专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低功耗垂直功率MOS器件-CN202010595993.7有效
  • 陈译;陆佳顺;杨洁雯 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2020-06-28 - 2023-08-22 - H01L29/78
  • 本发明公开一种低功耗垂直功率MOS器件,所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞,所述MOS器件单胞进一步包括:位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层;所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层,且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱;所述沟槽内下部具有下N型源极部,此下N型源极部位于第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱与沟槽底部之间。本发明低功耗垂直功率MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗,有效抑制了器件的误开启。
  • 功耗垂直功率mos器件
  • [实用新型]一种高耐量高能效浮游型新型超结MOS场效应晶体管-CN202223274413.8有效
  • 杨洁雯;钱叶华;陆佳顺 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-06-02 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种高耐量高能效浮游型新型超结MOS场效应晶体管,包括漏极结构、多次外延结构、栅极结构、源极结构;漏极结构包括漏极金属层及N型衬底;多次外延结构包括设于N型衬底上方的N型外延层、多次外延P型柱,多次外延P型柱具有位于上段的上外延P型柱以及位于下段的下外延P型柱;栅极结构包括栅极氧化层、栅极金属层;源极结构包括横跨设于栅极氧化层上方的源极金属层。本实用新型的方案能够改变雪崩时的电流路径,电流主要通过P柱流出器件,从而有效地避免了器件内部的寄生BJT的触发,提高器件的Eas耐压,有利于减低器件整体的导通电阻,从而降低器件电路系统的应用中的电路功耗,提高MOS场效应晶体管应用电路的能效。
  • 一种高耐量高能效浮游新型mos场效应晶体管
  • [实用新型]高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构及晶体管-CN202223274324.3有效
  • 陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-06-02 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构及其晶体管,包括N型衬底及设于N型衬底上方的多次外延结构;多次外延结构包括设于N型衬底上方的N型外延层和设置在N型外延层内的P型基区;所述P型基区下方设有多次外延P型柱,所述多次外延P型柱具有位于上段的上外延P型柱以及位于下段的下外延P型柱,所述上外延P型柱浮游于所述下外延P型柱的上方,两者间填充N型外延层,所述上外延P型柱向上延伸入所述P型基区中。本实用新型的方案的最强电场分布在所述上外延P型柱外延的下方,这将有效吸附空穴,进而改变雪崩时的电流路径,电流主要通过P柱流出器件,从而有效地避免了器件内部的寄生BJT的触发,提高器件的Eas耐压。
  • 高耐量浮游型超结mos场效应晶体管结构
  • [发明专利]一种气膜加内部扰流的冷却装置及应用-CN202211227195.4在审
  • 朱惠人;徐志鹏;杨洁雯;许卫疆;刘存良;郭涛 - 西北工业大学
  • 2022-10-09 - 2023-03-14 - B64D33/08
  • 本发明一种气膜加内部扰流的冷却装置及应用,属于航空发动机领域;包括冷侧平板、热侧平板和中空扰流柱,所述冷侧平板位于冷气通道一侧,所述热侧平板位于高温燃气通道一侧;所述冷侧平板和热侧平板之间设置有若干中空扰流柱,通过中空扰流柱的中空孔将冷气通道与高温燃气通道连通,两层平板之间形成含有中空扰流柱的中间通道。本发明利用了中空孔流阻小,易于出流的特点,可避免燃气发生倒灌,同时,利用了倾斜中空扰流柱内部扰流流阻小,外部气膜贴附好的优点。该结构适用于需要高冷却效率但易发生燃气倒灌的区域,例如高温喷管壁面。经过数值验证,使用该结构,能比现有冲击+气膜双层壁结构具有更好的冷却效果,更小的流动阻力。
  • 一种气膜加内部冷却装置应用
  • [实用新型]一种新结构低功耗MOS场效应晶体管-CN202222483212.2有效
  • 钱叶华;陆佳顺;杨洁雯 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-02-03 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种新结构低功耗MOS场效应晶体管,其左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区,从而在左P型基区和右P型基区上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部,左P型基区和右P型基区的P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层,此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离,源极金属层覆盖于左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区上表面,此源极金属层、左栅极层和右栅极层相互之间通过绝缘介质层隔离,漏极金属层覆盖于重掺杂N型漏极层下表面。本实用新型的一种新结构低功耗MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻,从而降低了器件的发热量。
  • 一种结构功耗mos场效应晶体管
  • [实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管-CN202222490625.3有效
  • 陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-02-03 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管,其复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区,复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区,左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区,从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部,左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层,此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离。本实用新型的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻,实现器件的低阻化和降低了器件的发热量。
