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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电转换装置、光电转换系统及移动体-CN202280011178.9在审
发明人：岩田旬史;森本和浩;前桥雄;林良之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该光电转换装置包括：设置有多个雪崩二极管的第一基板；设置有多个像素电路的第二基板；以及设置有信号处理电路的第三基板。第二基板和第三基板层叠以使得在第二基板和第三基板的两个半导体层之间设置有第三布线结构。设置有穿过第三基板的半导体层的第一贯通布线。
光电转换装置系统移动

[发明专利]光电转换装置和光学检测系统-CN202280009282.4在审
发明人：大田康晴;森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本光电转换装置包括：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括阳极和阴极；开关，所述开关连接到阳极和阴极中的一个节点、以及将被施加驱动电压的电力线，并且用于在所述一个节点和电力线之间切换电阻值；以及信号产生单元，所述信号产生单元产生用于控制开关的切换的脉冲信号。通过将第一曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第一曝光时间段而获得的值与通过将第二曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第二曝光时间段而获得的值是不同的，第二曝光时间段的长度不同于第一曝光时间段的长度。
光电转换装置光学检测系统

[发明专利]处理装置和光电转换系统-CN202310125610.3在审
发明人： 森本和浩;关根宽 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04N25/68 文献下载
摘要：公开了处理装置和光电转换系统。一种处理装置包括：第一存储单元，用于存储基于布置成阵列的多个像素的输出值的第一阵列数据；第二存储单元，具有存储在其中的第二阵列数据，所述第二阵列数据要被用于来自所述多个像素的输出值的校正；以及校正单元，包括计算单元，所述计算单元基于第一阵列数据和第二阵列数据来校正所述多个像素中的至少一个像素的输出值。
处理装置光电转换系统

[发明专利]光电转换设备及光电转换系统-CN202180072028.4在审
发明人： 森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H04N25/53 文献下载
摘要：本发明包括：光电转换单元；光值保持单元，该光值保持单元保持基于在第一曝光时段和第二曝光时段期间生成的信号电荷的光值，该第二曝光时段与第一曝光时段在开始定时和/或结束定时方面不同；比较单元，该比较单元将基于在第一曝光时段期间生成的信号电荷的光值与基于在第二曝光时段期间生成的信号电荷的光值进行比较；以及控制单元，该控制单元基于比较单元的比较结果执行控制，以设置第三曝光时段和第四曝光时段，第四曝光时段与第三曝光时段在开始定时和/或结束定时方面不同。第三曝光时段与第四曝光时段短于第一曝光时段和/或第二曝光时段。
光电转换设备系统

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和可移动体-CN202211142713.2在审
发明人： 森本和浩;岩田旬史;加纳大干 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置，包括设置在半导体层中的雪崩二极管，所述半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该雪崩二极管包括：设置在第一深度的第一导电类型的第一半导体区域和设置在第二深度的第二导电类型的第二半导体区域，所述第二深度相对于所述第二表面比所述第一深度更深。在半导体层的第二表面上设置氧化膜和堆叠在氧化膜上的保护膜。存在满足dsio(εsio/εprot)×dprot/2的点，其中，dsio是氧化膜的厚度，dprot是保护膜的厚度，εsio是氧化膜的相对介电常数，以及εprot是保护膜的相对介电常数。
光电转换装置系统移动

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和可移动体-CN202211156768.9在审
发明人： 森本和浩;岩田旬史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。所述光电转换装置包括布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中的雪崩二极管。所述雪崩二极管包括布置在第一深度处的第一导电类型的第一半导体区域、布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处的第二导电类型的第二半导体区域、配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触的第三半导体区域、连接到所述第一半导体区域的第一布线部、以及连接到所述第二半导体区域的第二布线部。在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部与面对所述第一布线部的绝缘膜之间的边界的至少一部分与所述第三半导体区域交叠并且不与所述第一半导体区域交叠。
光电转换装置系统移动

