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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310744230.8在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310546205.9在审
发明人： 林志昌;张荣宏;陈仕承;王志豪;姚茜甯;庄宗翰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了具有背侧接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一和第二S/D区域；纳米结构半导体层的堆叠件，与第一S/D区域相邻设置；栅极结构，围绕每个纳米结构半导体层；第一对间隔件，设置在第一S/D区域的相对侧壁上；第二对间隔件，设置在第二S/D区域的相对侧壁上；第三对间隔件，设置在栅极结构的相对侧壁上；第一接触结构，设置在第一S/D区域的第一表面上；以及第二接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上。第一表面和第二表面彼此相对。第一对间隔件设置在第二接触结构的相对侧壁上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法-CN201810917483.X有效
发明人：彭辞修;杨凯杰;林志昌;蔡腾群;吴伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括形成栅极堆叠件，其中，栅极堆叠件包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的金属栅电极。在栅极堆叠件的相对侧上形成层间电介质。平坦化栅极堆叠件和层间电介质。该方法还包括在栅极堆叠件上形成抑制膜，其中，暴露层间电介质的至少部分；在层间电介质上选择性地沉积介电硬掩模，其中，抑制膜防止在其上形成介电硬掩模；并且进行蚀刻以去除栅极堆叠件的部分，其中，介电硬掩模用作相应的蚀刻掩模的部分。本发明的实施例还提供了切割金属栅极的方法和半导体器件。
切割金属栅极方法半导体器件及其形成

[发明专利]光学系统以及操作光学器件、光学发射器的方法-CN202310155395.1在审
发明人： 林志昌;陈建宏;斯帝芬·鲁苏;宋巍巍;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：光学器件包括第一波导、与第一波导相邻的环形波导以及与环形波导一一对应地耦合的加热器。一种方法包括将具有第一波长的第一光源耦合到第一波导，增加通过所述加热器的电流直到所述环形波导中的第一环形波导谐振，将第一环形光波导分配至第一波长，将通过加热器的电流重置为初始电流，将具有第二波长的第二光源耦合到第一波导，其中第二波长不同于第一波长，增加通过加热器的电流直到环形波导中的第二环形波导谐振，其中环形波导中的第二环形波导与环形波导中的第一环形波导不同，以及将环形波导中的第二环形波导分配至第二波长。本申请的实施例还公开了光学系统以及操作光学器件、光学发射器的方法。
光学系统以及操作光学器件发射器方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202010074227.6有效
发明人：江国诚;林志昌;潘冠廷;王志豪;朱熙甯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。
半导体装置结构及其形成方法

[实用新型]一种琉璃砖加工台-CN202223485910.2有效
发明人：陈建仲;杨惠姗;林志昌 -专利权人：上海琉璃工房琉璃艺术品有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B28D7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种琉璃砖加工台，包括工作台，工作台通过连接板与吸附结构固定连接，吸附结构用于固定待加工的琉璃砖，工作台下方与调节结构固定连接，调节结构用于调节工作台的工作高度，调节结构下方与底座固定连接，底座下方可拆卸连接有万向轮；限位结构，限位结构连接在工作台与底座之间。该加工台通过安装框内部设置有负压抽气机，通过负压抽气机工作能够将抽气管以及凹槽内的空气进行抽走，从而通过吸附孔能够便于对放置的琉璃砖进行吸附，进而能够对琉璃砖进行固定，避免在加工时产生滑动，提高了加工的精度，同时两个吸附结构之间的废料槽能够对琉璃砖在加工时所产生的碎屑进行收集。
一种琉璃加工

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110675284.4有效
发明人：陈建宏;卓联洲;陈焕能;徐敏翔;郭丰维;林志昌;宋巍巍;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210714199.9在审
发明人：陈仕承;林志昌;张荣宏;姚茜甯;庄宗翰;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构还包括相邻于第一纳米结构形成的第一底部层，以及在第一底部层上方形成的第一介电层。半导体器件结构还包括形成在第一介电层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一S/D结构通过第一介电层与第一底部层隔离。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210899819.0在审
发明人： 林志昌;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括衬底、第一栅极结构和第二栅极结构、第一混合鳍和第二混合鳍以及第一侧壁和第二侧壁。第一栅极结构位于第一纳米结构垂直堆叠件上方并且围绕第一纳米结构垂直堆叠件。第二栅极结构位于第二纳米结构垂直堆叠件上方并且围绕第二纳米结构垂直堆叠件。第二栅极结构和第一栅极结构沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此横向分隔开，第二方向基本上垂直于第一方向。第一混合鳍延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构并且位于第一栅极结构和第二栅极结构下面，延伸沿第二方向。第二混合鳍位于第一栅极结构和第二栅极结构之间。第二混合鳍具有：第一侧壁，邻接第一栅极结构；以及第二侧壁，邻接第二栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210989882.3在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210585879.5在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;庄宗翰;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结构还包括第一源极/漏极(S/D)结构，其形成在介电衬垫层上方，并且第一S/D结构通过第一介电衬垫层与第一底层隔离。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210657449.X在审
发明人：陈仕承;林志昌;张荣宏;姚茜甯;庄宗翰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210911538.2在审
发明人：黄禹轩;陈豪育;蔡劲;林志昌;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括半导体纳米结构的垂直堆叠件、栅极结构、第一外延区域和介电结构。栅极结构包裹半导体纳米结构。第一外延区域横向邻接半导体纳米结构的第一半导体纳米结构。介电结构横向邻接半导体纳米结构的第二半导体纳米结构并且垂直邻接第一外延区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910904006.4有效
发明人：苏焕杰;林志昌;徐廷鋐;余佳霓;吴伟豪;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一源极和第一漏极，分隔开第一距离；第一半导体结构，设置在第一源极和第一漏极之间；第一栅电极，设置在第一半导体结构上方；以及第一介电结构，设置在第一栅电极上方。第一介电结构具有下部和上部，上部设置在下部上方并且比下部宽。第二晶体管包括：第二源极和第二漏极，分隔开第二距离，第二距离大于第一距离；第二半导体结构，设置在第二源极和第二漏极之间；第二栅电极，设置在第二半导体结构上方；以及第二介电结构，设置在第二栅电极上方。第二介电结构和第一介电结构具有不同的材料组分。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路装置-CN202210962225.X在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构之间。
集成电路装置

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