专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管的制法-CN200510078680.X有效
  • 钟宽仁;杨富尧;曹天恩;林志澔;赖昆佑 - 新世纪光电股份有限公司
  • 2005-06-21 - 2006-12-27 - H01L33/00
  • 本发明是将磊晶制备的发光二极管晶圆分割成多个发光二极管晶粒的制法,首先在发光二极管晶圆表面形成可遮覆其表面及分割槽底部的遮覆层,再以激光在遮覆分割槽底部的遮覆层表面,以平行于分割槽长度的方向更向下形成崩裂道,移除遮覆层后,再分别对应崩裂道自晶圆底面向上形成对应崩裂道,且对应崩裂道的深度小于晶圆基板厚度,最后延崩裂道施加应力,使发光二极管晶圆沿分割槽被分割而制得多个发光二极管晶粒。
  • 发光二极管制法

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