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[发明专利]提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT-CN201711442489.8有效
发明人： 杨珏林;姜梅;许生根;杨晓鸾 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。
提升抗闩锁能力低通态压降 igbt

[发明专利]高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法-CN202010338206.0在审
发明人：宋文龙;杨珏林;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面金属区，N型衬底材料背面减薄并金属化形成背面金属区。步骤1）制备N型衬底材料，生长一层N型外延层；步骤2）在N型外延层102上生长一层牺牲氧化层，获得高低不同的深浅PN结；步骤3）正面硼注入，形成P型扩散区；步骤4）：正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；步骤5）正面溅射或蒸发金属；形成正面金属区和背面金属区。形成结深不同的深浅结，进而获得更高的通流能力。
通流能力单向 esd 保护器件及其制作方法

[发明专利]一种低压低电容单向ESD保护器件及其制作方法-CN202010338210.7在审
发明人：宋文龙;杨珏林;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种低压低电容单向ESD保护器件及其制作方法，该器件包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料的两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本发明可以实现单颗芯片完成低压低电容的单向ESD保护，封装难度低，可靠性高。本发明既包括穿通型三极管又包括降容二极管。本发明的穿通型三极管将纵向击穿调整为横向击穿，同时引入P型调整区，可以在低电压的条件下，获得更低的漏电流。本发明的降容二极管可以通过调整P型单晶材料的电阻率可以获得需求的电容值。本发明以P型单晶为材料，不同于传统结构的外延材料，从而具有制造成本低的优点。
一种压低电容单向 esd 保护器件及其制作方法

[发明专利]一种低残压低电容单向ESD保护器件及其制作方法-CN202010338757.7在审
发明人：宋文龙;杨珏林;张鹏;李泽宏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，本发明可以在芯片面积不变、芯片加工工序不变的条件下，获得更低的残压参数；通过高能注入的方式将N型调整区105由芯片表面位置调整到P型扩散区102底部，使得残压参数可以获得一定比例的降低；与常规结构相比，在芯片面积一定的条件下，本发明的残压参数可以降低10‑30%。
一种压低电容单向 esd 保护器件及其制作方法

[实用新型]提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT-CN201721858600.7有效
发明人： 杨珏林;姜梅;许生根;杨晓鸾 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本实用新型结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。
载流子第一导电类型引导层导电类型低通基区闩锁本实用新型引导体压降漂移对称分布工作特性相邻元胞元胞沟槽外壁下端

[发明专利]具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT-CN201310289169.9有效
发明人：任敏;宋询奕;李果;杨珏林;张鹏;吴明进;顾鸿鸣;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
有变组分混合晶体发射抗闩锁 igbt