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统、计算电路和移动体-CN202211092489.0在审
发明人：大田康晴;森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电转换装置、光电转换系统、计算电路和移动体。所述光电转换装置包括：设置在雪崩光电二极管和电源之间的电路；计数器，其被配置为对从所述雪崩光电二极管输出的输出信号进行计数；以及存储器，其中表示所述计数器的计数值在比曝光时间短的预定曝光时间段内达到阈值的时间信息被写入所述存储器中，其中时钟信号被配置为在所述曝光时间段中被输入到所述电路。
光电转换装置系统计算电路移动

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和移动体-CN202211079325.4在审
发明人： 森本和浩;岩田旬史;前桥雄;关根宽 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供光电转换装置、光电转换系统和移动体。该光电转换装置包括在具有第一面和与所述第一面相对的第二面的层中设置的多个雪崩二极管，其中，所述多个雪崩二极管各自包括位于第一深度的第一导电类型的第一区域、位于第二深度的第二导电类型的第二区域以及位于第三深度的所述第二导电类型的第三区域，相对于所述第二面，所述第二深度大于所述第一深度，并且相对于所述第二面，所述第三深度大于所述第二深度，其中，所述层包括设置在所述第一面中的多个结构，并且其中，所述多个结构的有效周期小于hc/Ea，h表示普朗克常数[J·s]，c表示光速[m/s]，并且Ea表示基板的带隙[J]。
光电转换装置系统移动

[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和可移动物体-CN202180011802.0在审
发明人： 森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了包括第一导电类型的第一半导体区域的第一雪崩二极管以及包括第一导电类型的第二半导体区域的第二雪崩二极管。第一隔离部分布置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一隔离部分由第一导电类型的第三半导体区域、或第二导电类型的第四半导体区域和被布置为在俯视图中夹着第四半导体区域的第三半导体区域构成。第四半导体区域满足表达式1，其中Nd为第三半导体区域的杂质浓度、Na为第四半导体区域的杂质浓度、q为元电荷、ε为半导体的介电常数、V为第三半导体区域与第四半导体区域的P‑N结之间的电位差，并且D为由第四半导体区域夹着的第三半导体区域的长度，
光电转换装置系统移动物体

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN201710949673.5有效
发明人： 森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光电转换装置和光检测系统-CN202210002305.0在审
发明人： 森本和浩;远藤航;乾文洋 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了光电转换装置和光检测系统。装置包括：光电二极管，所述光电二极管包括阳极和阴极；开关，所述开关连接到所述阳极和阴极中的一个的节点而且连接到电源线，并且用于切换所述节点与所述电源线之间的电阻值，驱动电压经由所述电源线供给；以及产生单元，所述产生单元被配置为产生用于控制所述开关的切换的脉冲信号。所述装置能够在包括第一模式和第二模式的两个模式中的一个下操作，所述第二模式能够在比所述第一模式下的照度条件低的照度条件下使用。在用于获取一帧信号的曝光时段中，所述第二模式下的脉冲信号的数量比所述第一模式下小。
光电转换装置检测系统

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256626.3在审
发明人： 森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256628.2在审
发明人： 森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光检测设备和光检测系统-CN201710628241.4有效
发明人： 森本和浩;池田一;岩田旬史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
检测设备系统

[发明专利]光电转换设备、光电转换系统和可移动体-CN202111265276.9在审
发明人：爱满·阿布德尔加夫;岩田旬史;森本和浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括多个雪崩光电二极管。所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括由配置在第一深度处的第一导电型的第一半导体区域、以及配置在比所述第一深度深的第二深度处的与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成的雪崩倍增单元。在比第二导电型的第三半导体区域浅的位置处配置导电型和杂质浓度至少之一与所述第三半导体区域不同的第四半导体区域，并且所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述雪崩倍增单元深。
光电转换设备系统移动

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