专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有开口的基板的芯片堆叠封装结构及其封装方法-CN200810213646.2有效
  • 林鸿村;吴政庭 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2008-08-19 - 2010-02-24 - H01L25/00
  • 本发明是一种芯片堆叠结构,其包含:基板,具有正面及背面且分别配置有线路布局及具有开口贯穿基板;第一芯片,具有主动面及背面,其中第一芯片的主动面朝下,且通过第一黏着层将第一芯片的部份背面贴附在基板的背面上,并曝露出未被第一黏着层覆盖的第一芯片的部份背面;第二芯片,具有主动面及背面,其中第二芯片的主动面朝上,且通过第二黏着层将第二芯片的背面固定在第一芯片的背面上;第一导线,电性连接第一芯片的主动面及基板的背面;第二导线,电性连接第二芯片的主动面及基板的正面;第一封装体,包覆第一芯片、第一黏着层、第一导线及基板的背面;第二封装体,包覆第二芯片、第二黏着层、第二导线、第一芯片的部份背面及基板的部份正面;及导电元件,其设置在基板的正面上。
  • 具有开口芯片堆叠封装结构及其方法
  • [发明专利]具有凹槽的基板的芯片堆叠封装结构及其封装方法-CN200810213650.9无效
  • 林鸿村;吴政庭 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2008-08-19 - 2010-02-24 - H01L25/00
  • 本发明是一种芯片堆叠结构,其包括:基板,具有正面及背面且具有凹槽设置在基板的正面内及多个通孔在基板的两侧;导电层,设置在多个通孔内以形成多个导电柱;第一芯片,具有主动面及背面,且将主动面朝上并通过第一黏着层将第一芯片的背面固接在基板的凹槽的表面上;多条第一导线,用以电性连接第一芯片及基板的凹槽的表面;第二黏着层,包覆部份第一导线及第一芯片;第二芯片,具有主动面及背面,且将主动面朝上并通过背面与第二黏着层连接,且第二黏着层包覆部份第一导线;多条第二导线,用以电性连接第二芯片及基板的凹槽的表面;封装体,用以包覆第一芯片、第二芯片、多条第一导线、多条第二导线及基板的部份正面;及多个导电元件,其设置在曝露于基板的正面的多个导电柱的表面上。
  • 具有凹槽芯片堆叠封装结构及其方法
  • [发明专利]半导体封装结构-CN200810213649.6无效
  • 林鸿村;吴政庭 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2008-08-19 - 2010-02-24 - H01L25/00
  • 本发明是一种半导体封装结构,其包含:基板,具有正面及背面,且具有开口穿透过基板;第一芯片,具有主动面及背面,主动面朝上通过第一黏着层覆盖在开口,并通过第一黏着层贴附在基板的背面上;第一导线,通过开口电性连接第一芯片及基板的正面;第二黏着层,包覆第一导线及覆盖在第一芯片的主动面上的焊垫及基板的部份正面;第二芯片,具有主动面及背面,第二芯片的背面是相对于第一芯片朝下且主动面朝上,通过第二黏着层贴附在基板的正面上;第二导线,电性连接第二芯片的主动面及基板的正面;第一封装体,包覆第一芯片、第一黏着层、第一导线及基板的部份背面;第二封装体,包覆第二芯片、第二黏着层、第二导线及基板的部份正面;及导电组件,其设置在基板的背面上。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]芯片封装结构-CN200810083178.1有效
  • 林鸿村;林峻莹;陈煜仁 - 南茂科技股份有限公司
  • 2008-03-04 - 2009-09-09 - H01L23/488
  • 本发明公开了一种芯片封装结构,其包括基板、芯片、多个凸块以及封装胶体。基板具有至少一开口,且具有多个第一焊垫以及多个焊球垫,其中第一焊垫与焊球垫分别配置于基板的二个相对表面上。芯片具有主动表面以及位于主动表面上的多个第二焊垫,其中芯片的主动表面是面向基板。凸块配置于第一焊垫与第二焊垫之间,并连接第一焊垫与第二焊垫。封装胶体包覆芯片与凸块,且填满开口。
  • 芯片封装结构
  • [发明专利]覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其制程-CN200810009773.0无效
  • 吴政庭;林鸿村;林峻莹;陈煜仁 - 南茂科技股份有限公司
