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[发明专利]销组装体及乐器-CN201710173799.8有效
发明人：堀田梓;松村笃 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G10C3/00 文献下载
摘要：提供一种在乐器的框体处将销的位置调整变得更为容易的销组装体及乐器，该销用于进行盖和主体的定位。用于进行乐器框体的盖和主体的定位的销组装体(7)具有：销(10)，其具有插入至在主体设置的销插入孔的主体部(11)；固定部件(40)，其固定于盖；以及可动部件(50)，其能够沿盖的板面进行移动。在该销组装体(7)中，可动部件(50)的一部分配置于固定部件(40)和盖之间。并且，销组装体(7)构成为，通过将销(10)安装于可动部件(50)，从而对可动部件(50)施加从盖朝向固定部件(40)的方向的载荷。
组装乐器

[发明专利]发光二极管和隧道结层的制造方法-CN201810501874.3在审
发明人：鹈沢旭;濑尾则善;松村笃;粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。
隧道层发光层发光二极管隧道结层发光元件层发光部层发光功率同一波长隧道结层积发光制造

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201810492929.9在审
发明人：德永悠;松村笃 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管的制造方法的特征在于，依次具有：在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；在所述电流扩散层上形成间隔地配置的点状的多个欧姆接触电极的工序；在所述电流扩散层上，以使所述多个欧姆接触电极的表面之中的周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；在所述透明膜上及所述欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；在所述反射层上形成接合层的工序；在所述接合层上接合基板的工序；和除去所述生长用基板的工序。
欧姆接触电极电流扩散层发光二极管生长用基板反射层接合层透明膜制造化合物半导体层接合基板发光层反射率高辉度配置的周缘部点状发光

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201380052677.3在审
发明人： 松村笃;德永悠 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。本发明能够提供在维持发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管的制造方法、发光二极管灯和照明装置-CN201280051930.9有效
发明人： 松村笃;德永悠 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-10-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管（100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层（24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极（7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部（12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层（24a）供给的电流的电流隔断部（13）。
发光二极管制造方法照明装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201280037525.1在审
发明人：德永悠;松村笃 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，是在基板（1）上依次具备反射层（6）、间隔地埋设有多个欧姆接触电极（7）的透明膜（8）、和依次包含电流扩散层（25）以及发光层（24）的化合物半导体层（10）的发光二极管，欧姆接触电极（7）的基板（1）侧的表面的周缘部被透明膜（8）覆盖，欧姆接触电极（7）与反射层（6）以及电流扩散层（25）接触。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管和发光二极管灯-CN201180048839.7有效
发明人：濑尾则善;松村笃 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
发光二极管

[发明专利]发光二极管和发光二极管灯-CN201180043286.6有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
发光二极管

[发明专利]发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法-CN201080044703.4无效
发明人： 松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具备优异的耐化学特性的发光二极管接合用金属基板、发光二极管及其制造方法，提供一种发光二极管用金属基板，其是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。
发光二极管用金属发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管用外延晶片-CN201080019083.9有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
发光二极管用外延晶片

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080019118.9有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和发光二极管的制造方法-CN201080008005.9无效
发明人：竹内良一;松村笃;舛谷享祐 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明的目的是提供散热性优异，能够抑制接合时的基板的开裂，施加高电压能够以高辉度发光的发光二极管、发光二极管灯以及发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管是在包含发光层(2)的发光部(3)接合了热沉基板(5)的发光二极管(1)，热沉基板(5)是第1金属层(21)和第2金属层(22)交替地层叠而成，第1金属层(21)由热导率为130W/m·K以上、热膨胀系数与发光部(3)的材料大致相等的材料形成，第2金属层(22)由热导率为230W/m·K以上的材料形成，通过使用该发光二极管(1)能够达到所述目的。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200680024703.1有效
发明人：竹内良一;松村笃;渡边隆史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
发光二极管及其制造方法

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