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[发明专利]一种P型硅基底的背结背接触太阳电池及其制作方法-CN202011613022.7在审
发明人：常纪鹏;王永谦;田得雨;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型硅基底的背结背接触太阳电池及其制备方法，属于太阳电池制备领域，包括以下步骤：对P型单晶硅片双面抛光；对P型单晶硅片的正面进行制绒；对所述P型单晶硅片的正面、背面均进行磷扩散；单独去除背面上的第二磷硅玻璃层，保留背发射区；在背发射区上沉积氮化硅掩膜层；对氮化硅掩膜层进行开槽处理；对P型单晶硅片进行刻蚀抛光处理；对P型单晶硅片上的最终凹槽的槽面进行硼扩散；去除第一磷硅玻璃层、氮化硅掩膜层、硼硅玻璃层；在P型单晶硅片的正面形成钝化减反射膜，在P型单晶硅片的背面形成钝化层；在钝化层上间隔印刷电极，以形成负电极和正电极。本发明的优点在于在保证性能的同时，可以有效降低成本。
一种基底背结背接触太阳电池及其制作方法

[发明专利]用于HJT电池的多本征层非晶硅钝化层结构及其制备方法-CN202011618829.X在审
发明人：王永谦;林海;田得雨;吴智涵;解观超;董必亮;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于HJT电池的多本征层非晶硅钝化层结构，属于光伏电池技术领域。本发明对用于HJT电池的非晶硅本征层的结构进行优化，采用多层本征层结构，加强本征层的钝化作用，可以有效防止在沉积氢化非晶硅本征层的过程中形成外延硅。每个本征层起着提高不同的电性能参数的作用，可以进一步优化HJT电池的电性能。同时，将氢处理放在本征层的最后，既可以有效减轻对硅片表面的离子轰击，又可以强化钝化本征层和硅片的作用，为实现高效率电池提供坚实的基础。
用于 hjt 电池征层非晶硅钝化结构及其制备方法

[发明专利]一种提高光电转换效率的异质结电池-CN202210186569.6在审
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电转换效率的异质结电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，以及沉积于所述n型硅基底正背面的本征非晶硅；所述n型硅基底的正面自上而下依次设置有正面电极、第一TCO层、混合层以及本征非晶硅，且所述n型硅基底的背面自下而上依次设置有背面电极、第二TCO层、掺杂非晶硅以及本征非晶硅；其中，所述混合层包括第一p型掺杂非晶硅以及膜层，所述第一p型掺杂非晶硅采用镂空设计，所述膜层填充设置在所述第一p型掺杂非晶硅的镂空处，所述掺杂非晶硅为第一n型掺杂非晶硅；通过这种混合相的膜层设计，可以在保证HJT电池其它参数保持同一水平的前提下，打破HJT电池对于光生电流的上限，从而使其能够达到更高的转换效率。
一种提高光电转换效率异质结电池

[发明专利]一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法、设备及PERC电池-CN201911231256.2有效
发明人：杨苏平;黄石明;曾超;方结彬;林纲正;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法，其包括：(1)降低太阳电池的光致衰减；(2)将降低光致衰减的太阳电池预热至150‑450℃；(3)将太阳电池在第一温度范围内进行第一光照处理，持续第一时间；(4)将太阳电池在第二温度范围内进行第二光照处理，持续第二时间；(5)将所述太阳电池降温冷却；其中，所述第一温度范围的最高温度≥所述第二温度范围的最高温度；所述第一时间≤所述第二时间。本发明通过预热、高温光热处理、低温光热处理、降温的工序，有效排H并促进H和B‑O复合体由不稳定态再生恢复为钝化稳定态，从而有效降低太阳电池的CID衰减率。
一种降低 perc 太阳电池载流子衰减方法设备电池

[发明专利]一种N型HIBC太阳电池的制备方法-CN202011496014.9在审
发明人：常纪鹏;王永谦;田得雨;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型HIBC太阳电池的制备方法，属于太阳电池制备领域，包括：在单晶硅片正面依次形成第一非晶硅钝化层和减反射膜层；在所述单晶硅片的背面采用可分离的硬质掩膜版进行紧贴覆盖，硬质掩膜版采用间隔排列覆盖，在未被硬质掩膜版覆盖的区域形成凸起层；对单晶硅片的背面上硬质掩膜版的覆盖区域进行刻蚀清洗，去除该区域内的晶硅基底，形成凹槽；在凸起层上印刷油墨掩膜材料，以形成油墨保护层；在单晶硅片的背面所有区域均依次形成三种膜；单晶硅片的背面进行清洗，剥离油墨保护层；印刷电极。本发明的优点在于简化制备工艺，非常有利于大规模生产。
一种 hibc 太阳电池制备方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳电池结构及制备方法-CN202011501391.7在审
发明人：常纪鹏;王永谦;张建军;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳电池结构，属于太阳电池结构领域，包括N型单晶硅片、位于N型单晶硅片上表面的N型非晶硅层、位于N型单晶硅片下表面的P型非晶硅层，所述N型非晶硅层上方设有上电极，所述P型非晶硅层下方设有下电极，所述上电极和N型非晶硅层之间设有一层或者多层氮化物薄膜层，所述氮化物薄膜层沉积在所述N型非晶硅层的上表面，所述P型非晶硅层和所述下电极之间设有TCO透明导电薄膜层。本发明还公开了制备上述硅基异质结太阳电池结构的制备方法。本发明的优点在于能够提高太阳电池结构的短路电流。
一种硅基异质结太阳电池结构制备方法

