专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种数据库系统-CN201310132754.8在审
  • 杭国强;白琳;陈芨;王钢;张慧芳;陈昌文;王继伟 - 中国移动通信集团广东有限公司
  • 2013-04-16 - 2014-10-22 - G06F17/30
  • 本发明实施例提供一种数据库系统,包括:数据库服务器组,包含多个数据库服务器,用于运行逻辑数据库管理单元;逻辑数据库管理单元,用于管理一个逻辑表,逻辑表包括多个子表,每一个子表具有子表编号,各个子表分散在不同的物理库单元上;物理库单元,具有库标识,用于存放多个子表;数据存取单元,用于根据选定的存取方式和分区键计算出目标物理库单元,以及在该目标物理库单元中应当存放的目标子表,访问目标物理库单元中的目标子表。增加新的物理库以及对逻辑表进行拆分,拆分之后单一物理库的容量会降低,能够容纳的表单也更多,满足了扩容要求。
  • 一种数据库系统
  • [实用新型]基于浮栅技术的动态异或门设计-CN201420010075.3有效
  • 胡晓慧;刘承成;杭国强 - 浙江大学城市学院
  • 2014-01-07 - 2014-06-25 - H03K19/21
  • 本实用新型公开了一种基于浮栅技术的动态异或门设计,包括互补与运算输出电路和互补异或运算输出电路;所述互补与运算输出电路产生互补的输出信号x·y和所述互补异或运算输出电路产生互补的输出信号同时信号作为所述互补异或运算输出电路的一个输入信号。本实用新型的有益效果是:电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这一自然属性,极大的减少了电路中普通MOS管和互联线的运用,简化了电路结构,减小了功耗;通过逻辑化简,运用与运算输出作为一个控制端来控制互补异或运算输出电路,增加了整个电路的关联度,简化了电路。同时动态技术的运用,进一步灵活的控制了电路的工作过程和状态,降低了电路功耗。
  • 基于技术动态设计
  • [实用新型]一种低功耗动态三值CMOS或门电路-CN201320853955.2有效
  • 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-23 - 2014-06-25 - H03K19/20
  • 本实用新型公开了一种低功耗动态三值CMOS或门电路,包括预置电路、输入电路和判决锁存器控制的输出电路;所述预置电路包括nMOS管N4和N10;所述输入电路包括nMOS管N5、N6、N7、N8;所述判决锁存器控制的输出电路包括pMOS管P1、P2、P3和nMOS管N1、N2、N3、N9;所述pMOS管P1的源级接工作电压VDD;所述nMOS管N1、N2的源级接地;所述nMOS管N4、N10的源级接电压1/2VDD;所述预置电路N4和N10的栅极接时钟CP信号,漏极分别接输出和Q。本实用新型的有益效果是:具有延迟小、布线面积小、功耗低、具有很强的逻辑灵活性的优点,增加了电路的信息量。
  • 一种功耗动态cmos门电路
  • [实用新型]基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器-CN201420009948.9有效
  • 杭国强;胡晓慧;杨旸;章丹艳;周选昌;刘承成 - 浙江大学城市学院
  • 2014-01-07 - 2014-06-25 - H03K3/3562
  • 本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器,包括差分结构的主触发器和差分结构的从触发器;所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4,两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成;所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8、两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6、两个反相器INV1和INV2构成。本实用新型的有益效果是:通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点。运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统差分型触发器中的nMOS逻辑电路,简化了下拉网络结构,从而进一步减小了电路的功耗。通过浮栅MOS管的运用,触发器中的置位端和复位端可以很方便的实现。
  • 基于神经元mos差分型单边沿触发器
  • [实用新型]采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器-CN201320835928.2有效
  • 杭国强;胡晓慧;周选昌;杨旸;章丹艳;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-17 - 2014-06-25 - H03K3/356
  • 本实用新型公开了一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器,包括:对时钟信号进行反相延迟的反相器链,它由三个反相器级联构成;两个差动配置的下拉多输入浮栅MOS管,这两个多输入浮栅MOS管的开关状态受时钟信号、该时钟信号的延迟反相信号、数据输入信号及其反相信号的控制,使得数据信号及其反相信号能在时钟信号边沿后的一个很窄的脉冲宽度内被采样;一对交叉耦合的pMOS管,用于锁存差分输出信号;两个输出反相器,用于对两个互补输出端信号进行缓冲。本实用新型的有益效果是:在结构上更为简单,采用的管子数目较少,速度和功耗更优。并且由于减少了传统下拉MOS管级联网络中串接的管子数,使得本实用新型可工作于较低的电源电压。
  • 采用mos脉冲触发器
  • [实用新型]一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路-CN201320851581.0有效
  • 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-20 - 2014-06-18 - H03K19/20
  • 本实用新型公开了一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路,包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路;所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2;所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1;所述输出电路包括npn型三极管Q1和Q2;所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD;所述三输入浮栅nMOS管N1的源级和一个输入端接地;所述npn型三极管Q1的集电极接工作电压VDD;所述npn型三极管Q2的发射极接地;所述动态时钟控制电路P1和P2的栅极分别接CP和所述动态时钟控制电路P1和P2的漏极分别接Q1和Q2的基极;本实用新型的有益效果是:BiCMOS技术的应用使得电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点,动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗,且电路工作状态可控。
  • 一种基于技术动态bicmos与门电路
  • [实用新型]一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计-CN201320855593.0有效
  • 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-20 - 2014-06-11 - H03K19/20
