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[发明专利]单晶培育方法-CN201980056306.X有效
发明人：星亮二;三原佳祐;菅原孝世;松本克 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
培育方法

[发明专利]再装填管及单晶的制造方法-CN201880043909.1在审
发明人：小林拓生;松本克;三田村伸晃;园川将;上杉敏治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种再装填管，其具备收纳原料的圆筒部件、以及对该圆筒部件的下部的开口部进行开闭的圆锥状的阀门，其特征在于，所述圆筒部件在内周面的下端部具有下部圆锥口部且在比所述下端部的所述下部圆锥口部更靠近上方处具有上部圆锥口部，其中，所述下部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述上部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述阀门位于所述下部圆锥口部与所述上部圆锥口部之间。由此，能够简单地进行向单晶制造装置内的导入、从单晶制造装置的取出，并能够直接向坩埚内的熔液面投入块状、粒状等固体形状的原料，而且，通过使从熔液飞溅的飞溅液体仅附着于再装填管、石英坩埚，从而能够保护单晶制造装置，且提供一种廉价的再装填管。
装填制造方法

[发明专利]单晶硅晶片-CN201610807979.2在审
发明人：星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×10¹⁷原子/cm³(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
单晶硅晶片

[发明专利]碳化硅的制造方法及碳化硅-CN201480010278.5在审
发明人：星亮二;松本克;青木良隆;松井智波 -专利权人：信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。
碳化硅制造方法

[发明专利]单晶硅晶片-CN201280012318.0无效
发明人：星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
单晶硅晶片

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法-CN201180053097.7有效
发明人：木村明浩;松本克;布施川泉;三木克彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