专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]陶瓷切割方法及陶瓷切割设备-CN202180030522.4在审
  • 李政埈;柳智娟 - ITI株式会社
  • 2021-04-21 - 2022-12-09 - B23K15/08
  • 本发明涉及陶瓷切割方法及陶瓷切割设备,本发明包括:光束照射部,用于照射具有被图案吸收并有一部分被陶瓷吸收的波长的光束;以及冷却剂喷射部,用于向光束所照射的陶瓷喷射冷却剂,在加热陶瓷的同时进行冷却来去除部分图案或全部图案,利用陶瓷的上部层或全部因再结晶化而产生的应力或陶瓷的上部层或全部因热膨胀及收缩而产生的应力来减少热损失,实现切割,由此,在加热陶瓷的同时进行冷却来实现再结晶化或熔融之前的加热、冷却并向内部施加热应力,在此情况下,不仅可防止产生陶瓷材料的损失,而且可通过额外的分离工序执行切割。
  • 陶瓷切割方法设备
  • [发明专利]空白掩模以及利用其的光掩模-CN202111651440.X在审
  • 李亨株;金圭勋;柳智娟;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交 - SKC索密思株式会社
  • 2021-12-30 - 2022-07-01 - G03F1/26
  • 本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩摸。实施例涉及空白掩模等,空白掩模包括:透明基板,相移膜,设置在所述透明基板上,以及遮光膜,设置在所述相移膜的至少一部分上。空白掩模利用正常模式的XRD进行分析。在正常模式的XRD分析中,在相移膜侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。在正常模式的XRD分析中,在透明基板侧反射后测量的X射线强度的最大峰值的2θ为15°至30°。空白掩模的由以下式1表示的AI1值为0.9至1.1;[式1]在所述式1中,所述XM1为在对所述相移膜的上表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。所述XQ1为在对所述透明基板的下表面进行所述正常模式的XRD分析时测量的X射线强度的最大值。
  • 空白以及利用光掩模
  • [发明专利]空白掩模以及利用其的光掩模-CN202111651457.5在审
  • 李亨株;柳智娟;金圭勋;申仁均;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交 - SKC索密思株式会社
  • 2021-12-30 - 2022-07-01 - G03F1/26
  • 本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩模。实施例涉及空白掩模等,所述空白掩模包括:透明基板,相移膜,设置在透明基板上,以及遮光膜,设置在所述相移膜上。空白掩模的由以下式1表示的TFT1值为0.25μm/100℃以下。利用这种空白掩模等能够容易地制造具有微细线幅的半导体器件。[式1]当在热机械分析仪中分析所述空白掩模的透明基板的厚度被加工成0.6mm,并且所述遮光膜被去除而形成的加工的空白掩模的热波动时,热机械分析仪的测量温度从T1上升至T2,△PM为以T1下的相移膜的上表面为基准,在T2下,相移膜的上表面在厚度方向上的位置变化。
  • 空白以及利用光掩模

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