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[发明专利]镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法-CN201010217744.0无效
发明人：尹继刚;杭寅;张连翰;何晓明;赵呈春 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法，该晶体的分子式为：YbxGdyBaF2+3x+3y，其中x为yb3+的掺杂浓度，x＝1～10mol％，y为Gd3+离子的掺杂浓度，y＝10～30mol％。采用熔体法生长。该晶体具有较大的吸收和发射截面、长荧光寿命和高的热导率，是一种高效率、高重频、高功率激光器的激光增益材料，可用于激光二极管泵浦的高重频、高功率、可调谐或超短脉冲激光器。
镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法

[发明专利]镱碱共掺氟化铅晶体及其制备方法-CN200910052729.2无效
发明人：杭寅;何晓明;张连翰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C01G21/16 文献下载
摘要：一种镱碱共掺氟化铅晶体及其制备方法，该晶体的结构式为：Yb_x:M_y:PbF₂，该晶体的生长方法包括以下步骤：①选定x、y的取值；②按上述比例称取的原料充分混合均匀压制成块，放入铱金、铂金或石墨坩埚中，采用PbF₂晶体作为籽晶，生长气氛为高纯氩气或者CF₄气体，采用熔体法生长。实验表明本发明晶体具有较大的吸收和发射截面、长荧光寿命和很高的热导率。
镱碱共掺氟化晶体及其制备方法

[发明专利]全板条结构的光学参量振荡器-CN200910046760.5无效
发明人：程小劲;徐剑秋;杭寅;赵刚;祝世宁 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：一种全板条结构的光学参量振荡器，由泵浦源、耦合透镜组、光学参量振荡器和冷却装置组成，所述的光学参量振荡器由其后腔镜、光学参量振荡晶体、输出镜构成，所述的光学参量振荡晶体是板条状的准周期非线性光学晶体，晶体的两个大面作为冷却面，与所述的冷却装置相连；所述的泵浦源是固体板条激光器，由后腔镜、板条状激光晶体和输出镜构成，所述的板条状激光晶体在宽度方向上的数值孔径小于或等于所述的光学参量振荡晶体的数值孔径，所述的固体板条激光器所产生的泵浦光经过所述的耦合透镜组、所述的光学参量振荡器的后腔镜从端面耦合进入所述的光学参量振荡器晶体。本发明具有激光输出功率高、光束质量好和结构紧凑的特点。
板条结构光学参量振荡器

[发明专利]蓝宝石与锗酸盐玻璃红外复合材料及其制备方法-CN200810040866.X无效
发明人：张龙;唐彬;范有余;胡和方;杭寅 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C03C27/00 文献下载
摘要：一种蓝宝石与锗酸盐玻璃红外复合材料及其制备方法，该材料包含蓝宝石及与其紧密结合的锗酸盐玻璃，或在二者之间还夹有一层抗电磁干扰的金属网格。制备方法是通过将锗酸盐玻璃和蓝宝石在玻璃软化点温度以上热键合而成。本发明蓝宝石与锗酸盐玻璃红外复合材料在0.4～5μm波段具有高透过率，可以满足苛刻环境下工作的红外光电系统对其窗口材料的要求。可用作各种透可见、中红外光和毫米波的窗口和整流罩。
蓝宝石锗酸盐玻璃红外复合材料及其制备方法

[发明专利]一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法-CN200710050553.8有效
发明人：卢福华;左艳彬;张昌龙;周卫宁;吕智;霍汉德;顾书林;杭寅 -专利权人：桂林矿产地质研究院
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明将公开一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，它是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；2)在ZnO晶片+c面和－c面各镀一层耐高温、耐腐蚀材料作为屏蔽层；3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或－c面的屏蔽层上蚀刻出平行的长条形，使+c面和/或－c面的屏蔽层分为阻止ZnO晶片生长的屏蔽区和可使ZnO晶片从中长出的生长窗口区，得到ZnO籽晶片。所得的ZnO籽晶片在水热条件下进行ZnO晶体的生长时，ZnO籽晶片界面上的螺旋位错由于屏蔽层的阻碍无法延伸到新生长层中，只能从生长窗口区向新生长层延伸，这就使得新生长的ZnO晶体的螺旋位错密度比ZnO籽晶片小很多，提高了ZnO晶体质量的效果。
一种降低水热法 zno 晶体螺旋密度方法

