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[发明专利]一种α-SiAlON多孔陶瓷及其制备方法和应用-CN202211615949.3有效
发明人：许杰;杨润伍;孟轩宇;郭佳;位明月;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种α‑SiAlON多孔陶瓷及其制备方法和应用，涉及多孔陶瓷材料技术领域。本发明提供的α‑SiAlON多孔陶瓷在12GHz下的介电常数为1.19～3.21，介电损耗为0.33×10‑3～11.17×10‑3，室温热导率为0.31～0.81W/(m·K)，在1500℃的热导率为0.14～0.59W/(m·K)，抗弯强度为72.4～184.4MPa，满足透波、隔热和承载功能一体化需求，具备作为天线罩用高温透波材料的应用。
一种 sialon 多孔陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法-CN202210959840.5有效
发明人：许杰;郭佳;杨润伍;林朗;王恒昌;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明属于氮化铝材料技术领域，具体涉及一种改性氮化铝及其应用、氮化铝改性方法。本发明提供了一种氮化铝改性方法，包括以下步骤：将磷酸二氢铝、硼酸和羧酸溶解于有机溶剂，得到改性溶液；将所述改性溶液和氮化铝混合进行表面改性，得到改性氮化铝。本发明在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下与氮化铝及其表面的羟基等含氧官能团反应形成致密的保护层避免氮化铝直接与水接触；同时在磷酸二氢铝、硼酸和羧酸共同作用下形成的保护层与氮化铝具有较强的结合力能够在85℃的高温条件下长期存在，不发生脱落提高了改性氮化铝的高温耐水解性。
一种改性氮化及其应用方法

[发明专利]一种PCB台阶孔的制作方法-CN202310535787.0在审
发明人：黄力;罗家伟;杨润伍;李亮 -专利权人：珠海方正科技高密电子有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本申请提供一种PCB台阶孔的制作方法。PCB台阶孔的制作方法包括对多层芯板进行压合，形成整板，在整板的表面进行钻孔加工，形成第一通孔，沿第一通孔的轴向，在整板上进行钻孔加工，形成第二通孔，第二通孔的深度小于整板的厚度，对第一通孔和第二通孔的内壁进行电镀，在第一通孔的内壁形成第一金属层，第二通孔的内壁形成第二金属层，从第二通孔进入并对第一通孔内壁上的部分第一金属层进行背钻，形成第三通孔，第三通孔位于第一通孔和第二通孔之间，且第三通孔的内径小于第二金属层的内径。本申请的PCB台阶孔的制作方法可以解决现有PCB布线空间利用率和信号传输稳定性无法兼备的问题。
一种 pcb 台阶制作方法

[发明专利]印制电路板的制造方法-CN202210344007.X有效
发明人：李亮;周军林;杨润伍;李照飞;曹小冰 -专利权人：珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本申请提供一种印制电路板的制造方法，包括提供第一子印制电路板和第二子印制电路板，第一子印制电路板包括第一连接层和第一加工层，第二子印制电路板包括第二连接层和第二加工层；在第一加工层的表面贴合第一分离层，在第二加工层的表面贴合第二分离层；提供第一粘结半固化片层、第二粘结半固化片层和粘接层，将第一粘结半固化片层、第一子印制电路板、粘接层、第二子印制电路板和第二粘结半固化片层依次层叠设置并压合，利用部分第一粘结半固化片层、部分粘接层填满第一过孔，利用部分第二粘结半固化片层、部分粘接层填满第二过孔；去除第一粘结半固化片层、第一分离层、第二分离层和第二粘结半固化片层。本申请有利于提高印制电路板的良率。
印制电路板制造方法

[发明专利]一种利用锂矿渣制备莫来石多孔陶瓷的方法、莫来石多孔陶瓷和应用-CN202211614175.2在审
发明人：许杰;林朗;孟轩宇;王恒昌;杨润伍;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B38/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用锂矿渣制备莫来石多孔陶瓷的方法、莫来石多孔陶瓷和应用，涉及资源再利用技术领域。本发明提供的利用锂矿渣制备莫来石多孔陶瓷的方法，包括以下步骤：将锂矿渣、氧化铝粉、金属铝粉和水进行球磨，得到浆料；将所述浆料和表面活性剂进行搅拌，得到湿泡沫；将所述湿泡沫进行干燥，将所得干泡沫进行烧结，得到莫来石多孔陶瓷。本发明制备的莫来石多孔陶瓷收缩率极低，能够减少多孔陶瓷后期的加工成本，同时实现了锂矿渣的高附加值回收利用。
一种利用矿渣制备莫来石多孔陶瓷方法应用

