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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高频用晶体管-CN201880013005.4有效
发明人：山本兴辉;上谷昌稔;松田慎吾;杉山宽;本吉要;中山雅央 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：高频用晶体管具有源极电极(3)、漏极电极(2)、栅极电极(1)、以及向栅极电极(1)施加电压的栅极驱动布线(12)，在栅极电极(1)与栅极驱动布线(12)之间连接有阻抗调整电路(4)，从阻抗调整电路(4)来看与栅极电极(1)的连接点时的栅极电极(1)的特性阻抗为Z1，从阻抗调整电路(4)来看与栅极驱动布线(12)的连接点时的栅极驱动布线(12)的特性阻抗为Z2，阻抗调整电路(4)的特性阻抗X为Z1与Z2之间的值。
高频晶体管

[发明专利]高频放大器-CN201880009736.1有效
发明人：上谷昌稔;松田慎吾;山本兴辉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：高频放大器(10)具备：载波放大器(CA)，将第一信号放大；峰值放大器(PA)，将第二信号放大；第一传送线路(L1)，连接在载波放大器(CA)的输出端子(OUT)与峰值放大器(PA)的输出端子(OUT)之间，具有规定频带的中心频率的1/4波长的电气长度；第二传送线路(L2)，连接在第一传送线路(L1)的一端与输出端子(OUT)之间，具有中心频率的1/4波长的电气长度；以及阻抗补偿电路(12)，一端连接于第一传送线路(L1)与第二传送线路(L2)的连接点(X)；在中心频率下，从连接点(X)看阻抗补偿电路(12)时的阻抗的虚部具有与从连接点(X)看第二传送线路(L2)时的阻抗的虚部相反的极性。
高频放大器

[发明专利]功率放大装置-CN202211136235.4在审
发明人：佐治隆司;本吉要;松田慎吾 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：功率放大装置具备：第1电源端子，被供给第1电源电压；第2电源端子，被供给电压比第1电源电压低的第2电源电压；功率放大用的第1晶体管，具有被输入高频信号的第1栅极、与第1电源端子电连接且输出将高频信号放大的信号的第1漏极、以及被电接地的第1源极；监视用的第2晶体管，具有被施加第1偏置电压的第2栅极、与第1电源端子或第2电源端子电连接的第2漏极、以及被电接地的第2源极，模仿第1晶体管的动作；以及偏置电路，被从第2电源端子供电，检测第2晶体管的漏极电流或源极电流，生成第1偏置电压以使检测出的电流值成为规定的电流值，第1偏置电压或从第1偏置电压进行了电压电平调整而得到的第2偏置电压被施加至第1栅极。
功率放大装置

[发明专利]功率放大装置-CN202180003942.3有效
发明人：佐治隆司;本吉要;松田慎吾 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：功率放大装置(100)具备：第1电源端子，用于输入第1电源电压；功率放大用的第1晶体管(101)，被从第1电源端子供给电力，具有被施加偏置电压的第1栅极；第2电源端子，用于输入电压比第1电源电压低的第2电源电压；监视用的第2晶体管(121)，被从第1电源端子或者第2电源端子供电，模仿第1晶体管(101)的动作，具有被施加偏置电压的第2栅极；以及偏置电路(120)，被从第2电源端子供电，与第2晶体管(121)的漏极电流或者源极电流相应地生成及调整偏置电压。
功率放大装置

[发明专利]高频放大器-CN201980094771.2在审
发明人：前田昌宏;上谷昌稔;松田慎吾 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：高频放大器(30)具备对第一信号进行放大的载波放大器(11)、对第二信号进行放大的峰值放大器(12)、被连接于载波放大器(11)的输出端子的第一匹配电路(33)、被连接于峰值放大器(12)的输出端子的第二匹配电路(36)、被连接于第一匹配电路(33)和第二匹配电路(36)之间且具有小于规定的频带的中心频率的1/4波长的电长度的第一传输线路(40)，构成第一匹配电路(33)以及第二匹配电路(36)的一端被接地的并联电感器(35)以及(38)的带来相位旋转与第一传输线路(40)带来的相位旋转相反朝向。
高频放大器

[发明专利]高频电路-CN200910170741.3无效
发明人：海藤淳司;立冈一树;稻森正彦;牧原弘和;松田慎吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本发明提供一种高频电路，其不使用特别的附加电路就能抑制制造偏差产生时的高频放大器中的AM-PM特性偏移。在多级放大器中，例如，在级间电容(30、31)上产生制造偏差时，通过由电源电路(40)和乘法器(60)按照最终级的前一级(11)的集电极电压Vcc2比最终级(12)的集电极电压Vcc3小的方式进行控制，从而抑制AM-PM特性偏移。
高频电路

[发明专利]高频功率放大器-CN200910178655.7无效
发明人：稻森正彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;海藤淳司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。
高频功率放大器

[发明专利]高频功率放大器-CN200910126554.5无效
发明人： 松田慎吾;牧原弘和;立冈一树;稻森正彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：集电极端子连接于第1电源的第2晶体管；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端接地的第2电阻元件；设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件；以及连接在第2晶体管的基极端子上，控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。
高频功率放大器

[发明专利]发送装置-CN200810128586.4无效
发明人：稻森正彦;牧原弘和;立冈一树;松田慎吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够根据发送装置的输出来引发发送电路的最大效率，从而对范围较广的输出实现低耗电的发送装置。该发送装置具备：正交调制器，由输入信号生成调制信号；极性调制用发送电路，包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的相位成分、电源供给端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的振幅成分的第一功率放大器，并对调制信号进行极性调制；正交调制用发送电路，包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号、电源供给端子被供给一定的电压的第二功率放大器，并发送调制信号；以及开关，高输出时将正交调制器的输出与极性调制用发送电路的输入连接、低输出时将正交调制器的输出与正交调制用发送电路的输入连接。
发送装置

[发明专利]高频功率放大器-CN200710088411.0无效
发明人：稻森正彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;松井谦太;榎本真悟;小泉治彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
高频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器-CN200610084725.9有效
发明人：榎本真悟;稻森正彦;小泉治彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;川岛克彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
射频功率放大器

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