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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201610053787.7有效
发明人： 桥谷雅幸;长谷川尚;高品隆之;增子裕之 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，该半导体装置在第1外部连接端子与被连接于VSS的第2外部连接端子之间具有作为ESD保护元件的截止晶体管和输出元件，其中，密封环布线利用连接布线而与从第2外部连接端子至截止晶体管的源极的第1内部布线并列地连接，该部分的寄生电阻比连接截止晶体管的源极与输出元件的源极的第2内部布线的寄生电阻小。
半导体装置

[发明专利]基准电压产生装置-CN201410573195.9有效
发明人： 桥谷雅幸;广濑嘉胤 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。具备电阻器（3），该电阻器（3）包围以作为电流源发挥功能的方式连接的、流动恒流的第1导电型的耗尽型MOS晶体管（1）和二极管连接的第1导电型增强型MOS晶体管（2）的周边，且，具备在设定温度环境下能够高精度地修整的电流源及与该电流源串联连接的二极管，根据从二极管输出的信号，在所述电阻器中消耗的电压大致恒定，由此能够做成可在恒定的设定温度环境下动作的基准电压产生装置。
基准电压产生装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210560994.3有效
发明人： 桥谷雅幸 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。本发明提供小型的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管。在以固定间隔连续的沟槽间的衬底以及随后设置源高浓度扩散层的硅表面区域内生成STI的氧化膜，在形成沟槽之后去除，并形成比周围表面低的区域，由此能够使填埋在具有侧间隔体的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管的沟槽的栅电极上的硅化物与设置于衬底以及源高浓度扩散层上的硅化物分离，由此可进行用于面积缩小的沟槽的尺寸缩小以及半导体装置的高驱动性能化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基准电压产生装置-CN201310050845.7有效
发明人：吉野英生;小山内润;桥谷雅幸;广濑嘉胤 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生装置，其具有平坦的温度特性。该基准电压产生装置具备第一导电类型的耗尽型MOS晶体管(10)，其为了作为电流源发挥功能而进行连接并流过恒定电流；以及第一导电类型的增强型MOS晶体管(20)，其进行二极管连接，具有与耗尽型MOS晶体管(10)的迁移率大致相同的迁移率，基于恒定电流产生基准电压(VREF)，因为耗尽型NMOS晶体管(10)与增强型NMOS晶体管(20)的迁移率大致相同，所以它们的温度特性也大致相同，基准电压(VREF)的温度特性平坦。
基准电压产生装置

[发明专利]基准电压产生装置-CN201410548857.7在审
发明人： 桥谷雅幸;吉野英生 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。具有：第一导电型的耗尽型MOS晶体管(5)，其被连接成作为电流源发挥作用，流出恒定电流；以及第一导电型的耗尽型MOS晶体管(6)，其以二极管接法连接，具有与耗尽型MOS晶体管(5)相同的埋沟和相同的温度特性，基于恒定电流，产生基准电压。耗尽型MOS晶体管(5)与耗尽型MOS晶体管(6)的温度特性相同，因此，基准电压产生装置的输出的温度特性平坦。
基准电压产生装置

[发明专利]半导体集成电路装置-CN201310446544.6有效
发明人：原田博文;桥谷雅幸 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：半导体集成电路装置。本发明提供输出电压稳定性良好的恒压电路，在将增强型NMOS和耗尽型NMOS串联连接而构成的恒压电路中，为了提高耗尽型NMOS的反馈偏置效应，仅在安装耗尽型NMOS的P型阱区域中增大杂质浓度。
半导体集成电路装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910008133.2有效
发明人： 桥谷雅幸 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的名称为半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有距离等于或小于晶体管的长度L的深处的沟槽，并且在沟槽底部中使用埋层，由此，使从高浓度源扩散层的下端和高浓度漏扩散层的下端的每个到沟槽底面的有效沟道长度比沟槽顶面上的最短长度L要短。相应地，电流通路从通过使用埋层与源或高浓度漏扩散层接触的侧面保持在沟槽底面，由此增强驱动性能。对于减小的栅极长度获得抑制驱动性能降低的效果。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810144745.X有效
发明人： 桥谷雅幸 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了形成有用于提供在栅宽方向的凹部的槽部、并有利用栅绝缘膜在槽部顶面内及顶面上提供栅极的半导体装置。通过去除形成在邻近栅极的厚氧化物膜，源区和漏区各自的表面的至少一部分做得比该表面的其它部分低。把源区和漏区各自的表面的所述部分做得更低允许以高密度流过栅极凹部的顶面的电流均匀地流过整个槽部，这增加了凹部的有效栅宽以使在栅宽方向具有变化的深度。
半导体装置及其制造方法

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