[发明专利]一种莫来石-氧化锆多孔陶瓷及其制备方法和应用-CN202211614186.0在审
发明人：许杰;林朗;王恒昌;杨润伍;孟轩宇;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B38/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种莫来石‑氧化锆多孔陶瓷及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的莫来石‑氧化锆多孔陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将金属铝粉、含硅锆化合物、氧化物助剂、分散剂和水进行球磨，得到陶瓷浆料；将所述陶瓷浆料和胶凝剂溶液混合，得到预混料；将所述预混料和发泡剂以及稳泡剂混合，进行发泡，得到发泡浆料；将所述发泡浆料进行凝胶固化，得到陶瓷坯体；将所述陶瓷坯体依次进行干燥和烧结，得到莫来石‑氧化锆多孔陶瓷。本发明制备的莫来石‑氧化锆多孔陶瓷，烧结收缩率为‑3～3％，孔隙率为70～90％，抗压强度为15～50MPa，在保温隔热材料或金属熔体过滤材料中具有较好的应用。
一种莫来石氧化锆多孔陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种低钠亚微米α-氧化铝粉体及其制备方法和应用-CN202211617143.8在审
发明人：许杰;林朗;孟轩宇;杨润伍;王恒昌;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01F7/021 文献下载
摘要：本发明提供了一种低钠亚微米α‑氧化铝粉体及其制备方法和应用，涉及粉体材料技术领域。本发明提供的低钠亚微米α‑氧化铝粉体的制备方法，包括以下步骤：将工业氧化铝、有机酸、分散剂和水混合，调节所得分散液的pH值至7～7.5，得到浆料；将所述浆料进行压滤处理，得到低钠工业氧化铝粉体；将所述低钠工业氧化铝粉体和含镁化合物及稀土氧化物混合，进行煅烧，得到低钠亚微米α‑氧化铝粉体。本发明制备的低钠亚微米α‑氧化铝粉体钠含量低、纯度高，原晶大小为亚微米级，该工艺不添加硼、卤化物等矿化剂，实现原晶的可控生长并且对生产设备无污染，便于大规模生产。
一种低钠亚微米氧化铝及其制备方法应用

[发明专利]一种α-SiAlON高熵透明陶瓷材料及其制备方法-CN202111223451.8有效
发明人：许杰;郭佳;杨润伍;张萍;朱嘉桐;位明月;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：一种α‑SiAlON高熵透明陶瓷材料及其制备方法，其化学通式为(RE1aRE2bRE3cRE4dRE5e)m/3Si12‑(m+n)Alm+nOnN16‑n。本发明通过α‑SiAlON陶瓷高熵化、粉体纳米化、组分优选以及优化的烧结工艺，获得透光率为65～76％、硬度为23～25GPa的α‑SiAlON、断裂韧性达到4～5MPa m1/2、弯曲强度达到500～650MPa、光学性能和力学性能均达到较高水平高熵透明陶瓷材料。
一种 sialon 透明陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]多层电路板制作方法、设备和控制器-CN202110574299.1在审
发明人：黄力;杨润伍;罗家伟;李亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本申请提供一种多层电路板制作方法、设备和控制器。该方法包括：控制器可以使用压合工艺，预先制备得到预制电路板。控制器可以获取该预制电路板的表面信息。控制器可以根据该表面信息，确定该预制电路板上每一凹坑的形位信息。控制器可以根据形位信息和预制电路板中各层电路板的走线信息，确定各层电路板中需要填补的填补信息。控制器可以根据该填补信息在制备过程中对各层电路板进行填补。控制器使用压合工艺，对该填补后的各层电路进行制备，得到目标电路板。本申请的方法，实现了目标电路板中凹坑的填补，提高目标电路板的质量，便于目标电路板在后续工序中的加工。
多层电路板制作方法设备控制器

[发明专利]柔性稀土锆酸盐高熵陶瓷纤维膜及其制备和应用-CN202210959854.7在审
发明人：许杰;位明月;冯晓颖;王恒昌;杨润伍;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种锆‑稀土离子乙酰丙酮聚合物及其制备、柔性稀土锆酸盐高熵陶瓷纤维膜及其制备和应用，涉及陶瓷纤维技术领域。本发明的锆‑稀土乙酰丙酮聚合物为一维链状结构，具有较高的可纺性，用于制备稀土锆酸盐高熵陶瓷纤维膜时，不必加入过量纺丝助剂使得后续煅烧时纤维膜柔性丧失。此外，所述锆‑稀土乙酰丙酮聚合物中的稀土元素为La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Y、Ho、Er、Yb和Lu中的任意5种，高熵效应带来的迟滞扩散效应使得纤维晶粒较小，提高了纤维膜的柔性。
柔性稀土锆酸盐高熵陶瓷纤维及其制备应用

