村田昌树;榎修;青沼雅义;宫地左伊;伊藤琢哉;须藤美贵;森本类;佐佐木裕人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
光电转换元件固体摄像装置以及电子设备

[实用新型]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-CN201320686912.X有效
发明人：宇高融;村田昌树;榎修;青沼雅义;宫地左伊;伊藤琢哉;须藤美贵;森本类;佐佐木裕人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
光电转换元件固体摄像装置以及电子设备

[实用新型]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-CN201320680767.4有效
发明人：宇高融;榎修;村田昌树;森本类;新井龙志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。根据本实用新型能够提供一种光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备，能够有效地取出信号，使元件特性稳定化，提高可靠性。
光电转换元件固体摄像装置以及电子设备

[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备-CN201310629912.0无效
发明人：榎修;宇高融;村田昌树;森本类 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备。本发明提供了一种图像传感器、电子设备和图像传感器的制造方法。更具体地，提供了一种具有包括在层压体内的多个光电转换元件的图像传感器。至少一个光电转换元件包括有机光电转换元件。此外，至少层压体的第一表面包括弯曲的光入射表面，光入射表面进一步包括凹面。多个光电转换元件通过凹形光入射表面接收光。层压体可连接至支撑结构。
固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]图像拾取单元和电子装置-CN201280047994.1无效
发明人： 森本类 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H04N9/07 文献下载
摘要：提供了一种能够抑制伪色和混色的发生以获取高质量的彩色图像的图像拾取单元。该图像拾取单元包括多个像素，且被设置有：图像传感器，用于获取图像捕获数据；设置在图像传感器的光接收面上并适于透射选择的波长的可变滤光器；以及用于驱动可变滤光器并设置其透射波长的滤光器驱动部（波长选择电路和系统控制器）。当可变滤光器中的透射波长以分时的方式被切换时获取图像捕获数据，从而对应于可变滤光器透射波长的像素数据被时间上连续地获得。
图像拾取单元电子装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010614580.5无效
发明人： 森本类 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括冷却功能部件，所述冷却功能部件包括：有源区域，其是由杂质区域形成，形成在半导体层的表面上；N型栅极，其是由包括N型杂质的半导体制成；P型栅极，其是由包括P型杂质的半导体制成；第一金属布线，其连接至所述N型栅极、所述P型栅极和所述有源区域；第二金属布线，其连接至所述P型栅极和所述N型栅极；以及散热部，其连接至所述第二金属布线，用于将热量散发到外部。根据本发明，能够有效地冷却所述半导体层，有效地将热量散发到外部，因此能够稳定所述半导体装置中的电路部件的特性。
半导体装置及其制造方法

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