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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]X光散射测量的方法-CN201711320393.4有效
发明人：冯世鑫;王仲伟;黄忠利;林逸宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：X光散射测量的方法包含形成测试键。测试键的形成包含形成第一多个半导体条，将第一多个半导体条切割成第二多个半导体条的阵列，阵列的每一列由第一多个半导体条中的一条形成，在第二多个半导体条之间的凹陷中形成隔离区，以及将隔离区凹陷。第二多个半导体条的顶部凸出高于隔离区而形成半导体鳍片，其形成鳍片阵列。此方法还包含将X光束投射至测试键上，以及从测试键散射的散射X光束得到绕射图案。
散射测量方法

[发明专利]集成电路制造系统-CN202110982312.7在审
发明人： 林逸宏;李志鸿;卢昶伸;李资良;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路制造系统，包括：室，在所述室中对衬底进行集成电路制造；加热装置，用于在所述集成电路制造过程中加热所述衬底；和衬底保持器件，用于在所述集成电路制造期间将所述衬底固定在所述室中，其中所述衬底保持器件包括：基部，具有基本圆形表面和从基本圆形表面延伸的圆柱形表面，以及连续的环形部分，设置在基部内并且具有在所述环形部分上限定的接触表面，其中所述接触表面配置为接触被保持的所述衬底的边缘，所述衬底保持器件不接触被保持的所述衬底的圆周表面。
集成电路制造系统

[发明专利]具有改进的热特性的晶圆基座-CN201510239192.6有效
发明人： 林逸宏;李志鸿;卢昶伸;李资良;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有改进的热均匀性的衬底保持器件。在一个示例性实施例中，衬底保持器件包括具有限定的周边的基本圆形的第一表面、设置在周边处的多个接触区域、以及也设置在周边处的多个非接触区域。接触区域与非接触区域穿插设置。在非接触区域中的每一个内，第一表面延伸经过第一表面结束于接触区域中的每一个内。在一些这种实施例中，多个接触区域中的每个区域包括设置在第一表面上方的接触表面。本发明还涉及具有改进的热特性的晶圆基座。
具有改进特性基座

[发明专利]计量系统及使用计量系统的测量方法-CN201611138804.3有效
发明人：洪英杰;游明华;林逸宏;张哲荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种厚度测量的方法，包括在半导体衬底内形成注入区。在半导体衬底的注入区上形成半导体层。在半导体衬底的注入区内产生调制自由载流子。在半导体层和在其中带有调制自由载流子的半导体衬底的注入区上提供探针光束。检测自半导体层和注入区反射的探针光束以确定半导体层的厚度。本发明实施例涉及计量系统及使用计量系统的测量方法。
计量系统使用测量方法

[发明专利]预沉积处理和原子层沉积（ALD）工艺及其形成的结构-CN201510784312.0有效
发明人：蔡承晏;李达元;李欣怡;蔡明兴;曹学文;张文;洪英杰;林逸宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。
沉积处理原子 ald 工艺及其形成结构

[发明专利]用于光辅助工艺中的损坏减小的系统和方法-CN201510172013.1有效
发明人： 林逸宏;林圣欣;洪英杰;黄玉廷;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法实施例包括提供具有损坏的表面的介电层以及修复介电层的损坏的表面。修复损坏的表面包括：将介电层的损坏的表面暴露于前体化学物质，使用光能活化前体化学物质，以及当活化前体化学物质时，过滤掉光能的光谱。本发明还涉及用于光辅助工艺中的损坏减小的系统和方法。
用于辅助工艺中的损坏减小系统方法

[发明专利]量测方法-CN201610928280.1在审
发明人：洪英傑;林逸宏;周有伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种用于半导体样品的布植剂量分布的量测方法。量测方法包含在半导体样品的三维结构中产生光调变效应且量测三维结构的反射信息。获得半导体样品的三维结构的几何形状信息。将三维结构的几何形状信息转换成估计反射数据。比较反射信息与估计反射数据以判定半导体样品的三维结构的布植剂量分布。
方法

[发明专利]伪FinFET结构及其制造方法-CN201210571175.9有效
发明人：卢昶伸;彭治棠;黄泰钧;郑培仁;连浩明;林逸宏;李资良;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种FinFET器件可以包括与有源FinFET结构横向相邻的伪FinFET结构，从而减小了有源FinFET结构上的应力失衡和应力失衡的影响。该FinFET器件包括：包括有多个半导体鳍状件的有源FinFET以及包括有多个半导体鳍状件的伪FinFET。有源FinFET以及伪FinFET彼此横向地间隔了与有源FinFET的鳍状件间距相关的距离。本发明还提供了一种伪FinFET结构及其制造方法。
finfet 结构及其制造方法

[发明专利]用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器-CN201210418561.4有效
发明人： 林逸宏;李志鸿;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H05B3/00 文献下载
摘要：蜂巢状锥形加热器包括灯罩，其中灯罩具有形成部分圆的外边缘。灯罩具有从灯罩顶面延伸至底面的开口。开口进一步从外边缘延伸至灯罩的中心区域。多个灯被排布为遍及所述灯罩，并被配置为将光发出至灯罩的顶面之外。本发明还公开了用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器。
用于集成电路制造蜂巢锥形加热器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210005711.9有效
发明人：李彦儒;游明华;李资良;李启弘;蔡邦彦;舒丽丽;林逸宏;郑有宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种用于制造半导体器件的方法。在衬底的腔室中且邻近衬底中的隔离结构形成应变材料。应变材料具有位于衬底的表面上方的角部。所公开的方法提供了改进方法，该改进方法用于形成邻近隔离结构并具有位于衬底腔室中的增加部分的应变材料，从而增强载流子迁移率并且提升器件性能。在实施例中，采用蚀刻工艺通过去除至少一部分角部来再分布应变材料使其位于腔室中，从而实现改进的形成方法。本发明提供了半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]通过使用组合外延生长减少变化-CN201210008193.6有效
发明人：郑有宏;李启弘;李资良;林逸宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过使用组合外延生长减少变化的方案，其中具体公开了一种用于形成半导体结构的方法，包括：在晶圆中的半导体衬底之上形成栅极堆叠件；在半导体衬底中以及与栅极堆叠件相邻地形成凹槽；以及执行选择外延生长以在凹槽中生长半导体材料，从而形成外延区域。执行选择外延生长的步骤包括：利用在第一生长阶段中使用的工艺气体的第一E/G比率执行第一生长阶段；以及利用不同于第一E/G比率的、在第二生长阶段中使用的工艺气体的第二E/G比率执行第二生长阶段。
通过使用组合外延生长减少变化

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