  • 2008-02-15 - 2009-08-19 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程。首先,提供一辅助基板。然后,在辅助基板上形成多个引脚。接着,形成一介电层,以覆盖辅助基板,且至少暴露出这些引脚的上表面。之后,在介电层上形成重配置线路层,而重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接这些焊垫和这些引脚的上表面的导线。随后,形成一防焊层,覆盖重配置线路层、介电层与这些引脚,且防焊层暴露出这些焊垫的表面。继之,在防焊层上形成粘着层。之后,提供一芯片,芯片上具有凸块。而且,通过粘着层使芯片贴附于防焊层上,以使各凸块分别与其中一个焊垫电性连接。
  • 覆晶式四方扁平引脚封装结构及其
  • [发明专利]减少基板线路层的晶片封装构造及其晶片载体-CN200710096969.3有效
  • 林鸿村;杜武昌;吴政庭 - 南茂科技股份有限公司
  • 2007-04-23 - 2008-10-29 - H01L23/488
  • 本发明是有关于一种减少基板线路层的晶片封装构造及其晶片载体。该晶片封装构造,主要包含一基板、一粘晶层、一晶片、至少一跳接焊线以及复数个电连接元件。该基板具有一上表面与一下表面,其中该上表面定义有一粘晶区,以供该粘晶层的形成。该晶片粘接于该粘晶层。例如焊线的电连接元件电性连接该晶片至该基板。该跳接焊线的两端皆连接在该基板的复数个接指。其中,该跳接焊线的至少一部位是密封于该粘晶层内。因此,该跳接焊线可取代基板内的线路与导通孔,藉此可以减少基板的线路层,并在封胶时固定该跳接焊线。另外本发明还揭示了该晶片封装构造的晶片载体。
  • 减少线路晶片封装构造及其载体
  • [发明专利]芯片封装结构-CN200710007310.6有效
  • 林鸿村 - 南茂科技股份有限公司
  • 2007-01-19 - 2008-07-23 - H01L23/488
  • 一种芯片封装结构,其包括一线路基板、一芯片、一粘着层、多条导线与一封胶。线路基板具有一第一表面、一第二表面、一开槽与一焊罩层,其中焊罩层配置在第一表面上,且焊罩层具有一第一开口与一第二开口,其分别暴露出部分第一表面,并分别位于开槽的长度方向的两侧。芯片配置于第一表面上,并至少覆盖部分开槽、部分第一开口与部分第二开口。粘着层配置于芯片与线路基板之间,并位于开槽、第一开口与第二开口的两侧。导线经由开槽连接芯片与线路基板的第二表面。封胶包覆芯片、粘着层、导线与部分线路基板,且封胶还填入开槽、第一开口与第二开口。因此相较于现有技术,在可靠度测试的情况下,此种芯片封装结构具有较佳的可靠度。
  • 芯片封装结构
  • [发明专利]冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法-CN200710003632.3有效
  • 林鸿村 - 南茂科技股份有限公司
  • 2007-01-18 - 2008-07-23 - H01L21/60
  • 本发明是有关于一种冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法。冲裁式无外引脚封装构造的制造方法,包括以下步骤:提供一导线架,具有复数载体单元,每一载体单元内形成有复数引脚;设置复数个晶片至导线架,并使该些晶片电性连接至该些引脚;形成复数个封胶体于该些载体单元,以结合该些引脚;进行一半冲裁步骤,沿着该些封胶体外周缘形成复数半凹缺口于该些引脚;进行一电镀步骤,形成一电镀层于该些引脚包含该些半凹缺口的外露表面;以及进行一全冲裁步骤,沿着该些半凹缺口切断该些引脚,而分离成个别的封胶体。本发明可解决现有单程冲裁制程中会引起冲裁式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落与毛边等问题,而能提升制程优良率,更可增加引脚电镀面积,非常适于实用。
  • 冲裁式无外引封装构造及其制造方法
  • [发明专利]具有散热结构的堆栈芯片封装-CN200610149768.0有效
  • 陈煜仁;沈更新;林鸿村 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2006-11-27 - 2008-06-04 - H01L25/00
  • 一种于导线架设置有汇流架的堆栈式封装结构,包含导线架,由多个相对排列的内引脚群与外引脚群及一个芯片承座所组成,芯片承座设置于内引脚群之间且与内引脚群形成高度差,以及至少一个具有上表面及下表面并设置于内引脚群与芯片承座之间的汇流架;一个多芯片偏移堆栈结构,由多个芯片堆栈而成,此多芯片偏移堆栈结构固接于芯片承座的第一表面上且与内引脚群形成电连接;及一个封装体,包覆多芯片偏移堆栈结构及内引脚群、芯片承座的第一表面及汇流架的上表面,并暴露出芯片承座的第二表面及汇流架的下表面,并将外引脚群伸出于封装体外。
  • 具有散热结构堆栈芯片封装

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