[发明专利]一种提高光电转换效率的异质结电池-CN202111620193.7有效
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电转换效率的异质结电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，以及沉积于所述n型硅基底正背面的本征非晶硅；所述n型硅基底的正面自上而下依次设置有正面电极、第一TCO层、混合层以及本征非晶硅，且所述n型硅基底的背面自下而上依次设置有背面电极、第二TCO层、掺杂非晶硅以及本征非晶硅；通过这种混合相的膜层设计，可以在保证HJT电池其它参数保持同一水平的前提下，打破HJT电池对于光生电流的上限，从而使其能够达到更高的转换效率。
一种提高光电转换效率异质结电池

[实用新型]一种光伏产品电镀用阴极导电保湿装置和电镀设备-CN202121947420.2有效
发明人：侯彬彬;朱玮;王永谦;林纲正 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏产品电镀用阴极导电保湿装置，属于太阳能光伏产品电镀设备领域，包括阴极组件，光伏产品电镀时，所述阴极组件与阳极组件、光伏产品组成闭合回路，所述阴极组件包括毛刷部，所述阴极导电保湿装置还包括滴水构件，所述滴水构件位于阴极组件上方，所述滴水构件内设有储水腔，在不电镀状态下，所述储水腔内的水滴落至所述阴极组件上的毛刷部。本实用新型还公开了一种光伏产品的电镀设备。本实用新型的优点在于能够让阴极组件上的毛刷在不进行电镀作业时保持适度湿润状态。
一种产品电镀阴极导电保湿装置设备

[发明专利]一种降低掺硼PERC电池载流子衰减的方法、设备及电池-CN201911231479.9有效
发明人：杨苏平;黄石明;曾超;吴波;林纲正;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低掺硼PERC电池载流子衰减的方法，其包括：(1)降低太阳能电池片的光致衰减；(2)将所述太阳能电池片在300‑600℃进行退火；(3)将所述太阳能电池片预热至120‑250℃；(4)在一定温度条件下，向太阳能电池片通入电流；(5)将所述太阳能电池片冷却至室温；本发明通过退火、预热、多次电注入、冷却的工艺，有效降低了氢化衰减和杂质引起的衰减，同时促进了H和B‑O复合体由不稳定态再生恢复为钝化稳定态，从而有效降低太阳电池的CID衰减率。本发明还公开了一种降低掺硼PERC电池在载流子衰减的设备，其可嵌入现有生产线，适合大规模工业化生产。
一种降低 perc 电池载流子衰减方法设备

[发明专利]一种叠瓦太阳能电池的扩散方法和叠瓦太阳能电池-CN202210036772.5在审
发明人：庞瑞卿;吕闯;李吉;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种叠瓦太阳能电池的扩散方法和叠瓦太阳能电池。叠瓦太阳能电池的扩散方法包括：在硅片的电阻率大于或等于预设电阻率阈值的情况下，对磷沉积处理后的硅片进行第一预设次数的推进处理；在硅片的电阻率小于预设电阻率阈值的情况下，对磷沉积处理后的硅片进行第二预设次数的推进处理。如此，可以有针对性地提高硅片制成的叠瓦太阳能电池的PN结结深和击穿电压，提高叠瓦太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池扩散方法

[外观设计]单面太阳能电池片（16-2）-CN201830427279.0有效
发明人：方结彬;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 13-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：单面太阳能电池片（16‑2）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品单面吸收光能并转换成电能，用于制备太阳能电池组件。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的形状及其图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：本外观设计的俯视图、仰视图、左视图及右视图没有设计要点，故省略俯视图、仰视图、左视图及右视图。6．指定基本设计：设计1。
单面太阳能电池 16

[外观设计]贯孔叠瓦太阳能电池组件（4-3）-CN201830426757.6有效
发明人：方结彬;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 13-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：贯孔叠瓦太阳能电池组件（4‑3）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于吸收光能并转换成电能。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的形状及其图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：本外观设计的俯视图、仰视图、左视图及右视图没有设计要点，故省略俯视图、仰视图、左视图及右视图。6．指定基本设计：设计1。
贯孔叠瓦太阳能电池组件

[外观设计]单面太阳能电池片（16-3）-CN201830426724.1有效
发明人：方结彬;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 13-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：单面太阳能电池片（16‑3）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品单面吸收光能并转换成电能，用于制备太阳能电池组件。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的形状及其图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：本外观设计的俯视图、仰视图、左视图及右视图没有设计要点，故省略俯视图、仰视图、左视图及右视图。6．指定基本设计：设计1。
单面太阳能电池 16

[外观设计]太阳能电池片（3-1）-CN201830426623.4有效
发明人：方结彬;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 13-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：太阳能电池片（3‑1）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于吸收光能并转换成电能。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的形状及其图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：本外观设计的俯视图、仰视图、左视图及右视图没有设计要点，故省略俯视图、仰视图、左视图及右视图。6．指定基本设计：设计1。
太阳能电池

[发明专利]一种新型隧穿钝化接触结构电池及其制备方法-CN202111622495.8在审
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种新型隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，n型单晶硅基底的正面自下而上依次设置有p型发射极、钝化层以及减反射层，减反射层上固设有正面电极，正面电极的下端向下延伸至p型发射极，其中，n型单晶硅基底的背面自上而下依次设置有层、n‑poly‑si层、TCO层以及固设于TCO层上的背面电极；其中，减反射层为n‑poly‑si层，n‑poly‑si层的厚度为20nm‑30nm，相较于现有的topcon电池而言，n‑poly‑si层最小仅需20nm就可以满足钝化接触，从而实现制备成本降低，同时，在厚度如此幅度的降低的前提下，大大减少了掺杂多晶硅层的寄生吸收带来的电流损失，进一步提高该电池的转换效率；本发明还公开了其制备方法，通过引入低温银浆工艺，规避了高温银浆带来的烧结扩散问题。
一种新型钝化接触结构电池及其制备方法