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[发明专利]自动包装机及包装材料切换方法-CN202210269577.7在审
发明人：正井敏夫;松尾大辅;竹内银治郎 -专利权人：株式会社特包可
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B65B41/16 文献下载
摘要：提供一种包括能将接续位置与切断位置设定成尽可能靠近的新的自动接续机构的自动包装机及包装材料切換方法。将在自动包装机(10)中连续供给的包装材料从由第1辊(22A)供给的第1包装材料(13A)切换为由另一第2辊(22B)供给的第2包装材料(13B)的包装材料切换方法包括：工序一，将双面胶带粘贴在第2包装材料的与第1包装材料相对的面上；工序二，在工序一之后，一边沿第1包装材料的搬送方向以与第1包装材料相同的速度移动，一边在第一位置处夹持第1包装材料和第2包装材料，从而经由双面胶带将第2包装材料粘贴于第1包装材料，在第1包装材料和第2包装材料的搬送方向上，在第一位置的上游侧，在第1包装材料的搬送路径上进出，将第1包装材料切断；以及工序三，将被夹持的第1包装材料和第2包装材料释放。
自动装机包装材料切换方法

[发明专利]马氏体系不锈钢钢材、以及马氏体系不锈钢钢材的制造方法-CN202180041908.5有效
发明人：富尾悠索;松尾大辅 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：提供一种具有125ksi以上的屈服强度、以及超低温环境下的优异的低温韧性和优异的耐腐蚀性的马氏体系不锈钢钢材及其制造方法。本申请的马氏体系不锈钢钢材为C：小于0.030％、Si：1.00％以下、Mn：0.05～2.00％、Cr：11.50～14.00％、Ni：5.00～7.50％、Mo：1.10～3.50％、Cu：0.50～3.50％、Co：0.01～0.30％、Al：0.001～0.100％、N：0.001～0.100％、以及余量：Fe和杂质，显微组织为0～15体积％的残留奥氏体、0～10体积％的铁素体、且余量由马氏体构成，屈服强度为862MPa以上，Cu析出物的个数密度为3.0×1021～50.0×1021个/m3。
马氏体不锈钢钢材以及制造方法

[发明专利]钢材-CN202180091744.7在审
发明人： 松尾大辅;富尾悠索 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：提供一种具有优异的耐SSC性的钢材。本发明的钢材的化学组成以质量％计为C：0.035％以下、Si：1.00％以下、Mn：1.00％以下、P：0.030％以下、S：0.0050％以下、sol.Al：0.005～0.100％、N：0.001～0.020％、Ni：5.00～7.50％、Cr：10.00～14.00％、Cu：0.01％以上且小于1.50％、Mo：1.50～3.50％、V：0.01～1.00％、Ti：0.02～0.30％、Co：0.01～0.50％、Ca：0.0003～0.0030％、O：0.0050％以下、W：0～1.50％、Nb：0～0.50％、B：0～0.0050％、Mg：0～0.0050％、稀土元素(REM)：0～0.020％，并且余量为Fe和杂质，圆当量直径为1.0μm以上的Mn硫化物与圆当量直径为2.0μm以上的Ca硫化物的总和为0.50个/mm2以下。
钢材

[发明专利]钢材-CN202080101344.5有效
发明人： 松尾大辅;富尾悠索 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：提供具有优异的耐SSC性的钢材。本公开的钢材的化学组成以质量％计为C：0.035％以下、Si：1.00％以下、Mn：1.00％以下、P：0.030％以下、S：0.0050％以下、sol.Al：0.005～0.100％、N：0.001～0.020％、Ni：5.00～7.00％、Cr：10.00～14.00％、Cu：1.50～3.50％、Mo：1.00～4.00％、V：0.01～1.00％、Ti：0.02～0.30％、Co：0.01～0.50％、Ca：0.0003～0.0030％、O：0.0050％以下、W：0～1.50％、Nb：0～0.50％、B：0～0.0050％、Mg：0～0.0050％、稀土元素(REM)：0～0.020％、以及余量：Fe和杂质，当量圆直径为1.0μm以上的Mn硫化物和当量圆直径为2.0μm以上的Ca硫化物的总和为0.50个/mm2以下。
钢材

[发明专利]等离子体处理装置-CN202180064165.3在审
发明人： 松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器(1)的面向天线(2)的位置的开口(10x)堵塞，且天线(2)包括高频电流(IR)的流通方向彼此反向的去路导体(21)及返路导体(22)，所述等离子体处理装置还包括距离调整机构(10)，所述距离调整机构(10)对去路导体(21)及返路导体(22)的相对距离进行局部调整。
等离子体处理装置

