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[发明专利]联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法-CN202311198439.5在审
发明人： 林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于联合钝化背接触电池制备技术领域，具体涉及联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法，方法包括：S101、提供双面抛光并清洗后的硅片；S102、在硅片的背面依次形成第一半导体层、掩膜层，S103、背面形成第二半导体开口区；S104、先通过碱溶液进行制绒，在硅片正面形成绒面，同时在第二半导体开口区的侧面边缘形成边缘侧蚀区；之后通过超声波工艺进行清洗，通过清洗溶液进行清洗；S105、正面形成钝化层；S106、背面形成第二半导体层；S107、正面形成减反层。本发明显著提升了钝化效果，简化了工艺流程，提高了产品的可靠性，提高电池的少子寿命，从而提升电池转换效率。
联合钝化接触电池去除残留掩膜层后制绒方法

[发明专利]电池正背面同时生长不同厚度多晶硅的方法和背接触电池-CN202311183441.5在审
发明人： 林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及电池正背面同时生长不同厚度多晶硅的方法和背接触电池，方法包括：S1、提供背面抛光正面制绒的硅片；S2、控制硅片成对间隔设置且正面面对面设置，成对硅片的正面之间的间距为S1，前一成对硅片的背面与相邻的后一成对硅片的背面之间的间距为S2；在硅片的正面和背面同时形成隧穿氧化层、同时形成本征多晶硅，在正面形成第一本征多晶硅且厚度为L1，在背面形成厚度L2第二本征多晶硅，[S1/(2×S2)]+0.1≤L1/L2≤[S1/(2×S2)]+0.3；S3、采用扩散退火工艺掺杂；S4、清洗。本发明能够实现双面不同厚度多晶硅的同时生长，同时提高导电性和电池转换效率。
电池背面同时生长不同厚度多晶方法接触

[发明专利]一种电解液及其制备方法和电池、电化学器件以及组件-CN202311182346.3在审
发明人： 林楷睿 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/0569 文献下载
摘要：本发明属于电解液技术领域，具体涉及一种电解液及其制备方法和电池、电化学器件以及组件，电解液包括电解质盐和溶剂，所述溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述第一溶剂和第二溶剂的体积比为2‑5：1，且所述电解液的介电常数ε为5‑7，电解液的供体数DN为10‑13。所述第一溶剂包括式一所示化合物，所述第二溶剂包括式二所示化合物。本发明能够平衡电解液的各项性能，不仅显著增强溶剂与电解质盐的溶剂化能力，不存在电解液分层问题、普适性强，还具有灭火作用和高导热性以及优异的电化学性能，且为清洁型电解液。
一种电解液及其制备方法电池电化学器件以及组件

[发明专利]一种双官能团离子液体电解液的制备方法-CN202310089021.4在审
发明人：顾明远;许志;林楷睿;鲁兵安 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明公开一种双官能团离子液体电解液的制备方法，其采用功能化离子液体单体，如1‑烯丙基‑3‑乙烯基咪唑双(氟磺酰基)酰亚胺(AVIMFSI)作为溶剂，其中官能团在循环过程中接收电子并聚合生成含聚合物的SEI。原位电聚合法(ISEP‑SEI)形成的SEI均匀，弹性高。其还可以有效地钝化电极表面，同时保持其结构的完整性。基于该电解液的钾电池和锂电池均表现出优异的性能，此外，因其优异的阻燃性，电池还可以在各种恶劣条件下正常运行，如防火测试，显示出具有极具竞争力的高安全性。
一种官能团离子液体电解液制备方法

[发明专利]一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法-CN202311035008.7在审
发明人： 林楷睿;林锦山;黄晓狄;廖培灿;黄天福;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法，背接触电池包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面设置的第一半导体层，所述硅片的背面为倒金字塔绒面结构，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，所述倒金字塔绒面结构具有交替布置的平面和向硅片内凹陷的凹坑，第一掺杂多晶硅层包括多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层，所述多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中均掺杂磷且还掺杂碳和/或氧，多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中掺氧量逐渐递减、掺碳量和掺磷量逐渐递增。本发明能够在保证钝化性能、保证导电性的同时减少背面的寄生吸收，有利于提高短路电流密度和电池转换效率。
一种减少背面寄生吸收接触电池及其制备方法

