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[发明专利]单向ESD保护器件、相应的电路系统及该器件的制备方法-CN202310215187.6在审
发明人：宋文龙;张鹏;杨珏琳;许志峰 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了单向ESD保护器件，包括：N+衬底；N‑外延层，形成在N+衬底表面；P‑扩散区，设置在N‑外延层的表面，并在N‑外延层表面中间位置留出至少一片不具有P‑扩散区的第一区域，P‑扩散区与N‑外延层形成第一PN结；N+扩散区，自第一区域表面沿纵向向着N‑外延层内延伸；P+扩散区，覆盖在P‑扩散区和N+扩散区上，P+扩散区与N+扩散区形成第二PN结；第一金属层，设置在P+扩散区的正面；以及第二金属层，设置在N+衬底的背面。本发明的单向ESD保护器件其可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构设计，获得更强的ESD抗干扰能力和更高的泄放电流能力。
单向 esd 保护器件相应电路系统制备方法

[发明专利]一种低输出电容的SGT MOSFET器件及制作方法-CN202310596206.4在审
发明人：王志明;张鹏;宋文龙;杨珏琳;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种低输出电容的SGT MOSFET器件及制作方法，涉及电子器件技术领域，该SGT MOSFET器件设置有P型多晶硅和N型多晶硅组成的多晶二极管，增加新的变量电容Cdiode，即P型多晶硅和N型多晶硅的电容，通过掺杂控制Cdiode的大小，降低了器件整体的输出电容，提高了开关的速度。
一种输出电容 sgt mosfet 器件制作方法

[发明专利]一种低电容双向ESD保护器件及制作方法-CN202310171355.6有效
发明人： 杨珏琳;宋文龙;张鹏;王志明;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容双向ESD保护器件及制作方法，属于电子技术以及集成电路静电放电保护领域，该ESD保护器件包括双向ESD结构、两个P型扩散区以及多个隔离槽；所述两个P型扩散区对称设置于双向ESD结构中，且每个所述P型扩散区中均设置有多个隔离槽。本发明在双向ESD结构中增加了两个P型扩散区以及多个隔离槽，可以有效地减少小信号传输下的感应电荷，达到极大降低金属层电容的目的，并且能够有效地实现双向导通。
一种电容双向 esd 保护器件制作方法

[发明专利]一种低电容的ESD保护器件及制作方法-CN202310112901.9有效
发明人： 杨珏琳;宋文龙;张鹏;王志明;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容的ESD保护器件及制作方法，属于电子技术以及集成电路静电放电保护技术领域，该ESD保护器件包括P型材料、N型掺杂区、多个N+扩散区、多个P+扩散区、绝缘介质层、热氧化层、低K介质层、阴极金属层以及阳极金属层。本发明通过在芯片面积保持不变的基础上，优化焊盘下方结构，在金属层下方采用凹槽+热氧化层+低K介质的工艺，避免了常规加厚介质层所带来的接触孔填充空洞等问题，可以广泛适用于横向ESD器件，将原本占比30~50%的寄生电容Cp降至20%以下。
一种电容 esd 保护器件制作方法

[实用新型]一种低电容的单向ESD保护器件-CN202123220401.2有效
发明人： 杨珏琳;宋文龙;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电容的单向ESD保护器件，其P型材料正面设置P型倒掺杂区，P+扩散区，N+扩散区；N+扩散区上设置深能级杂质掺杂区；相邻两P+扩散区之间，以及相邻两N+扩散区之间，各设置介质层。介质层上分别设置阳极、阴极金属层。本申请实现低电容满足高速接口的需求，避免表面电压的提前击穿及电流泄放时的提前失效。
一种电容单向 esd 保护器件

[发明专利]一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法-CN202111659083.1在审
发明人：张鹏;宋文龙;杨珏琳;王志明 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压低漏电流单向保护器件及其制备方法，制备方法包括：制备N型衬底材料；制备N型外延层；生长一层牺牲氧化层，正面光刻形成P型扩散区图形，正面硼注入，硼推进；正面光刻形成N+扩散区图形，正面磷注入；正面光刻形成P+扩散区图形，正面硼注入，硼推进，形成N+扩散区、P+扩散区；正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；正面溅射或蒸发金属，合金；背面减薄，背面金属。发明在P型扩散区上方引入P+扩散区，P+扩散区的光刻间距为L，设计L的尺寸，使得由P+扩散区、N型外延层、P+扩散区组成的PNP结构在击穿电压3.3‑6V实现穿通，达到低压低漏电流的要求，通过优化N型外延层的浓度与光刻间距L的尺寸，可以获得小于1uA的漏电流。
一种压低漏电单向保护器件及其制备方法

[发明专利]横向RC-IGBT器件及其制造方法-CN201810960333.7有效
发明人： 杨珏琳 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。本发明与现有工艺兼容，能有效抑制横向RC‑IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性。
横向 rc igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种低电容的单向ESD保护器件及其制造方法-CN202111568031.3在审
发明人： 杨珏琳;宋文龙;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容的单向ESD保护器件，其P型材料正面设置P型倒掺杂区，P+扩散区，N+扩散区；N+扩散区上设置深能级杂质掺杂区；相邻两P+扩散区之间，以及相邻两N+扩散区之间，各设置介质层。介质层上分别设置阳极、阴极金属层。一种低电容的单向ESD保护器件的制造方法，包括以下步骤：一、制备P型材料。二、生长牺牲氧化层，正面设置P型倒掺杂区。三、正面设置P+扩散区，N+扩散区。四、正面光刻形成深能级掺杂区。五、去掉牺牲氧化层，淀积介质层，正面光刻形成阴极及阳极的接触孔区。六、正面光刻形成阳极金属层、阴极金属层。本申请实现低电容满足高速接口的需求，避免表面电压的提前击穿及电流泄放时的提前失效。
一种电容单向 esd 保护器件及其制造方法

