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[发明专利]钯覆盖铜接合线、引线接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202080012102.9有效
发明人：天野裕之;安德优希;桑原岳;市川司 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。
覆盖接合引线结构半导体装置制造方法

[发明专利]钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法-CN201980091220.0在审
发明人：天野裕之;安德优希;桑原岳;市川司;松泽修;陈炜 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施方式的Pd覆盖Cu接合线具有1.0～4.0质量％的Pd、及合计为50质量ppm以下的S族元素(5.0～12.0质量ppm的S、5.0～20.0质量ppm的Se、或15.0～50质量ppm的Te)。该引线截面的晶体面中的100取向比率为15％以上，并且111取向比率为50％以下。在该引线上形成无空气球而对前端部分进行分析时，在其表面观测到Pd富集区域。
覆盖接合制造方法使用引线结构半导体装置及其

[发明专利]钯覆盖铜接合线及其制造方法-CN201880099771.7在审
发明人：天野裕之;安德优希;桑原岳 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种钯覆盖铜接合线，其在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间维持优异的接合可靠性。一种钯覆盖铜接合线，其中，相对于铜与钯与硫族元素的合计，钯的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，硫浓度为5质量ppm～12质量ppm、或硒浓度为5质量ppm～20质量ppm或碲浓度为15质量ppm～50质量ppm，在形成于引线前端的无空气球的距离前端部表面为5.0nm～100.0nm的范围内，具有钯的浓度相对于铜与钯的合计成为平均6.5原子％～30.0原子％的钯富集区域。
覆盖接合及其制造方法

[发明专利]用于球焊的包覆钯的铜丝-CN201610024309.3有效
发明人：天野裕之;滨本拓也;永江祐佳;崎田雄祐;三苫修一;高田满生;桑原岳 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
用于球焊包覆钯铜丝

[发明专利]用于球焊的包覆钯的铜丝-CN201610096834.6无效
发明人：天野裕之;滨本拓也;永江祐佳;崎田雄祐;三苫修一;高田满生;桑原岳 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
用于球焊包覆钯铜丝

[发明专利]被覆Pd的铜球焊线-CN201280007491.1有效
发明人：高田满生;山下勉;执行裕之;桑原岳;冈崎纯一;齐藤茂 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种球焊用被覆钯的铜线，其能够提高对铝电极的接合可靠性。本发明的球焊用被覆钯的铜线中，在钯中间层表面形成包含厚度为5nm以下的极薄层的金层，在含氢的不活泼气氛中进行热处理，中间层的钯侵入到金极薄层，通过微细的金相和钯相进行三维生长的层岛混合模式生长，形成金-钯混杂层。在热处理过程中，钯吸收氢，在热处理后进行骤冷，由此使上述混杂层的钯稳定化，在熔融焊球形成时尽快熔化，随着被覆线端面的金到达端面的钯熔化，均匀微细地分散到熔融焊球表面层，抑制与铝的接合界面中的铝的氧化。
被覆 pd 球焊

[发明专利]高纯度铜焊接引线-CN201080065756.4有效
发明人：山下勉;桑原岳;冈崎纯一 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种高纯度铜合金球焊接引线，其重结晶温度高，易于室温下的拉丝加工，并且初始焊球的硬度小，不产生IC芯片破裂。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加微量的磷(P)，使其重结晶温度比纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜高的重结晶温度还高，并且球焊接的初始焊球的硬度降低。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加0.5至15质量ppm的磷(P)，并且使所含有的其他杂质的总含量低于磷(P)的上述含量，来实现上述特性。
纯度铜焊接引

[发明专利]球焊用包覆铜丝-CN200980100723.6有效
发明人：山下勉;秋元英行;桑原岳;冈崎纯一 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种球焊用包覆铜丝，其在扯断后形成球时，能够避免由于Cu或Cu合金芯材的氧化造成的不便。该球焊用包覆铜丝的特征在于，具有由铜-磷合金构成的芯材、在该芯材上的包含钯或铂的中间层，在该中间层上的包含金或银的表层。
球焊用包覆铜丝

[发明专利]焊球接合用金合金线-CN200880113497.0有效
发明人：高田满生;手岛聪;桑原岳 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：接合线强度优越，且熔融焊球形成性及压接焊球形状的真圆性均优越，再者针脚式接合性优越的半导体装置的焊球接合用金合金线。由镁15～50质量ppm、钙10～30质量ppm、铕5～20质量ppm、钇5～20质量ppm、镧5～20质量ppm、及余量为纯度99.998质量％以上的金而成的焊球接合用金合金线。再者，金为纯度99.98质量％以上，钙添加量为铕及镧的合计量以下，或钇添加量为钙及铕的合计量以下，或钙添加量为铕及镧的合计量以下，且钇添加量为钙及铕的合计量以下，再者，镁添加量为20～40质量ppm。
接合合金

[发明专利]用于球焊的金合金线-CN200880000194.8有效
发明人：高田满生;手岛聪;桑原岳 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供了用于球焊的金合金线，金合金包含：10-50ppm质量的镁(Mg)；5-20ppm质量的铕(Eu)；2-9ppm质量的钙(Ca)；和剩余部分，该剩余部分是具有最小99.998质量％纯度的金(Au)。在该用于球焊的金合金线中，钙(Ca)的添加量最大是铕(Eu)的添加量的一半。
用于球焊合金

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