[发明专利]颜色可调的柔性光伏组件及制备方法和太阳能电池及应用-CN202310693168.4有效
发明人： 林楷睿;许志 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明属于颜色可调的柔性光伏组件技术领域，具体涉及颜色可调的柔性光伏组件及制备方法和太阳能电池及应用，包括电池片，依次设置在电池片受光面一侧的受光面透明胶膜层、前板，依次设置在电池片背面的背面透明胶膜层、背板，还包括第一透明薄膜层和第二透明薄膜层，所述第一透明薄膜层设置在所述电池片受光面上并位于电池片受光面与受光面透明胶膜层之间，所述第一透明薄膜层的靠近电池片受光面一端的密度小于第一透明薄膜层的另一端的密度且两端密度差为0.2‑1.8g/cm3，所述第一透明薄膜层的平均折射率为1.8‑2.2。本发明能够获得高饱和度的不同颜色的颜色可调的柔性光伏组件。
颜色可调柔性组件制备方法太阳能电池应用

[发明专利]正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法-CN202310814819.0有效
发明人：张超华;林楷睿;黄晓狄;林锦山 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括硅片，第一半导体层、第二半导体层，以及在所述硅片正面设置的第三半导体层；所述第三半导体层包括由内向外依次设置的第二隧穿氧化层和第三掺杂多晶硅层，所述第三掺杂多晶硅层为含第一掺杂元素和第二掺杂元素的掺杂多晶硅层，所述第一掺杂元素为磷，第二掺杂元素包括碳、氧中的任一种，且所述第三掺杂多晶硅层的带隙宽度为1.6‑2.1eV。本发明能在保证钝化效果的同时，大幅降低了设备投资成本，大幅减少电池正面第三半导体层的寄生吸收，提高了电池的短路电流，从而提高了电池转换效率。
正面宽带掺杂联合钝化接触太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种背接触电池的背面抛光方法-CN202310713370.9有效
发明人： 林楷睿;皮文慧;林锦山;黄晓狄;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池抛光技术领域，具体涉及一种背接触电池的背面抛光方法，包括以下步骤：S1、将硅片浸没在第一碱液中第一次碱抛，反应结束后水洗烘干；S2、利用高温扩散在S1得到的硅片两侧表面均形成一层磷硅玻璃层；S3、然后去除S2得到的硅片一面的磷硅玻璃层；S4、将S3得到的硅片浸没在第二碱液中进行第二次碱抛，反应结束后水洗；S5、将S4得到的硅片浸没在第三碱液中进行第三次碱抛，反应结束后水洗；S6、去除S5得到的硅片的磷硅玻璃层，水洗烘干。本发明能够减少药液耗量，槽体寿命相对增加，降低硅损并提高表面平整度。
一种接触电池背面抛光方法

[发明专利]一种切片背接触电池及其制备方法-CN202310525001.7有效
发明人： 林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于切片电池技术领域，具体涉及一种切片背接触电池及其制备方法，包括以下步骤：S101、在硅片的背面沉积第一半导体层；S102、在所述第一半导体层外继续沉积半导体掩膜层；S103、在S102所得背面上开设第二半导体开口区，以裸露相应区域的硅片；S104、对S103所得半成品进行两遍式切割；S105、对S104所得硅片切割截面进行等离子处理；S106、之后对S105所得半成品进行清洗、制绒；S107、然后在S106所得半成品的背面沉积第二半导体层。本发明切片背接触电池的制备方法能在尽量不增加制作成本的同时，保证电池转换效率，且提高生产良率。
一种切片接触电池及其制备方法

[发明专利]无焊盘超细主栅背接触电池和背接触电池模组及制备方法-CN202310861730.X在审
发明人： 林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及无焊盘超细主栅背接触电池和背接触电池模组及制备方法，背接触电池包括第一细栅线和第二细栅线，第一主栅线，第二主栅线，以及第一绝缘层，第二绝缘层，所述第一主栅线和第二主栅线的X轴方向上的宽度各自独立地为10‑100μm；所述第一主栅线或第二主栅线分别沿垂直于其所连接的相应细栅线的同一轴线上延伸设置或间隔设置，且在间隔设置时在Y轴方向上相邻两条相应主栅线之间间隔的距离L为5‑100mm。本发明背接触电池具有耗银量低、双面率高的特点，能够提高背接触电池制作模组的生产良率，同时保证较高的CTM值。
无焊盘超细主栅背接触电池模组制备方法