  • 本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计,包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路;所述高电平实现电路包括nMOS管N1,三输入浮栅nMOS管N2,pnp型三极管Q1;所述中间电平实现电路包括pMOS管P2,npn型三极管Q3;所述低电平实现电路包括pMOS管P1,三输入浮栅nMOS管N3,npn型三极管Q2;所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD,栅极分别接CP和漏极分别接N3的漏极和Q3的基极;所述nMOS管N1的源级接地,栅极接漏极接N2的漏极;所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和GND;本实用新型的有益效果是:电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点,多值动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗,且电路工作状态可控。
  • 一种基于神经元mos动态bicmos设计
  • [实用新型]基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器-CN201320793759.0有效
  • 杭国强;胡晓慧;杨旸;章丹艳;周选昌;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-04 - 2014-06-04 - H03K3/012
  • 本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器,包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器;所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4,三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成;所述主触发器2由构成差分结构的PMOS管m7和PMOS管m8,三输入n型浮栅MOS管m5和三输入n型浮栅MOS管m6构成;所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m9和PMOS管m10,三输入n型浮栅MOS管m11,三输入n型浮栅MOS管m12,三输入n型浮栅MOS管m13和三输入n型浮栅MOS管m14,反相器INV1和反相器INV2构成。本实用新型的有益效果是:具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点,简化了下拉网络结构,从而进一步减小了电路的功耗。
  • 基于神经元mos差分型双边触发器
  • [实用新型]基于浮栅MOS管的增强型动态全加器-CN201320794404.3有效
  • 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-04 - 2014-05-21 - H03K19/20
  • 本实用新型公开了一种基于浮栅MOS管的增强型动态全加器设计,包括互补进位输出电路和互补本位和电路;所述互补进位输出电路产生互补的进位输出信号c+所述互补本位和电路产生互补的本位和信号s和同时信号作为所述互补本位和电路的一个输入信号;所述互补进位输出电路包含:时钟动态控制电路,包括pMOS管m3和m7,nMOS管m6和m4;两个稳压箝位电路,包括pMOS管m2和普通反相器INV1,pMOS管m8和普通反相器INV2;输入控制电路,包括三输入浮栅nMOS管m1和普通nMOS管m5;所述互补本位和电路包含:时钟动态控制电路,包括pMOS管m11和m15,nMOS管m12和m14;两个稳压箝位电路,包括pMOS管m10和普通反相器INV3,pMOS管m16和普通反相器INV4。本实用新型的有益效果是:简化了电路结构,减小了功耗。
  • 基于mos增强动态全加器
  • [发明专利]一种基于浮栅MOS管的增强型动态全加器设计-CN201310649021.1有效
  • 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-04 - 2014-04-09 - H03K19/20
  • 本发明公开了一种基于浮栅MOS管的增强型动态全加器设计,包括互补进位输出电路和互补本位和电路;所述互补进位输出电路产生互补的进位输出信号c+和所述互补本位和电路产生互补的本位和信号s和同时信号作为所述互补本位和电路的一个输入信号;所述互补进位输出电路包含:时钟动态控制电路,包括pMOS管m3和m7,nMOS管m6和m4;两个稳压箝位电路,包括pMOS管m2和普通反相器INV1,pMOS管m8和普通反相器INV2;输入控制电路,包括三输入浮栅nMOS管m1和普通nMOS管m5;所述互补本位和电路包含:时钟动态控制电路;两个稳压箝位电路。本发明的有益效果是:简化了电路结构,减小了功耗。
  • 一种基于mos增强动态全加器设计
  • [发明专利]一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计-CN201310648953.4有效
  • 杭国强;胡晓慧;杨旸;章丹艳;周选昌;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-04 - 2014-04-09 - H03K3/012
  • 本发明公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计,包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器;所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4,三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成;所述主触发器2由构成差分结构的PMOS管m7和PMOS管m8,三输入n型浮栅MOS管m5和三输入n型浮栅MOS管m6构成;所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m9和PMOS管m10,三输入n型浮栅MOS管m11,三输入n型浮栅MOS管m12,三输入n型浮栅MOS管m13和三输入n型浮栅MOS管m14,反相器INV1和反相器INV2构成。本发明的有益效果是:具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点,简化了下拉网络结构,从而进一步减小了电路的功耗。
  • 一种基于神经元mos差分型双边触发器设计
  • [发明专利]一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器-CN201310697210.6有效
  • 杭国强;胡晓慧;周选昌;杨旸;章丹艳;尤肖虎 - 浙江大学城市学院
  • 2013-12-17 - 2014-04-02 - H03K3/356
  • 本发明公开了一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器,包括:对时钟信号进行反相延迟的反相器链,它由三个反相器级联构成;两个差动配置的下拉多输入浮栅MOS管,这两个多输入浮栅MOS管的开关状态受时钟信号、该时钟信号的延迟反相信号、数据输入信号及其反相信号的控制,使得数据信号及其反相信号能在时钟信号边沿后的一个很窄的脉冲宽度内被采样;一对交叉耦合的pMOS管,用于锁存差分输出信号;两个输出反相器,用于对两个互补输出端信号进行缓冲。本发明的有益效果是:在结构上更为简单,采用的管子数目较少,速度和功耗更优。并且由于减少了传统下拉MOS管级联网络中串接的管子数,使得本发明可工作于较低的电源电压。
  • 一种采用mos脉冲触发器

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