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[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201880084382.7有效
发明人：和田贡;松仓勇介;古泽优太 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种氮化物半导体发光元件，具备：多量子阱层；金属电极部，其反射向上方行进的第一光；以及多重半导体层，其位于多量子阱层与金属电极部之间，并包含多个p型半导体层，其中，第一光在金属电极部与多重半导体层的界面反射，且在至与朝向下方行进的第二光汇合为止的期间往返于多重半导体层的内部，多重半导体层具有使往返于多重半导体层的内部的第一光与第二光以相同相位汇合而从多量子阱层的下方侧出射的膜厚。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201880059029.3有效
发明人：古泽优太;和田贡;松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；以及多量子阱层，其是将由具有比第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成的势垒层(52a、52b、52c)与具有比上述第二Al组分比小的Al组分比的多个阱层(54a、54b、54c)按此顺序交替地各层叠N层而成的，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，上述多量子阱层的上述多个势垒层(52a、52b、52c)的第二Al组分比从n型包覆层(30)侧朝向n型包覆层(30)的相反侧按规定的增加率增加。
氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201880059037.8有效
发明人：古泽优太;和田贡;松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由具有第一Al组分比的n型AlGaN形成；势垒层(52)，其位于多量子阱层的上述n型包覆层侧，由具有比第一Al组分比大的第二Al组分比的AlGaN形成；以及倾斜层(40)，其位于上述n型包覆层和上述势垒层之间，具有上述第一Al组分比与上述第二Al组分比之间的第三Al组分比，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，上述倾斜层的上述第三Al组分比从第一Al组分比朝向第二Al组分比按规定的增加率增加。
氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202211145393.6在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提供一种能够抑制氢向活性层的扩散的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体元件具备：n型半导体层；p型半导体层；活性层，其设置在n型半导体层与p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其设置在活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层的膜厚为100nm以下。n型半导体层、活性层、电子阻挡层以及p型半导体层的层叠方向上的、电子阻挡层的各位置的氢浓度的平均值为2.0×1018atoms/cm3以下。在p型半导体层与电子阻挡层的边界部含有n型杂质。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202210792526.2在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比第1电子阻挡层靠p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于第1电子阻挡层的Al组成比。在将活性层中的阱层的总数设为N，第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，第1电子阻挡层的膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，且第2电子阻挡层的Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202210487274.2在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：第一半导体层；活性层，其设置在第一半导体层的一侧；第二半导体层，其在活性层的与第一半导体层相反的一侧以与活性层接触的方式设置；以及反射电极，其在第二半导体层的与活性层相反的一侧以与第二半导体层接触的方式设置，使从活性层发出的光反射。在将第二半导体层的光学膜厚设为光学膜厚L[nm]，将从活性层发出的光的中心波长设为波长λ[nm]，将1和2中的任意的数值设为值m时，满足0.48mλ≤L≤0.5mλ+(‑0.05m+0.3)λ的关系。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法-CN201880009668.9有效
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，具备：包含硅(Si)的n型氮化铝镓(AlGaN)类半导体材料的n型包覆层(24)；设置在n型包覆层(24)上，包含Si的中间层(25)；设置在中间层(25)上的AlGaN类半导体材料的活性层(26)；以及设置在活性层(26)上的p型半导体层。层叠n型包覆层(24)、中间层(25)及活性层(26)方向的Si浓度的分布在中间层25的位置至少具有局部性峰值。
半导体发光元件以及制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202111196489.0在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提供一种氮化物半导体发光元件，其能够提高发光输出，并且能够抑制发光输出的经时性下降。一种输出紫外光的发光元件(1)，具备：活性层(40)，其包含产生紫外光的量子阱结构；含位错抑制结构层(52)，其形成在活性层(40)上，包含使来自活性层(40)的位错(D)停止或弯曲的位错抑制结构(520)；以及p型接触层(54)，其形成在含位错抑制结构层(52)上，具有10nm以上30nm以下的厚度。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法-CN202110692308.7在审
发明人： 松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供即使在具备具有一定大小以上的Al组成比的电子阻挡层的情况下也能抑制发光寿命下降的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：发光层(40)，其包含由AlGaN形成的阱层(44a～c)，发出紫外光；电子阻挡层(51、52)，其位于发光层(40)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；以及p型包覆层(70)，其位于电子阻挡层(51、52)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大且比第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂，在电子阻挡层(51、52)与p型包覆层(70)的界面掺杂有预定量以上的n型掺杂剂。
氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201980050721.4在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种氮化物半导体发光元件(1)，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，具备：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；以及活性层(50)，其设置在上述n型包覆层(30)上，包含单量子阱结构(50A)，上述单量子阱结构(50A)包括由AlGaN形成的1个势垒层(51)、以及由具有比形成该1个势垒层(51)的AlGaN的Al组成比小的Al组成比的AlGaN形成的1个阱层(52)。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010841218.5在审
发明人： 松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供一种既能够提高发光效率又能够提高发光寿命的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：活性层，其发出紫外光；p型AlGaN系的电子阻挡层叠体，其位于活性层上，包含从活性层侧依次层叠第1电子阻挡层、第2电子阻挡层以及第3电子阻挡层而成的结构；以及p型接触层，其位于电子阻挡层叠体上，第2电子阻挡层的Al组分比小于第1电子阻挡层的Al组分比，第3电子阻挡层的Al组分比从第2电子阻挡层侧朝向p型接触层侧减小。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010783479.6在审
发明人： 松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其包含势垒层；p型接触层，其位于活性层的上侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层和p型接触层之间，电子阻挡层叠体具备：第1电子阻挡层，其位于活性层侧，具有比势垒层的Al组分比大的Al组分比；以及第2电子阻挡层，其位于p型接触层侧，具有比势垒层的Al组分比小的Al组分比。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010498070.X在审
发明人： 松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，具备由n型AlGaN形成的n型包覆层和位于n型包覆层上的由AlGaN形成的活性层，在活性层内，存在n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201880059036.3在审
发明人：希利尔·贝诺;松仓勇介;古泽优太;和田贡 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)包含：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；多量子阱层，其在n型包覆层(30)侧具有由AlGaN形成的势垒层(52a)，在上述氮化物半导体发光元件(1)中，还具备触发层(40)，其位于上述n型包覆层(30)和上述势垒层(52a)之间，是包含Si而形成的，在上述n型包覆层(30)和上述多量子阱层形成有以上述n型包覆层(30)中的位错为起始端并在上述多量子阱层内终止的多个V形坑(100)。
氮化物半导体发光元件制造方法

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