[发明专利]一种电解液及其制备方法和锰酸锂电池-CN202310214189.3有效
发明人：许志;林楷睿;杨与畅 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明属于电解液技术领域，具体涉及一种电解液及其制备方法和锰酸锂电池，包括锂盐溶质、有机溶剂和第一添加剂，其特征在于，所述第一添加剂包括氟化镁、氯化亚铁和氯化铝，所述氟化镁、氯化亚铁和氯化铝的质量比为1：3‑6：0.1‑1。本发明既增加锰酸锂正极结构和负极结构的稳定性，又避免了Li+和Mn3+被消耗，大幅提升了锰酸锂电池的高温稳定性，提升其循环性能和寿命。
一种电解液及其制备方法锂电池

[发明专利]一种可卷绕的轻质光伏组件-CN202310416896.0有效
发明人： 林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于光伏组件技术领域，具体涉及一种可卷绕的轻质光伏组件，包括若干横排电池串单元，所述横排电池串单元包括若干电池硅片，电池硅片正面和背面的栅线结构均包括主栅线和细栅线；主栅线的数量各自独立地为1‑5根，细栅线数量N1小于N2，背面细栅线上设置有沿X轴方向延伸的S形网结线；若干横排电池串单元及其后紧邻的间隔L沿Y轴方向卷绕形成呈有序正多边形分布的多个卷绕单元，不同卷绕单元内的间隔L沿Y轴方向以S依次递增，d为0.1‑0.6mm，且满足：S=α × 2 tan(360°/2n) × (m+d)，α为缓冲系数，1＜α≤1.2。本发明能够实现硅基太阳能电池卷绕功能，又能保障卷绕过程中硅片不易碎裂。
一种卷绕轻质光伏组件

[发明专利]一种隔离槽特定设置的背接触电池及其制备方法-CN202310332245.3有效
发明人： 林楷睿;张超华;谢志刚 -专利权人：福建金石能源有限公司;金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种隔离槽特定设置的背接触电池及其制备方法，包括背面具有沿背面的X轴方向间隔设置的抛光区和制绒区的硅基底，在所述抛光区上设置的第一半导体层，以及在所述制绒区上设置的第二半导体层，所述背接触电池还包括沿背面的Z轴方向向外依次设置的导电膜层、导电掩膜层，所述导电掩膜层和导电膜层形成的导电复合层上设有沿X轴方向间隔设置的隔离槽，所述隔离槽位于所述第一半导体层和第二半导体层的Z轴方向接触界面处的上方，且隔离槽在X轴方向上横跨部分抛光区和部分制绒区。本发明大幅改善了漏电微短路现象，同时提高电池转换效率和电池良率；且大幅降低了银浆用量，从而大幅降低了金属电极成本。
一种隔离特定设置接触电池及其制备方法

[发明专利]一种背接触电池及其制作方法和光伏组件-CN202310332231.1有效
发明人： 林楷睿;张超华;谢志刚 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制作方法和光伏组件，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的具有第二半导体开口区的第一半导体层，以及第二半导体层，还包括沿背面X轴方向间隔排布的若干绝缘层，所述绝缘层设置在所述第二半导体层的外表面上；且在X轴方向上，所述绝缘层横跨第二半导体开口区的侧面边缘且两端分别延伸，且所述绝缘层在第二半导体开口区上的横跨长度W12，所述绝缘层在第一半导体层上的横跨长度W11，满足W12：W11=0.1‑10：1。本发明的背接触电池能够同时兼顾有效避免在第二半导体开口区处的侧面边缘出现的漏电现象、优异的电池效率及电池良率和制备工艺简单。
一种接触电池及其制作方法组件

[发明专利]一种高电流密度的联合钝化背接触电池及其制备方法-CN202310368984.8有效
发明人： 林楷睿;林锦山;谢志刚;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高电流密度的联合钝化背接触电池及其制备方法，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的第一半导体层、第二半导体层，以及设置在正面的正面钝化层和减反射层，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂硅晶层，所述第二半导体层包括本征硅层和第二掺杂硅层；所述第一掺杂硅晶层的远离硅基底的一侧设有第一重掺杂区，所述硅基底的正面设有第二浅掺杂区，所述第二浅掺杂区与所述正面钝化层接触，且第一重掺杂区与第二浅掺杂区的面掺杂指数的比值为10‑40:1，第二浅掺杂区与隧穿氧化层的厚度之比为2‑10:1。本发明能够在保证具有高电流密度的同时，无需设置非晶硅或微晶硅层。
一种电流密度联合钝化接触电池及其制备方法

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