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[发明专利]存储元件的制造方法-CN201910323101.5有效
发明人：朴哲秀;陈明堂;柯顺祥 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在位线结构之间的基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成多个第一沟槽。将第二介电层填入第一沟槽中。移除部分第一介电层，使得第一介电层的顶面低于第二介电层的顶面。形成第一掩膜层，其覆盖第一与第二介电层的顶面。进行第一蚀刻工艺，以于第一介电层中形成多个第二沟槽。将第三介电层填入第二沟槽中。移除第一介电层，以于第二介电层与第三介电层之间形成多个接触窗开口。将导体材料填入接触窗开口中。
存储元件制造方法

[发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202010009059.2有效
发明人：林士杰;柯顺祥 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器结构及其形成方法，包含：提供包含存储器阵列区以及周边电路区的基底；形成多个位线结构于存储器阵列区中；形成介电层于周边电路区中；形成多个接触件于位线结构之间；沉积保护层于基底上，其中保护层位于存储器阵列区的部分的第一顶面低于位于周边电路区的部分的第二顶面；沉积硬遮罩层于保护层上；回刻蚀硬遮罩层，以形成硬遮罩间隙物于此保护层的第一顶面上且紧邻周边电路区；以及使用硬遮罩间隙物作为刻蚀遮罩来刻蚀保护层，以留下保护部件于存储器阵列区与周边电路区的交界处。
存储器结构及其形成方法

[发明专利]蚀刻系统及其蚀刻方法-CN202110033476.5在审
发明人：林士杰;柯顺祥 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻系统及其蚀刻方法。终点检测器检测对被处理材料进行蚀刻处理时产生的光在特定波长的光强度，而产生终点检测信号。被处理材料包括材料层以及形成于材料层上的至少一罩幕层。控制装置依据终点检测信号判断罩幕层的蚀刻完成时间，依据蚀刻完成时间计算罩幕层的厚度，并依据罩幕层的厚度调整材料层的蚀刻时间。
蚀刻系统及其方法

[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法-CN202010142975.3在审
发明人： 柯顺祥;林士杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器结构及其形成方法，该方法包含形成硬遮罩层于半导体基底之上，刻蚀硬遮罩层以形成多个第一遮罩图案和多个第二遮罩图案，将第一遮罩图案和第二遮罩图案转移至半导体基底以形成多个半导体区块，以及薄化第二遮罩图案。在薄化第二遮罩图案之后，第二遮罩图案的厚度小于第一遮罩图案的厚度。此方法还包含形成第一盖层横向延伸于第一遮罩图案和第二遮罩图案之上，以及刻蚀第一盖层和第二遮罩图案以形成多个接触开口。本发明能够提升半导体存储器装置的可靠性和制造良率。
半导体存储器结构及其形成方法

[发明专利]自对准埋入式字线隔离结构的形成方法-CN201510220482.6有效
发明人：朴哲秀;柯顺祥;陈明堂;钮伟宗 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准埋入式字线隔离结构及其形成方法。此方法包括提供具有阵列区及多个晶胞区的半导体基板，且每一晶胞区具有两条字线。形成第一材料层于半导体基板上，其中第一材料层的上表面具有凹口介于两个相邻的晶胞区之间。形成第二材料层于第一材料层上并填入凹口中。位于凹口底部的第二材料层具有第一厚度，且位于晶胞区的第二材料层具有大于第一厚度的第二厚度。沿着凹口进行第一蚀刻步骤穿过第一及第二材料层，以形成字线隔离沟槽介于两个相邻的晶胞区之间。进行第二蚀刻步骤，以扩大字线隔离沟槽的底部。本发明所提供的形成自对准埋入式字线隔离结构的方法，可有效改善存储器装置的临界尺寸，并可简化制造工艺及降低制造成本。
对准埋入式字线隔离结构及其形成方法

[发明专利]光学保护薄膜的结构与制作方法-CN03142808.8无效
发明人： 柯顺祥;赖大王;王伯萍;林其宏;黄丰裕;冯修敏 -专利权人：力特光电科技股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学保护薄膜的结构与制作方法，是于塑料基板上依序设置树脂A与树脂B两种不同树脂薄膜层的导电薄膜结构，来达到抗静电和抗眩目的功能。其中，在树脂A中加有两种粒径规格的导电粒子，较大粒径的导电粒子的粒径横跨两树脂薄膜层的总厚度，且较大粒径的导电粒子中至少有部分可接触或暴露于树脂B薄膜层的最上表面，以提供导电与抗静电功能。而树脂B则选择固化后可提供较佳硬度的材质以提供硬质保护的功效，且不需另外添加导电粒子。此外，于较接近树脂B薄膜层的最上表面附近可添加二氧化硅微小粒子，以提供抗眩目的功能。
光学保护薄膜结构制作方法

[发明专利]形成抗眩抗反射膜的方法-CN03110188.7无效
发明人：林其宏;赖大王;王伯萍;黄丰裕;柯顺祥;冯修敏 -专利权人：力特光电科技股份有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成抗眩抗反射膜的方法，根据本发明的方法，可通过一单次涂布的方式来形成一抗眩抗反射膜，进而达到简化抗眩抗反射膜的制程，与提升抗眩抗反射膜的良率等目的，更好的是，根据本发明的方法，上述的抗眩抗反射膜除了抗眩及抗反射功能之外，更可以同时具有抗污与硬膜等特性，因此，根据本发明方法设计的抗眩抗反射膜可以具有更好的产品竞争力。
形成抗眩抗反射方法