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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006116.9在审
发明人： 林凡威;张博扬 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少可包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层远离发光层一侧的表面上至少依序设有第一电连接层、第一绝缘层、第一金属反射层、阻挡层；第一电极，部分设置于第一电连接层上，与第一半导体层电性连接。在第一电极的区域处，在外延结构的发光区的边缘线的外侧，第一电极的边缘线与阻挡层的边缘线之间的间距小于第一电极的边缘线与外延结构的发光区的边缘线之间的间距，以减少第一电极与外延结构邻近的拐角区域的电流集中，提升芯片产品良率和整体性能。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种发光二极管及发光装置-CN202222200488.5有效
发明人：张博扬;林凡威;肖贵琴;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及发光半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，包括半导体层序列，半导体层序列包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，还包括第一电连接层，第一电连接层的正侧具有未被半导体层序列覆盖的第一台面，第一台面上设有第一电极；其中，第一电极具有起始部和扩展部，起始部在第一台面上相对所述扩展部远离发光层的位置，扩展部位于起始部的第一方向或者第二方向，定义第一电极的中心点到发光层的中心点的方向为径向，第一方向和第二方向各自与径向之间具有30‑60度的夹角；第一电极到发光层的侧壁距离不小于50μm。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管、发光装置及其车灯-CN202210793433.1在审
发明人：张博扬;董浩;林凡威;张中英 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括金属基板、设置在金属基板上方的半导体层序列，半导体层序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层和位于两者之间的有源层组成，还包括第一电极和第二电极，第一电极与第一类型半导体层电连接，第二电极与第二类型半导体层电连接，金属基板包括第一金属层，金属基板远离半导体层序列的一侧具有凹槽，凹槽内设置有第二金属层，凹槽具有突出的凹槽边缘，凹槽边缘比第二金属层高不超过0.5微米，提升发光二极管在封装键合后产品的可靠性。
一种发光二极管发光装置及其车灯

[实用新型]一种发光二极管芯片及其封装结构-CN202123415805.7有效
发明人：张博扬;林凡威;林信泰;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片及其封装结构，包括第一侧壁和第二侧壁,第一侧壁全部或者部分区域上设置有粗化结构，粗化结构呈现阶梯状排布，第一侧壁的粗糙度大于第二侧壁。多层阶梯状侧壁粗化结构可有效减少在出光面出现全反射造成光损，提升发光效率；同时可在封装工艺填入胶材时能有效阻止胶材轻易翻越过芯片、覆盖在芯片的发光面上，避免降低芯片的发光效率；且在对芯片表面进行光刻工艺时，侧壁粗化结构可避免光散射问题。
一种发光二极管芯片及其封装结构

[发明专利]一种发光二极管及其发光装置-CN202180006404.X在审
发明人：张博扬;林凡威;林信泰;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的半导体层序列，第二表面具有至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层的凹处，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接，第一电连接层包括反射金属；凹处位于侧壁，至少凹处上方的侧壁具有表面粗化，防止因为反射金属造成芯片工艺黄光制程异常，提升产品良率。
一种发光二极管及其发光装置

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