“林游辉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种新型太阳能电池片-CN201220327266.3有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型太阳能电池片，包括单晶硅片、铝线和吸收层，所述单晶硅片上设置吸收层，所述吸收层为绒面设计，所述铝线有两根，平行等距设在吸收层上。该太阳能电池片的构思独特，结构简单，进一步提高了太阳能的利用效率，延长本身的使用寿命，避免了浪费。
一种新型太阳能电池

[实用新型]一种单晶硅加热防尘装置-CN201220327240.9有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅加热防尘装置，包括坩埚轴、托盘、法兰、磁流体、压板和多层保温板，所述坩埚轴顶部设有托盘，所述托盘下方设有法兰，所述法兰下方设有磁流体，包裹在坩埚轴外部，所述磁流体下方设有压板，所述压板下方设有多层保温板。该防尘装置的构思独特，结构简单，该装置的整体性结构，既方便快捷，有增强了其周密性，大大提高了生产效率，延长设备的使用寿命，避免了浪费。
一种单晶硅加热防尘装置

[实用新型]一种单晶硅运送车-CN201220327239.6有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅运送车，包括上层、车底座、行走轮、中横杆、支撑杆、支撑斜板、拉杆、转轴和耐高温陶瓷层，所述车底座下方设有行走轮，所述中横杆设在车底座的中间，所述支撑杆等距设在中横杆的两侧，所述支撑斜板有多个，所述转轴设在车底座的一端，所述拉杆用过转轴与车底座连接，其长度和倾斜度可自由调节，所述耐高温陶瓷层涂在整个运送车的外部，所述上层的结构和车底座的上方结构完全相同。该运送车的构思独特，结构简单，有利于缩短单晶硅的运送时间，降低在运送途中的损耗，大大减轻了工人的劳动强度，提高了生产效率。
一种单晶硅运送

[发明专利]单晶炉用自控式加热系统-CN201210205675.0有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉用自控式加热系统，包括置于炉体内上石墨加热器、下石墨加热器，上石墨加热器、下石墨加热器分别连接有电源系统，上石墨加热器、下石墨加热器分别呈方波状，上石墨加热器、下石墨加热器的间距内设有梳状排布的导热板，相邻的导热板之间有连接筋，上石墨加热器的下端与下石墨加热器的上端之间有间隙，上石墨加热器下端与下石墨加热器上端的间隙中设有隔热板，隔热板伸向坩埚；采用了分段式组合石墨加热器，双电源系统，化料时双石墨加热器同时工作，大大缩短了熔硅时间，化料结束后降低下石墨加热器功率，以上石墨加热器为主石墨加热器进行生长，使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差。
单晶炉用自控加热系统

[发明专利]防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204934.8无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺，包括以下步骤： a)融化：加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1570℃，将多或单晶硅原料熔化； b)放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得硅单晶的直径渐渐增大到所需的大小，围绕于硅单晶棒外设有热屏，由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射，同时也减弱了对固-液界面热辐射力度，在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。同时采用热屏后，加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
防热辐射直拉多单晶硅制备工艺

[发明专利]复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204935.2无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了复合加热防辐射式直拉多或单晶硅制备工艺，包括有以下步骤：a)、加料：将多或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质种类有硼、磷、氮；b)、融化：加完多或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1420℃以上，将多或单晶硅原料熔化，化料时上加热器、下加热器同时工作，化料结束后降低下加热器功率，以上加热器为主加热器进行生长；使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差；加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
复合加热防辐射式直拉多单晶硅制备工艺

[发明专利]单晶炉用伸展式热屏蔽器-CN201210205680.1有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉用伸展式热屏蔽器，包括有围绕于硅单晶棒外热屏，热屏的上端连接有热屏上盖，热屏上盖的下方设有上保温筒，所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成，热屏呈圆台状，且具有中央通道，热屏与热屏上盖之间的夹角为40-50°，中央通道的纵剖面为梯形，热屏外侧滑动配合有延伸热屏，延伸热屏外侧连接有推动气缸，推动气缸的缸体固定于热屏上盖上。在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度，同时采用延伸热屏后，可以调节氩（氮）气流对固-液界面的吹拂高度，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
单晶炉用伸展屏蔽

[发明专利]直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204933.3无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉多或单晶硅制备工艺，包括有以下操作步骤：a)加料：将多晶硅或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定，杂质种类有硼、磷、氮；b)融化：加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，氮气的纯度为98％以上，氮气压力为0.06-0.2MPa,氮气流量80-100L/min,然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1420℃以上，将多晶硅或单晶硅原料熔化；c)缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm。本发明用氮气流取代现有氩气流，大大抑制了硅中的微缺陷，增强了硅材料的机械强度，使出片率大大提高，并且破片率低，从而降低单晶硅的生产成本，同时少子寿命有明显提高。
直拉多单晶硅制备工艺