[发明专利]一种抑制水热条件下ZnO晶体－c轴方向生长的方法-CN200710050552.3无效
发明人：左艳彬;张昌龙;卢福华;周卫宁;吕智;霍汉德;杭寅 -专利权人：桂林矿产地质研究院
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明将公开一种抑制水热条件下ZnO晶体－c轴方向生长的方法，是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；2)将切割好的ZnO晶片的－c面与由耐高温、耐腐蚀材料制成的阻挡片固连，得到ZnO籽晶片，所得的ZnO籽晶片即可利用水热法进行ZnO晶体的生长；所述阻挡片的面积应大于水热法进行生长后所得的ZnO晶体成品的－c面的面积。采用该方法可以很好地抑制ZnO晶体的－c轴方向的生长，使晶体只沿着+c轴方向生长，从而达到降低水热法生长ZnO晶体的杂质含量和减少缺陷，提高晶体的质量的目的。
一种抑制条件下 zno 晶体方向生长方法

[发明专利]氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法-CN200710046015.1无效
发明人：陈光珠;杭寅;兰志成;李志鸿;华如江;张连翰;何明珠;李抒智;杨卫桥 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法，该方法包括上盘、减薄、机械抛光、化学抛光及清洗等步骤；本发明还涉及氧化锌衬底基片加工过程中的专用粘结剂、研磨液、抛光液和清洗液，利用本发明可以得到超光滑、超平整和超洁净的氧化锌单晶衬底基片，可以满足ZnO同质外延薄膜的生长需要。
氧化锌衬底级基片抛光方法

[发明专利]高真空温度梯度法生长晶体的方法-CN200710043640.0无效
发明人：杭寅;徐月泉;司继良;张连翰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种高真空温度梯度法生长晶体的方法，包括下列步骤：①首先在真空机组和温度梯度炉体的连接管道内加装滤尘器；②装炉完毕后开始抽真空，当温度梯度炉体的真空达到1×10^－2Pa后，启动电源加热，温度梯度炉体开始升温，当温度达到1450～1500℃时，恒温1～2小时，直到真空稳定地达到1×10^－2Pa后，再继续升温至晶体化料温度开始化料，恒温2～3小时后，开始缓慢降温生长晶体；③在升温化料、缓慢降温晶体生长和晶体退火整个过程中，炉体内的真空度应保持优于1×10^－1Pa。采用本发明方法生长的晶体，经测试表明：晶体内部散射少，基本没有气泡，而且坩埚及保温屏基本没有变形，加热功率比原来降低10～30％。
真空温度梯度生长晶体方法

[发明专利]红外热释电探测器-CN200710040266.9无效
发明人：杭寅;张连翰;何晓明;杨培志;陈光珠;何明珠 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：一种红外热释电探测器，包括一红外光电转换元件，其特征在于该红外光电转换元件是由化学计量比钽酸锂晶体制成的。所述的化学计量比钽酸锂晶体的化学组成为：Li_xTa_(1－x)O₃，其中x的取值范围为：0.49≤x＜0.5。本发明具有红外光热释电转换效率高和热稳定性好的特点。
红外热释电探测器

[发明专利]自组装ZnO阵列的水热法生长方法-CN200610025353.2无效
发明人：李抒智;周圣明;刘红霞;杭寅 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种自组装ZnO纳米阵列的水热法生长方法，其特征是：采用提拉法制膜的方法将溶胶在衬底上制备一层纳米级ZnO薄膜，在水热容器中将衬底生长面悬空朝下放置，再利用水热法在150～200℃下，在所述的衬底上制备ZnO纳米阵列。本发明在利用简单且高效的方法制备出自组装的ZnO阵列，该阵列在制备紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
组装 zno 阵列水热法生长方法