[发明专利]氧化物半导体的成膜方法及薄膜晶体管的制造方法-CN202180064311.2在审
发明人： 松尾大辅 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种成膜方法，为通过使用等离子体对靶材进行溅镀而将氧化物半导体膜形成于基板上的方法，所述成膜方法中，通过变更所述基板与所述靶材之间的距离来控制所述氧化物半导体膜的结晶性。
氧化物半导体方法薄膜晶体管制造

[发明专利]信息处理设备、信息处理方法和信息处理系统-CN202180067502.4在审
发明人： 松尾大辅 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G08G1/16 文献下载
摘要：本技术涉及可以降低传输传感器数据所需的信道容量的信息处理设备和方法以及信息处理系统。信息处理设备通过以下方式来生成提取数据：基于来自距离测量传感器的传感器数据的特定分量的频谱，提取传感器数据的一部分。本技术可以应用于执行与车辆的驾驶员辅助和自动驾驶有关的处理的车辆控制系统。
信息处理设备方法系统

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201880037318.3有效
发明人： 松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝;岸田茂明 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]双相不锈钢无缝钢管-CN202180032950.0在审
发明人：野口美纪子;中村润;相良雅之;松尾大辅;胁野喜平 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：提供一种具有高强度和优异的耐HISC性的双相不锈钢无缝钢管。本公开的双相不锈钢无缝钢管具有说明书中所述的化学组成以及由奥氏体和30～55％的铁素体构成的显微组织。在包含壁厚中央部、T方向和C方向的边长250μm的正方形的观察视野区域中，将是沿T方向延伸的线段且将观察视野区域在C方向上五等分的4个线段定义为线段T1～T4。将是沿C方向延伸的线段且将观察视野区域在T方向上五等分的4个线段定义为线段C1～C4。线段T1～T4与铁素体界面的交点的数量，即交点数NT为65个以上。线段C1～C4与铁素体界面的交点的数量，即交点数NC为50个以上。
不锈钢无缝钢管

[发明专利]溅射装置-CN201880016032.7有效
发明人：岸田茂明;松尾大辅 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置(100)使用等离子体(P)对靶(T)进行溅射而于基板(W)上成膜，且包括：真空容器(2)，经真空排气且供导入气体；基板保持部(3)，在真空容器(2)内保持基板(W)；靶保持部(4)，在真空容器(2)内保持靶(T)；多根天线(5)，沿着由基板保持部(3)所保持的基板(W)的表面而排列，且产生等离子体(P)；以及往返扫描机构(14)，使基板保持部(3)沿着多根天线(5)的排列方向(X)而往返扫描。
溅射装置

[发明专利]填充包装机-CN202210269550.8在审
发明人：正井敏夫;松尾大辅;竹内银治郎 -专利权人：株式会社特包可
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B65B9/06 文献下载
摘要：在填充包装机(1)中，提供了一种能够更准确地测量并管理各个密封单元的加热温度的系统。在填充包装机(1)中，多个固定密封部(33)分别具有在圆周搬送路径(35)的切线方向上延伸的加热面(33a)和位于加热面(33a)的背后并对加热面(33a)进行加热的电阻发热体(121)。填充包装机(1)还具有：配置在圆周搬送路径(35)的外侧，对从多个固定密封部(33)中的每一个的加热面(33a)辐射的红外线进行感测的温度检测部(130)；输出恒定电压的电源(123)；以及分别连接在电源(123)与多个固定密封部(33)的电阻发热体(121)之间，能对供给到多个固定密封部(33)中的每一个的电阻发热体(121)的电压进行调节的多个电压调节部(128)。
填充装机

[发明专利]天线机构及等离子体处理装置-CN202080095331.1在审
发明人：安东靖典;松尾大辅 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P5/02 文献下载
摘要：本发明能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体P的天线机构3，包括：天线本体31，流通高频电流；以及一条或多条调整电路32，与天线本体31邻接设置，调整电路32具有构成闭路的金属导体321、及构成闭路的电容器322。
天线机构等离子体处理装置

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN202080051447.5在审
发明人： 松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法-CN202080042357.X在审
发明人： 松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。
氧化物半导体加工方法薄膜晶体管制造

[发明专利]控制系统及信息记录方法-CN201980097457.X在审
发明人：志水义信;松尾大辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：控制系统具有PLC(20)和主机(10)。PLC(20)具有：存储器(213)；内部电路与外部设备之间的具有触点的继电器元件(225、226)；CPU(212、221)，它们对使继电器元件(225、226)的触点开闭的次数进行计数，将表示开闭的次数的开闭次数信息储存于存储器(213)；以及通信IF(211)，其将在存储器(213)储存的开闭次数信息发送至主机(10)。主机(10)具有：硬盘驱动器(16)，其存储对PLC(20)进行识别的PLC编号；通信IF(13)，其接收开闭次数信息；以及CPU(11)，其将通信IF(13)接收到的开闭次数信息与PLC编号相关联地储存于硬盘驱动器(16)。
控制系统信息记录方法

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