[发明专利]一种低收缩莫来石基多孔陶瓷及其制备方法-CN202210960091.8在审
发明人：许杰;林朗;夏晨赫;王恒昌;杨润伍;位明月;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C04B38/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种低收缩莫来石基多孔陶瓷及其制备方法，涉及无机非金属材料制备技术领域。本发明以特定的矿物粉料(红柱石、蓝晶石和硅线石中的一种)作为原料，采用发泡‑凝胶注模法，利用原料在高温下的相转变产生的体积膨胀效应来抵消烧结收缩，而且含铝的添加剂在烧结过程中也会发生体积膨胀进一步抵消烧结收缩，此外，加入的含铝添加剂与相转变析出的二氧化硅反应会生成莫来石晶须增强力学性能，进而得到了低收缩莫来石基多孔陶瓷，以满足制备形状复杂的多孔陶瓷部件和降低加工成本等需要。实施例的结果表明，本发明制备的低收缩莫来石基多孔陶瓷收缩率仅为0～5％，孔隙率为75～95％，抗压强度为2～30MPa。
一种收缩莫来石基多陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高导热率球形金属铝/氧化铝复合粉体及其制备方法-CN202210504227.4在审
发明人：许杰;林朗;杨润伍;王恒昌;位明月;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C08K9/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导热率球形金属铝/氧化铝复合粉体及其制备方法，涉及粉体材料技术领域。本发明提供的高导热率球形金属铝/氧化铝复合粉体的制备方法，包括以下步骤：将球形金属铝粉在空气中静置，得到球形金属铝‑无定型氧化铝复合粉体；在含氧气气氛中，将所述球形金属铝‑无定型氧化铝复合粉体进行煅烧，得到高导热率球形金属铝/氧化铝复合粉体。本发明制备的高导热率球形金属铝/氧化铝复合粉体既有较高的热导率，又有较好的绝缘性，能够满足导热高分子材料填料等特殊用途。同时，本发明的制备工艺简单、成本低，可实现批量化大生产。
一种导热球形金属氧化铝复合及其制备方法

[发明专利]一种稀土复合氧化物多孔高熵陶瓷及其制备方法和应用-CN202210607320.8在审
发明人：许杰;王恒昌;位明月;朱嘉桐;杨润伍;孟轩宇;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土复合氧化物多孔高熵陶瓷及其制备方法和应用，涉及高熵陶瓷技术领域。本发明提供的多孔高熵陶瓷，化学式为A2B2O7，A为稀土离子，B为四价金属离子。本发明的A2B2O7高熵组分中，引入多种声子散射机制，高熵陶瓷晶格中存在不同的稀土元素，导致声子散射中心增加，以及小元素存在的“Rattler”效应与有序‑无序转变中带来的声子散射增加，使得其表现出较低的热导率，从低温段到高温段热导率上升的幅度较小。另外，本发明提供的A2B2O7高熵组分中存在多种强化机制，使得其具有较高的本征力学性能，因此，所述稀土复合氧化物多孔高熵陶瓷具有较高的力学性能。
一种稀土复合氧化物多孔陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]电路板金手指的制作方法和电路板-CN202210320874.X在审
发明人：罗家伟;黄力;杨润伍;李亮 -专利权人：珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供一种电路板金手指的制作方法和电路板，该电路板金手指的制作方法包括提供覆铜基板，覆铜基板包括基板和铜层，铜层包括第一区域和第二区域，第一区域与导入段相对应，第二区域与连接段相对应；对铜层的第一区域进行减铜处理，以使第一区域的表面与基板之间具有夹角；其中，第一区域和第二区域之间形成分界线，且第一区域的厚度从靠近第二区域的一侧到远离第二区域的一侧逐渐减小；对第一区域和第二区域进行刻蚀处理，以形成多个金手指。本发明提供的电路板金手指的制作方法制成的金手指在与连接器插拔过程中的磨损程度较低。
电路板手指制作方法

[发明专利]一种大原晶低钠类球形α-氧化铝粉体及其制备方法-CN202210490783.0在审
发明人：许杰;林朗;杨润伍;王恒昌;位明月;高峰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C01F7/023 文献下载
摘要：本发明提供了一种大原晶低钠类球形α‑氧化铝粉体及其制备方法，涉及粉体材料技术领域。本发明采用两步煅烧工艺，通过两种复合矿化剂实现大原晶低钠类球形α‑氧化铝粉体的制备，第一步煅烧采用氟化物和氯化物复合矿化剂，由于该复合矿化剂可与工业氧化铝粉体中的氧化钠进行反应，实现钠杂质的大幅度去除；第二步煅烧采用氧化物和氟化物复合矿化剂，由于氧化物加速α‑氧化铝原晶的长大并提升粉体的球形度，同时该复合矿化剂可进一步去除α‑氧化铝中钠杂质。本发明制备的大原晶低钠类球形α‑氧化铝粉体的平均粒径为20～30μm，钠含量为0.01～0.02wt％，球形度为80～90％。
一种大原晶低钠类球形氧化铝及其制备方法

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