  • 一种通电功率mos场效应晶体管
  • [实用新型]平面沟槽复合型功率MOSFET器件-CN202222511006.8有效
  • 杨洁雯;钱叶华;陆佳顺 - 苏州硅能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-02-03 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种平面沟槽复合型功率MOSFET器件,其左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区,从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部,左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层,左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离,相邻MOS器件单胞之间具有一深沟槽,深沟槽的下端延伸至N型轻掺杂外延层的中部,此深沟槽内填充有一二氧化硅部。本实用新型平面沟槽复合型功率MOSFET器件既可以实现器件的低阻化,降低器件的发热量,又提高了器件电流强度,还降低了漏电流,提高MOSFET器件的BV(耐压)特性。
  • 平面沟槽复合型功率mosfet器件
  • [实用新型]一种婴儿学步用防磕碰护头帽-CN202221382742.1有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-06-01 - 2023-01-13 - A42B1/08
  • 本实用新型涉及婴儿用品领域,尤指一种婴儿学步用防磕碰护头帽,包括帽体,所述帽体的一侧固定连接有橡胶垫,所述橡胶垫的一侧固定连接有海绵垫,所述橡胶垫的另一侧固定连接有伸缩杆,所述伸缩杆的一端固定连接有防护板,所述防护板的一侧固定连接有第一弹簧,所述帽体的一侧固定连接有防水垫,所述防水垫的内壁固定连接有水袋。本实用新型通过设置的海绵垫、橡胶垫、防护板、第一弹簧和水袋,第一弹簧可以起到减震的作用,水袋内部的水可以起到缓冲的作用,进入实现更便于对婴儿额头和后脑勺进行防护,进而极大的提高了该装置的保护作用,从而有效的提高了该装置的实用性,从而促进了婴儿用品技术的快速发展。
  • 一种婴儿学步磕碰护头帽
  • [实用新型]一种帽子生产用布料裁切装置-CN202220735370.X有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-03-30 - 2023-01-06 - D06H7/02
  • 本实用新型属于帽子加工领域,具体的说是一种帽子生产用布料裁切装置,包括裁切台和限位单元;所述限位单元设置在裁切台的端部;所述裁切台的端部固接有支撑架;通过设置的限位单元,当对帽子布料生产裁切时,将布料放置在裁切台的端部位置,位于连接架的底端,电推杆的输出端带动裁切刀板下滑,压合板底端的挤压板压合在布料的端部,避免布料裁切时滑动,压合板继续下压,弹性柱和一号弹性件受力挤压,压力配合挤压板压合布料,切割刀对布料裁切,起到增强限位效果的作用,避免切割刀不够锋利时布料出现裁不断的现象。
  • 一种帽子生产布料装置
  • [实用新型]一种散热效果好的帽子-CN202220735477.4有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-03-30 - 2023-01-06 - A42C5/04
  • 本实用新型属于帽子领域,具体的说是一种散热效果好的帽子,包括帽子本体;所述帽子本体上缝合有帽檐,所述帽子本体上设置有散热机构,所述散热机构包括有两个圆筒、两个风机、两个连接环和两个圆环,两个所述圆筒与帽子本体的内部滑动连接,两个所述圆环固定安装在帽子本体的顶端,两个连接环分别固定在两个圆筒上,所述连接环的底端与圆环贴合,两个所述风机分别固定安装在帽子本体的内壁上;通过将圆筒穿过帽子本体,同时连接环也会搭在圆环上,之后人将帽子本体佩戴在头上时,可以启动风机,使得风机对头部处进行吹风散热,进而达到提高帽子本体的效果的作用。
  • 一种散热效果帽子
  • [实用新型]一种婴儿学步用可调式护头帽-CN202221382741.7有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-06-01 - 2023-01-06 - A42B1/22
  • 本实用新型涉及婴儿用品领域,尤指一种婴儿学步用可调式护头帽,包括帽体,所述帽体的内壁固定连接有海绵层,所述帽体的一侧固定连接有松紧带,所述松紧带的一侧固定连接有固定带,所述帽体的外壁固定连接有辅助块,所述辅助块的一侧开设有限位槽,所述限位槽的内顶壁开设有螺纹槽。本实用新型通过设置的帽体、松紧带、固定带、辅助块、限位槽、固定块和伸缩杆,拉动固定带可以拉紧帽体的一侧,进而螺纹杆转动带动固定块对固定带进行压制,进而固定带的位置被固定,进而便于头部大小不同的婴儿进行使用,从而极大的降提高了该装置的实用性,从而有效的提高了该装置的使用率,从而促进了婴儿用品技术的快速发展。
  • 一种婴儿学步调式护头帽
  • [实用新型]一种防晒效果好的遮阳帽-CN202221182821.8有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-05-06 - 2022-11-15 - A42B1/019
  • 本实用新型属于衣帽领域,具体的说是一种防晒效果好的遮阳帽,包括第一防晒层、第一防水层、第一吸汗层和翻面吸汗单元;所述第一防晒层的内侧面固接有第一防水层;通过第一防晒层、第一防水层和第一吸汗层之间的结构实现一面防晒一面吸汗的功能,配合第二防晒层、第二防水层和第二吸汗层之间的结构实现一面防晒一面吸汗的功能,从而实现在需要高防晒效果的时候,使用第一防晒层和第二防晒层对外进行防晒,然后在产生汗水后,将第一吸汗层和第二吸汗层翻面对外佩戴,从而实现防晒的同时,可以将第一防晒层和第二防晒层表面的汗水对着阳光和空气进行吸热蒸发,然后往复佩戴,从而获得最佳防晒效果的同时也能保证舒适性。
  • 一种防晒效果遮阳帽
  • [实用新型]一种帽子生产用打孔定位装置-CN202220736053.X有效
  • 李映果;张泽敏;郭玫汝;杨洁雯;薛兰;郭亮宏 - 超时代电商科技(广州)有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-10-28 - B26F1/14
  • 本实用新型属于帽子加工领域,具体的说是一种帽子生产用打孔定位装置,包括滑板;所述滑板的一侧固定安装有第二放置板,所述滑板的表面滑动连接有第一放置板,所述第一放置板和第二放置板的顶端均设置有固定机构,所述滑板的一侧均匀开设有圆槽,所述第一放置板的一侧固定安装有固定块;通过拉动第一放置板,使得第一放置板在滑板的表面进行滑动,当第一放置板移动到合适位置处后,推动限位杆,使得限位杆与圆槽卡接,从而使滑板和第一放置板被固定住,此时第一放置板、滑板和第二放置板的长度会发生变化,起到了对第一放置板和第二放置板的长度进行调节的作用,进而方便长度不同的帽子布料被在第一放置板和第二放置板上进行定位。
  • 一种帽子生产打孔定位装置

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