[发明专利]掺镱铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法-CN200510028044.6无效
发明人：杭寅;朱月芹;张连翰;宋词 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种掺镱铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法，该晶体的结构式为：(Yb_xLa_(0.3－x)Sr_0.7)(Al_0.65Ta_0.35)O₃，其中x为Yb³⁺的掺杂浓度，x＝0.1～10at％。所述掺镱铝钽酸镧锶激光晶体的制备方法，该方法包括下列步骤：①选定x的取值称量的原料；②将所称量的原料混合均匀、压片，然后置于氧化铝坩锅中放入马弗炉，在1200℃恒温烧结10小时以上进行合成；③提拉法生长。本发明晶体具有吸收带宽宽、荧光寿命长等优点，并有望通过二极管泵浦得到1100nm的激光输出。
掺镱铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法

[发明专利]掺钕铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法-CN200510027009.2无效
发明人：杭寅;朱月芹;张连翰;宋词 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种掺钕铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法，该晶体的结构式为：(Nd_xLa_(0.3－x)Sr_0.7)(Al_0.65Ta_0.35)O₃，其中x为Nd³⁺的掺杂浓度，x的取值范围是：0.1～10at.％。该晶体的制备方法包括下列步骤：①选定x的取值，根据分子式(Nd_xLa_(0.3－x)Sr_0.7)(Al_0.65Ta_0.35)O₃按化学计量比称量原料：La₂O₃，SrCO₃，Al₂O₃，Ta₂O₅和Nd₂O₃；②将所称量的原料混合均匀、压片，置于氧化铝坩埚中放入马弗炉中，在1200℃恒温烧结十小时以上；③将烧结后的Nd:(La，Sr)(Al，Ta)O₃装入铱金坩埚中，在惰性气体保护下，用<001>方向的(La，Sr)(Al，Ta)O₃单晶作籽晶，采用中频感应提拉法生长。本发明晶体有望获得广泛应用。
掺钕铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法

[发明专利]大尺寸ZnO籽晶的拼装方法-CN200510027008.8无效
发明人：杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种适用于水热法生长大尺寸ZnO晶体的大尺寸ZnO籽晶的拼装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：①获取两块或者两块以上的ZnO晶片，该ZnO晶片的宽度和厚度完全相等，晶片的四个面高度平整且两两平行，误差小于10″；②大尺寸ZnO的籽晶的拼装，以获得用于生长大尺寸ZnO的籽晶。通过本发明拼装的籽晶可以生长得到大尺寸、高质量的ZnO晶体。
尺寸 zno 籽晶拼装方法

[发明专利]提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法-CN200510026556.9无效
发明人：杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法，该方法的实质是将ZnO籽晶的生长速度快和生长晶体质量好的结晶学面即+c面显露出来作为晶体生长面，在单片ZnO籽晶的－c面涂覆一层贵金属隔离层，抑制生长速度慢且出的晶体质量差的－c面的晶体生长。本发明抑制ZnO晶体－c面的生长，大大提高晶体生长效率，而且生长出来的晶体结构完整，质量完好。
提高水热法生长 zno 晶体生长效率质量方法

[发明专利]掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法-CN200410084635.0无效
发明人：严成锋;赵广军;徐军;介眀印;庞辉勇;张连翰;夏长泰;杭寅 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种掺铈二硅酸镥闪烁单晶的生长方法，该单晶的结构式为：(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇，式中Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y或Gd等的一种或多种；x和y的取值范围分别为0.001≤x≤0.05，0≤y≤0.2。其生长方法的关键是：选用与完全解理面(110)平行，并与不完全解理面(001)夹角≤25°的LPS籽晶方向；以较慢的提拉速度0.5～1.5mm/hr生长；采取特殊收尾程序，晶体尾部的形状基本与晶体肩部对称一致。本发明方法解决了(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇晶体的解理爆裂问题，提高了晶体的成品率，可生长出较大尺寸、晶体质量高、完整无开裂的单晶体。
掺铈二硅酸闪烁晶体生长方法