[发明专利]一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法-CN202111106081.X在审
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料、P型外延层、正面金属区和背面金属区，P型外延层顶部设有N型扩散区b，N型扩散区b之间设有P型扩散区，最外侧的N型扩散区b外侧设有N型扩散区a，P型外延层顶部设有隔离介质层。外延工艺在N型衬底材料生长一层P型外延层，生长一层牺牲氧化层，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，光刻形成P型扩散区图形，硼注入，硼推进，形成P型扩散区，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，正面淀积隔离介质层，光刻形成接触孔区，正面金属化，背面金属化。在背面金属接触基板的的时候，有利于散热，保证产品的性能。
一种电容低残压双向 esd 保护器件及其制作方法

[发明专利]一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法-CN202111105478.7在审
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括P型单晶材料、N+扩散区、P+扩散区、P扩散区、表面钝化层、金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，其中P扩散区在金属层Ⅰ下方N+扩散区至金属层Ⅱ下方N+扩散区之间浓度逐渐降低，本发明在P扩散区光刻窗口的设计中，窗口的尺寸依次可以命名为：L1、L2、L3、L4、L5，窗口间距的尺寸依次可以命名为：D1、D2、D3、D4，L5L4L3L2L1，D1D2D3D4，从而获P扩散区，从N+扩散区（金属层Ⅱ下方）到N+扩散区（金属层Ⅰ下方），P扩散区的浓度逐渐降低，形成由左至右的内建电场，从而可以获得更高的通流能力，通过合理设计P扩散区的光刻窗口尺寸，与常规结构相比，本发明的通流能力可以比常规结构提高20‑40%。
一种增强通流能力单向 esd 保护器件及其制作方法

[实用新型]高通流能力的单向ESD保护器件-CN202020649550.7有效
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面金属区，N型衬底材料背面减薄并金属化形成背面金属区。步骤1）制备N型衬底材料，生长一层N型外延层；步骤2）在N型外延层102上生长一层牺牲氧化层，获得高低不同的深浅PN结；步骤3）正面硼注入，形成P型扩散区；步骤4）：正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；步骤5）正面溅射或蒸发金属；形成正面金属区和背面金属区。形成结深不同的深浅结，进而获得更高的通流能力。
通流能力单向 esd 保护器件

[实用新型]一种低压低电容单向ESD保护器件-CN202020649583.1有效
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低压低电容单向ESD保护器件，包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本实用新型可以实现单颗芯片完成低压低电容的单向ESD保护，封装难度低，可靠性高。本实用新型既包括穿通型三极管又包括降容二极管。本实用新型的穿通型三极管将纵向击穿调整为横向击穿，同时引入P型调整区，可以在低电压的条件下，获得更低的漏电流。本实用新型的降容二极管可以通过调整P型单晶材料的电阻率可以获得需求的电容值。本实用新型以P型单晶为材料，不同于传统结构的外延材料，从而具有制造成本低的优点。
一种压低电容单向 esd 保护器件

[实用新型]一种低残压低电容单向ESD保护器件-CN202020652470.7有效
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，本实用新型可以在芯片面积不变、芯片加工工序不变的条件下，获得更低的残压参数；通过高能注入的方式将N型调整区105由芯片表面位置调整到P型扩散区102底部，使得残压参数可以获得一定比例的降低；与常规结构相比，在芯片面积一定的条件下，本实用新型的残压参数可以降低10‑30%。
一种压低电容单向 esd 保护器件

[发明专利]超低压触发器件及其制作方法-CN202010602937.1在审
发明人： 杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N+源区。超低压触发器件的制作方法，包括如下步骤：淀积N型外延层；高温推进形成P+隔离层；淀积N+多晶硅，露出N型外延层；推结形成P型基区；在N+多晶硅、P型基区区域中，形成P+源区，随后光刻注入高浓度N型杂质形成N+源区；淀积绝缘介质层，完成正面金属层；淀积背面金属电极。本发明有效减少成本及触发电压，拥有超低触发电压及强泄放电荷能力。
低压触发器件及其制作方法

[发明专利]一种低压ESD保护器件及其制作方法-CN202010603742.9在审
发明人： 杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压ESD保护器件及其制作方法，本发明有效地提高了芯片的利用率，降低了芯片成本；不增加元胞尺寸，减小了由于保持金属间距造成的芯片面积占用，可以将元胞尺寸缩小20%左右，电流泄放能力至少提高50%；采用正偏二极管串可以将SCR的回扫电流降低至1.5V，通过调整正偏二极管数目，可以实现1.2V、1.8V、2V、2.5V、2.8V、3.3V等电压等级的超低触发电压ESD保护器件；通过优化器件尺寸，超低残压，适用于低压系统的超高速信号的防护，同时通过版图优化可以实现双向ESD保护，为低压系统的超高速信号的双向防护提供一种解决方案。
一种低压 esd 保护器件及其制作方法

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