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[发明专利]单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法-CN202011188769.2在审
发明人：森山隼;阿部淳;丹野雅行;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。
单晶锭制造方法晶片

[发明专利]单晶培养装置-CN202011059877.X在审
发明人：阿部淳;森山隼;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：课题在于提供可降低单晶的温度梯度的同时防止杂质混入导致的单晶的成品率的急剧变差的单晶培养装置。本发明的单晶培养装置90通过提拉法由坩埚1内的原料的熔融液12培养单晶13，其具备：覆盖坩埚1的上方的空间16的上部耐火材料容器10b、覆盖上部耐火材料容器10b的外周的绝热保温结构14和覆盖绝热保温结构14的外周的绝缘性陶瓷材料15。
培养装置

[发明专利]压电性氧化物单晶基板-CN201580024395.1有效
发明人：丹野雅行;阿部淳;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种翘曲小，无破裂、损伤，温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板，具体地说，具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高，越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外，在本发明的压电性氧化物单晶基板中，从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成，基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。
压电氧化物单晶基板

[发明专利]钽酸锂单晶体衬底、粘结衬底、粘结衬底的制造方法、和使用粘结衬底的表面声波器件-CN201811245902.6在审
发明人：丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y‑49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO₃单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的Li浓度差异的Li浓度分布；并且所述衬底以单偏振处理进行处理，因此所述Li浓度从所述衬底表面到相当于在LiTaO₃衬底表面中传播的表面声波或泄漏表面声波的波长的5‑15倍的深度是大致上一致的。
衬底衬底表面粘结钽酸锂单晶体切向表面声波器件泄漏表面声波表面声波晶体取向浓度差异浓度分布单晶体单偏振波长扩散传播展示制造

[发明专利]钽酸锂单晶基板及其接合基板、该接合基板的制造方法以及使用该基板的表面声波器件-CN201680022206.1在审
发明人：丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种钽酸锂单晶基板，其翘曲小，无破损、瑕疵，并且温度特性比现有的旋转Y切割LiTaO3基板好，机电耦合系数大，而且器件的Q值高。本发明的钽酸锂单晶基板是使Li从晶体方位为旋转36°Y～49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散，而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板，其特征在于，该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理，从基板表面到在LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5～15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。
钽酸锂单晶基板及其接合制造方法以及使用表面声波器件