[发明专利]除氧型单晶炉-CN201210205698.1无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种除氧型单晶炉，包括置于炉体内上加热器、下加热器、以及围绕于硅单晶棒外热屏，上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部，上加热器、下加热器分别连接有电源系统，所述的上加热器、下加热器分别呈方波状，上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙，且上加热器大于下加热器的竖向高度，所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板，隔热板伸向坩埚；热屏的上端连接有热屏上盖，热屏上盖的下方设有上保温筒，所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成，中央通道的纵剖面为梯形。使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差；加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
氧型单晶炉

[发明专利]单晶炉用热屏蔽器-CN201210205703.9无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了单晶炉用热屏蔽器，包括有围绕于硅单晶棒外热屏，热屏的上端连接有热屏上盖，热屏上盖的下方设有上保温筒，所述热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成，热屏呈圆台状，且具有中央通道，热屏与热屏上盖之间的夹角为40-50°，中央通道的纵剖面为梯形。由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射，同时也减弱了对固-液界面热辐射力度，在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。同时采用热屏后，加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
单晶炉用热屏蔽

[发明专利]单晶炉用均热式加热系统-CN201210205299.5无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉用均热式加热系统，包括置于炉体内上加热器、下加热器，上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部，上加热器、下加热器分别连接有电源系统，所述的上加热器、下加热器分别呈方波状，上加热器、下加热器的间距内设有梳状排布的导热板，相邻的导流板之间有连接筋，上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙，且上加热器大于下加热器的竖向高度，所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板，隔热板伸向坩埚。采用了分段式组合加热器，双电源系统，化料时双加热器同时工作，大大缩短了熔硅时间，化料结束后降低下加热器功率，以上加热器为主加热器进行生长，使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差。
单晶炉用均热加热系统

[发明专利]单晶炉加热系统-CN201210205336.2无效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉加热系统，包括置于炉体内上加热器、下加热器，上加热器、下加热器分别正对于坩埚的上部、下部，上加热器、下加热器分别连接有电源系统，所述的上加热器、下加热器分别呈方波状，上加热器的下端与下加热器的上端之间具有间隙，且上加热器大于下加热器的竖向高度，所述的上加热器下端与下加热器上端的间隙中设有隔热板，隔热板伸向坩埚。采用了分段式组合加热器，双电源系统，化料时双加热器同时工作，大大缩短了熔硅时间，化料结束后降低下加热器功率，以上加热器为主加热器进行生长，使热场的底部温度下降且不影响晶体的生长，减小了传统热场顶部与底部的温差。
单晶炉加热系统

[实用新型]单晶体炉的炉体散热装置-CN201120264678.2有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶体炉的炉体散热装置，包括有筒形的加热器，所述加热器外为炉体，炉体内壁与加热器之间设有保温层，所述的炉体内设有夹层，夹层内设有螺旋状的铜管风道，铜管风道与炉体内壁、外壁相贴合，铜管风道的进风端设有鼓风机，出风端连接到加热设备中。本实用新型迅速将车间内的温度输送到外界，炉体外壁的温度得到降低，保证了炉体的使用寿命，同时余热可用来加热有用的场合。
单晶体散热装置

[实用新型]一种单晶炉-CN201120264834.5有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉，包括有炉体、副炉，炉体内依次设有保温层、石墨加热器、石墨坩埚，石墨坩埚上方设有导流环，石墨坩埚下方设有锅托，副炉的顶端设有提升电动机，提升电动机下方连接有钢丝，钢丝下端连接有钼棒，钼棒下端固定有籽晶，副炉外设有油缸，副炉的侧壁与油缸的活塞杆固定连接。本实用新型的炉体内的密封性能进一步提高，能够节约多晶硅的使用量，使用单晶炉寿命延长，且生产成本降低。
一种单晶炉

[实用新型]一种单晶硅的切料装置-CN201120264659.X有效
发明人： 林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅的切料装置，包括有工作台，工作台上固定有多个横向排布的滑道，滑道两端滑动安装有相对合的压料块，压料块之间夹置有单晶棒，压料块上设有梯形凹槽内，工作台后端设有横向的导轨，导轨上滑动安装有锯齿，工作台的前端设有导料块，导料块上设有V形槽。本实用新型的结构设计合理，切割过程更加稳定方便快捷，切割面整齐平整，提高了切割质量和切割效率。
一种单晶硅装置

1
2
下一页»
尾页
共 27 条